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一种具有可控硅结构的高压半导体器件，包含：一衬底；一第一型阱，设置于衬底上；一漏极，设置于衬底上并通过一漂移区而将漏极与第一型阱相间隔，其中漏极内设置有多个第一型区块、一第二型区块及一隔离区块，第一型区块与第二型源极形成一可控硅结构，第一型...
该专利属于陈胜利所有，仅供学习研究参考，未经过陈胜利授权不得商用。

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