集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路制造技术

本发明专利技术公开一种集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路，主动式静电放电保护电路包含一开关单元及一静电检知单元，该开关单元跨接于一电子熔丝元件上，且具有一控制端；该静电检知单元连接至该开关单元的控制端，以控制该开关单元的导通或不导通；当检知有静电发生时，即控制该开关单元立即触发导通以快速形成一静电电流宣泄路径，避免静电放电电流通过该电子熔丝元件，而烧断该电子熔丝元件。

Active ESD protection circuit of IC and its electronic fuse element

【技术实现步骤摘要】
集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路
本专利技术关于一种静电放电保护电路，尤指一种针对集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路。
技术介绍
在先进半导体工艺微缩下，集成电路的操作电压也越趋降低，对于包含有电子熔丝元件的集成电路来说，其中电子熔丝元件的宽度也越趋窄缩，相对使用更小的电压即可烧断电子熔丝元件；因此，由先进半导体工艺所制作的微缩化电子熔丝元件更容易被静电放电的突波烧断，造成集成电路的设定错误。请参阅图3所示，一般具有电子熔丝元件31的集成电路30会在电源低电位外接点P3_AGND与连接该电子熔丝元件31的调校内接点P2_FUSE之间设置有一静电放电保护组件32，但此做法仍无法全面防止静电放电电流通过电子熔丝元件31，仍会将电子熔丝元件31烧断。请参阅图4所示，为中国台湾第105100696号专利技术专利申请案所提出来的一种用于电熔丝的放电保护结构，该放电保护结构包含与电子熔丝元件40并联的二极管41，如图中所示，该二极管41由一晶体管构成，即该晶体管的栅极连接至源极。当静电放电的负脉冲期间，该二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路的主动式静电放电保护电路，该集成电路包含有一电源高电位外接点、一电源低电位外接点、一调校内接点、一功能电路单元及一电子熔丝元件，该功能电路通过该电子熔丝元件串接在该调校内接点与该电源低电位外接点之间；其特征在于，该主动式静电放电保护电路包括：/n一开关单元，跨接于该电子熔丝元件上，该开关单元具有一控制端；以及一静电检知单元，串接于该调校内接点及该电源低电位外接点之间，且该静电检知单元连接至该开关单元的控制端，以控制该开关单元的导通或不导通。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电路的主动式静电放电保护电路，该集成电路包含有一电源高电位外接点、一电源低电位外接点、一调校内接点、一功能电路单元及一电子熔丝元件，该功能电路通过该电子熔丝元件串接在该调校内接点与该电源低电位外接点之间；其特征在于，该主动式静电放电保护电路包括：
一开关单元，跨接于该电子熔丝元件上，该开关单元具有一控制端；以及一静电检知单元，串接于该调校内接点及该电源低电位外接点之间，且该静电检知单元连接至该开关单元的控制端，以控制该开关单元的导通或不导通。


2.如权利要求1所述的主动式静电放电保护电路，其特征在于，该静电检知电路包含：
一电容元件，其一端连接至该调校内接点；以及
一电阻元件，串接于该电容元件及该电源低电位外接点之间；其中该电容元件及该电阻元件的串接节点连接至该开关单元的控制端。


3.如权利要求1所述的主动式静电放电保护电路，其特征在于，该开关单元包含一NMOS晶体管，其漏极及源极分别连接于该电子熔丝元件的二端，且源极与基极相连，其栅极连接至该静电检知单元。


4.如权利要求2所述的主动式静电放电保护电路，其特征在于，
该开关单元包含一NMOS晶体管，其漏极及源极分别连接于该电子熔丝元件的二端；以及
该电容元件为一PMOS晶体管构成；其中该电容元件及该电阻元件的串接节点连接至该NMOS晶体管的栅极。


5.如权利要求4所述的主动式静电放电保护电路，其特征在于，该NMOS晶体管的栅极及基极共同连接至半导体基板。


6.如权利要求1至5中任一项所述的主动式静电放电保护电路，其特征在于，进一步包括一静电放电保护电路元...

【专利技术属性】
技术研发人员：林欣逸，谢协缙，
申请(专利权)人：台湾类比科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71