一种提高MIM电容高频可靠性的版图结构及其实现方法技术

本发明专利技术公开了一种提高MIM电容高频可靠性的版图结构及其实现方法，涉及新一代信息技术。针对现有技术中寄生电容大以及没有高频噪声抑制能力的问题提出本方案。衬底设有N型掺杂区域并层叠设置若干金属层，相邻金属层之间通过绝缘体隔离；除了最顶层之外的所有金属层均通过至少一过孔互相连通；对应金属层引出所需的接线端子。优点在于，降低了MIM电容对衬底的寄生电容，屏蔽衬底噪声；利用寄生电阻和寄生电容形成高频极点，提高MIM电容对高频噪声的抑制作用。提高了MIM电容的匹配度，改善了MIM电容对衬底噪声以及高频噪声的屏蔽效果，降低了电磁干扰，进而提升芯片良率。

A layout structure and implementation method for improving the high frequency reliability of MIM capacitor

【技术实现步骤摘要】
一种提高MIM电容高频可靠性的版图结构及其实现方法
本专利技术涉及新一代信息技术，尤其涉及一种提高MIM电容高频可靠性的版图结构及其实现方法。
技术介绍
MIM电容即金属-绝缘体-金属电容，是集成电路中的重要元器件，广泛应用于采样保持电路、模数转换电路、滤波器、射频电路等模块中。其结构如图1所示，在衬底P-sub上依次设置两层金属层，所述两层金属层通过绝缘体电性隔离。由于衬底和所有金属层必然存在寄生电容，其中最顶层的金属层对衬底之间的寄生电容为第一寄生电容C1、最底层的金属层对衬底之间的寄生电容为第二寄生电容C2。对衬底的寄生电容会影响电路的匹配度以及增大电容和衬底噪声影响，当采用大面积MIM电容时，寄生电容C1、C2同样会变的很大。电路的匹配度和可靠性将大幅度降低。MIM电容容易受衬底噪声的影响，导致电路的采样匹配度、线性度、速度等性能恶化而降低芯片良率。此外，传统的MIM电容版图结构对高频噪声没有抑制能力，易受电磁干扰，在高频应用中缺乏可靠性。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术目的在于提供一种提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高MIM电容高频可靠性的版图结构，包括衬底，其特征在于，所述衬底设有N型掺杂区域，在N型掺杂区域内层叠设置若干金属层，相邻金属层之间通过绝缘体隔离；除了最顶层之外的所有金属层均通过至少一过孔互相连通；最顶层的金属层设有第一接线端子、最底层的金属层设有第二接线端子、N型掺杂区域设有第三接线端子。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高MIM电容高频可靠性的版图结构，包括衬底，其特征在于，所述衬底设有N型掺杂区域，在N型掺杂区域内层叠设置若干金属层，相邻金属层之间通过绝缘体隔离；除了最顶层之外的所有金属层均通过至少一过孔互相连通；最顶层的金属层设有第一接线端子、最底层的金属层设有第二接线端子、N型掺杂区域设有第三接线端子。


2.根据权利要求1所述提高MIM电容高频可靠性的版图结构，其特征在于，所述的衬底为P型衬底。


3.根据权利要求1所述提高MIM电容高频可靠性的版图结构，其特征在于，所述衬底的介电常数大于N型掺杂区域的介电常数。


4.根据权利要求1所述提高MIM电容高频可靠性的版图结构，其特征在于，所述的衬底设有第四接线端子。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志坚，陈鸿，郑彦祺，李斌，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44