公开了诸如涉及集成电路封装的设备。在一个实施方案中，芯片封装（300）包括：囊封物（110），其具有顶部表面和背对所述顶部表面的底部表面。所述封装进一步包括引线框（350），所述引线框（350）包括多个引线（352,354）。所述引线的各者包括暴露通过所述囊封物的所述底部表面的边缘的一者的暴露部分（352）。所述暴露部分具有长度。沿着所述囊封物的所述底部表面的所述边缘的一者定位的至少一个暴露部分具有不同于沿着所述边缘的其它暴露部分的长度。所述封装还可以包括暴露通过所述底部表面的隅角的虚设垫（465a）。当所述封装附接至印刷电路板（180）时，构造可以增强所述封装的焊接接头可靠性。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方案涉及电子装置，且更特定来说，涉及集成电路封装。
技术介绍
半导体行业已开发了具有不同封装要求的各种集成电路(1C)。当为特定半导体装置选择封装类型时考虑的封装属性包括(但不限于):大小、引线计数、功率及热消散、现场操作条件和成本。IC封装经常被设计成使用衬底上的IC封装与接触垫之间的焊接接头来附接至较大装置的印刷电路板(PCB)或类似接口。这样的焊接接头可在操作和/或处理期间经历不同的热和/或机械应力。这样的应力可减少封装内部的IC的寿命，并且最终减少包括IC的电子装置的寿命。因此，需要提供可以有效地抵抗这样的应力的IC封装设计。
技术实现思路
在一个实施方案中，晶粒封装包括:囊封物，其具有顶部表面和底部表面。底部表面背对顶部表面，且具有多个边缘。封装进一步包括:晶粒，其嵌入于囊封物中；和引线框，其包括多个引线。引线的各者包括暴露通过囊封物的底部表面的边缘的一者的暴露部分。所述暴露部分具有长度。沿着囊封物的底部表面的边缘的一者定位的至少一个暴露部分具有不同于沿着边缘的其它暴露部分的长度的长度。在另一实施方案中，一种电子装置包括:印刷电路板(PCB)，其包括形成于其上的导电连结区；和芯片封装，其包括:囊封物，其具有顶部表面和底部表面，所述底部表面背对所述顶部表面且具有多个边缘；晶粒，其嵌入于囊封物中；和引线框，其包括多个引线，所述引线的各者包括暴露通过囊封物的底部表面的边缘的一者的暴露部分，所述暴露部分具有长度。沿着囊封物的底部表面的边缘的一者定位的至少一个暴露部分具有不同于沿着边缘的其它暴露部分的长度。所述装置进一步包括焊接接头，其在连结区与引线的暴露部分之间接触并置于其间。在又一实施方案中，用于晶粒封装的引线框包括:多个引线，其各者具有第一端和第二端，其中所述多个引线的第一端彼此对准。所述引线的各者包括从引线的第一端延伸的第一部分和从第一部分的部分延伸至引线的第二端的第二部分，第一部分具有第一厚度，第二部分具有比第一厚度厚的第二厚度。所述引线的第一部分的至少一者具有不同于其它引线的第一部分的长度的长度。附图说明图1是具有桨向下构造的常规四方扁平无引线(QFN)封装的截面。图2A是具有桨向上构造和冷却板的常规QFN封装的截面。图2B是图2A的QFN封装的俯视图。图2C是图2A的QFN封装的仰视图。图2D是附接至印刷电路的图2A的QFN封装的一部分的截面，其图示具有由应力造成的裂缝的焊接接头。图3A是根据一个实施方案的具有桨向上构造的QFN封装的截面。图3B是图3A的QFN封装的仰视图。图3C是图3A的QFN封装的俯视图。图3D图示形成图3A的QFN封装的部分制造引线框结构和晶粒。图4A是根据另一实施方案的具有桨向上构造，具有隅角虚设垫的QFN封装的仰视图。图4B是沿着线4B-4B获取的图4A的QFN封装的一部分的截面。图5是根据另一实施方案的具有桨向下构造，具有隅角虚设垫的QFN封装的仰视图。图6是根据另一实施方案的具有桨向下构造的隐藏桨引线框芯片级封装(LFCSP)的截面。具体实施例方式某些实施方案的以下详细描述呈现本专利技术的特定实施方案的不同描述。但是，可以如由权利要求书所定义和涵盖的众多不同方式体现本专利技术。在本描述中，参考图，其中相似参考数字指示相同或功能上类似的元件。四方扁平无引线封装的概述集成电路(IC)封装被设计成既保护IC (还称作“晶粒”或“芯片”)又促进至较大电子装置的电连接。IC封装通常包括囊封剂、嵌入于囊封剂中的晶粒和具有引线的衬底(诸如至少部分嵌入于囊封剂中的引线框)。引线框可以包括晶粒所附接的晶粒桨和用作用于至外部电路的外部电连接的构件的引线。晶粒通过导线经由导线接合或通过带式自动接合连接至引线。四方扁平无引线(QFN)封装较小，通常为矩形表面安装塑料封装。QFN封装通常包括具有通常与封装底部的囊封剂齐平的引线的平面引线框。引线可以不具有突部(单切)或具有从封装侧的非常小的突部(冲孔)。因此，因为引线在封装表面变为接触，而非突出，所以QFN封装经常称作“无引线”。因此，QFN封装包括(例如，经由印刷电路板(PCB))用作至外部装置的电连接点的围绕QFN封装的底部周边的引线(或者，称作“外部引线”)的接触件或暴露部分。因为QFN大致上不具有从其侧突出的引线，且具有较短接合导线长度，所以其展现比具有突出引线的封装更小的电感，且因此提供更高的电性能。QFN封装还可以称作“微弓丨线框封装”。可以通过在引线框上个别或集体地囊封芯片阵列，且接着对将单件化的囊封芯片进行冲孔或切割来形成QFN封装。反向QFN封装可以在与引线相对的封装侧上包括暴露的热桨(或热垫)来改善从封装的热消散。参考图1，示出了具有桨向下构造的常规QFN封装的一个实施例。所示QFN封装100包括囊封物110、晶粒120、接合导线125、粘合剂130、热桨140a和引线框150。术语“热奖”(“thermal paddle”)还称作热垫(“thermal pad”)、热奖(“heat paddle”)或热垫(“heat pad”)。封装100示出为使用焊接接头160、162附接至印刷电路板(PCB) 180。囊封物110用于在使热桨140a和引线框150的部分暴露的同时，囊封晶粒120、接合导线125和粘合剂130。囊封物110可以由(例如)模制化合物(诸如环氧树脂)形成。晶粒120 (或集成电路或芯片)经常形成于半导体(例如，硅)衬底上。晶粒120可以包括具有任何功能性的一个或多个集成电路(1C)。晶粒120的(若干)IC (例如)通过接合导线125电耦接至引线框150。接合导线125可以由(例如)一个或多个前述材料中的铝、铜、金或合金形成。使用粘合剂130将晶粒120实体附接至热桨140a的顶部部分。粘合剂130可以是可以将热从晶粒120有效地传送至热桨140a的导热材料。热桨140a支撑晶粒120且还可以用于将热从晶粒120消散至QFN封装100外部。热桨140a可以由具有高热导的材料(例如，金属)形成。在具有桨向下构造的所示QFN封装100中，虽然一些封装配置允许越过桨底部的囊封剂薄层，但是热桨140a的底部部分暴露通过封装100的底部。当如所示般暴露时，可以使用焊接接头162将热桨140a的底部部分附接至PCB180。弓丨线框150提供晶粒120的电路与PCB180之间的电连接。引线框150可以包括多个单独引线，其部分暴露通过封装100的底部的周边。使用焊接接头160将引线的暴露部分附接至PCB180的接触垫。参考图2A，下文将描述具有桨向上构造的常规QFN封装的另一实施例。具有桨向上构造的常规QFN封装还可以称作“反向QFN封装”。所示QFN封装200包括囊封物110、晶粒120、接合导线125、粘合剂130、热桨140b和引线框150。囊封物110、晶粒120、接合导线125、粘合剂130和引线框150的细节可如上文关于图1的封装100的囊封物110、晶粒120、接合导线125、粘合剂130和引线框150所描述般。与图1的热桨140a对比，图2A的热桨140b定位于晶粒120上。热桨140b的顶部表面暴露通过封装200的顶部表面，且被构造来与散热片或冷却板190接触以用于热消散。使用本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.12 US 61/363,579;2010.08.05 US 12/851,2881.一种用于晶粒封装的引线框，其包括: 多个引线，其各者具有第一端和第二端，其中所述多个引线的所述第一端彼此对准，其中所述引线的各者包括从所述引线的所述第一端延伸的第一部分和从所述第一部分的部分延伸至所述引线的所述第二端的第二部分，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有比所述第一厚度厚的第二厚度，且 其中所述引线的所述第一部分的至少一者具有不同于所述其它引线的所述第一部分的长度的所述长度。2.一种晶粒封装，其包括: 囊封物，其具有顶部表面和底部表面，所述底部表面背对所述顶部表面，且具有多个边缘； 晶粒，其嵌入于所述囊封物中；和 引线框，其包括多个引线，所述引线的各者包括暴露通过所述囊封物的所述底部表面的所述边缘的一者的暴露部分，所述暴露部分具有长度， 其中沿着所述囊封物的所述底部表面的所述边缘的一者定位的至少一个暴露部分具有不同于沿着所述边缘的其它暴露部分的长度的长度。3.根据权利要求2所述的封装，其中所述暴露部分的底部与所述囊封物的所述底部表面齐平。4.根据权利要求2所述的封装，其中所述长度大致上垂直于所述边缘延伸。5.根据权利要求2所述的封装， 其中沿着所述边缘定位的所述引线的所述暴露部分被分为多个群组，使得所述相同群组中的暴露部分具有彼此相同的所述长度，且使得群组中的暴露部分具有不同于不同群组中的另一暴露部分的长度。6.根据权利要求5所述的封装，其中所述多个群组包括沿着所述边缘的第一群组，所述第一群组中的所述暴露部分具有第一长度， 其中所述多个群组进一步包括相邻于沿着所述边缘的所述第一群组的第二群组，所述第二群组中的所述暴露部分具有比所述第一长度短的第二长度，且 其中所述多个群组进一步包括相邻于沿着所述边缘的所述第二群组的第三群组，使得所述第二群组置于所述第三群组与所述第一群组之间，所述第三群组中的所述暴露部分具有比所述第二长度短的第三长度。7.根据权利要求6所述的封装，其中所述第三群组紧邻于所述囊封物的所述底部的隅角，且其中所述第一群组处于约所述边缘的中间部分。8.根据权利要求7所述的封装，其中所述第二群组和第三群组的各者被分成子群组以将所述第一群组置于其间，使得所述暴露部分沿着所述边缘形成对称样式。9.根据权利要求2所述的封装，其中沿着所述囊封物的所述底部表面的所述边缘的另一者定位的至少一个暴露分具有不同于沿着所...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵映，
申请(专利权)人：美国亚德诺半导体公司，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。