【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总地涉及半导体存储器件。
技术介绍
半导体集成电路芯片(例如便携式闪存卡)已普遍用于数据存储。这些设备的使用者总期望数据存储容量能不断增长，并且制造者力求以低成本方式提供较大的存储容量，同时保持标准的封装尺寸，以确保与现有电子器件的兼容性。已知通过在单个封装中堆叠多个半导体裸片(所谓的“多芯片封装”，MCP)能提高单个封装中的存储密度。相对于单个裸片(die)，裸片数量的增多会相应地提高存储容量。参见图1，MCP 100由四个NAND闪存裸片102构成。应理解，该方法可等同应用到其他类型的存储设备中。每个裸片102具有焊盘104，该焊盘104经焊线106电连接至共同的基底108。尽管所示的裸片102在其相对的两侧均具有焊盘，但是应理解，每个裸片102可替代地具有不同布置方式的焊盘104，例如可以布置在单侧上，或布置在相邻的两侧上，或任一其他布置方式。基底108在其相对一侧上提供其他从焊线106到焊料球110的电连接，从而形成用于连接至外部设备(未示出)的球栅阵列(BGA)。插入物112位于每对相邻的裸片102之间，以在二者之间提供足够的间隙以允许焊线1...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.18 US 61/3151111.一种半导体器件，包括: 大体平坦的基底； 安装在所述基底上的多个被堆叠的半导体裸片；所述多个裸片中的每个裸片具有相似的尺寸；每个裸片具有沿该裸片的第一焊边布置的第一多个焊盘，所述多个裸片包括: 安装至所述基底的第一组裸片，其中每个裸片的所述第一焊边在第一方向上取向；和安装至所述基底的第二组裸片，其中每个裸片的所述第一焊边在与所述第一方向相反的第二方向上取向； 所述多个裸片中的每个裸片相对于所述多个裸片中的剩余裸片在所述第二方向上横向偏移一段各自的横向偏移距离，使得在垂直于所述基底的方向上，每个裸片的焊盘不被放置在所述基底与所述剩余裸片的任一部分之间；和将焊盘连接至所述基底的多个焊线。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中: 所述多个半导体裸片还包括: 安装至所述基底的第三组裸片，其中每个裸片的所述第一焊边在不同于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上取向；和 安装至所述基底的第四组裸片，其中所述第一焊边在与所述第三方向相反的第四方向上取向； 所述第三方向和所述第四方向中的每一个相对于所述第一方向和所述第二方向呈90度取向。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个裸片以交替取向被安装在所述基底上，使得每一对相邻裸片包括所述第一组中的一个裸片和所述第二组中的一个裸片。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中: 每个裸片还包括沿第二焊边布置的第二多个焊盘。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中: 所述第一方向与所述第二方向相反； 所述第一组裸片中每个裸片的所述第二焊边在不同于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上取向；和 所述第二组裸片中每个裸片的所述第二焊边在与所述第三方向相反的第四方向上取向。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中: 所述第一组裸片包括m个裸片； 所述第二组裸片包括n个裸片； 所述第一组裸片的第一个裸片为最接近所述基底的裸片； 所述第一组裸片的从所述基底起的第i个裸片的横向偏移距离A ,是:A i=(1-l) d ;和 所述第二组裸片的从所述基底起的第j个裸片的横向偏移距离^是:Af [m+(n-j)]d ； 其中d为预定距离。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中d为每个裸片的所述第一多个焊盘在所述第二方向上的横向宽度。8.一种制造半导体器件的方法，包括: 提供具有多个电连接的基底； 安装第一组裸片中的第一半导体裸片至所述基底，使得沿该第一裸片的第一焊边布置的第一多个焊盘在第一方向上取向； 安装所述第一组半导体裸片中的剩余裸片至所述基底，使得: 沿所述第一组裸片的每个裸片的第一焊边布置的第一多个焊盘在所述第一方向上取向；...
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