半导体器件及其制造方法技术

在半导体器件具有的平面形状是比模片焊盘的外形尺寸小的四角形的芯片搭载区的四个角部，分别形成沟部(沟)。各沟部沿与连接配置沟部的角部的对角线相交叉的方向形成，其两端延伸到芯片搭载区的外侧。通过模片键合材料把半导体芯片搭载到该芯片搭载区。由此，可以抑制把半导体器件安装到安装衬底上时的重流工序中的模片键合材料的剥离。另外，即使假如发生了剥离时，也可以抑制剥离的发展。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件及其制造技术，尤其涉及把半导体芯片搭载到外形尺寸比半导体芯片大的芯片搭载部上的半导体器件的有效技术。
技术介绍
在日本特开2009-71154号公报(专利文献I)的图2中记载了从密封体露出搭载有半导体芯片的芯片搭载部的半导体器件。另外，在专利文献I中，芯片搭载部的外形尺寸比半导体芯片的外形尺寸大。另外，在日本特开2007-134394号公报(专利文献2)的图8(a)中记载了把半导体芯片搭载到在上表面(表面)形成了沟的芯片搭载部上的半导体器件。 <专利文献1>日本特开2009-71154号公报<专利文献2>日本特开2007-134394号公报
技术实现思路
(专利技术要解决的问题)伴随着电子设备的高速化(或高功能化)，被搭载的半导体器件的发热量有增加的倾向。于是，本专利技术人分析了像上述专利文献I的图2所示的那样的、从密封体露出搭载有半导体芯片的芯片搭载部(模片焊盘(die pad，裸片焊盘)、接片(tab))的结构。如果是这样的结构，则由于可以把芯片搭载部的下表面(背面)与安装衬底连接，所以与用密封体覆盖芯片搭载部的结构相比可以提高散热性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：藤泽敦，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：
国别省市：