本发明专利技术涉及半导体装置、显示装置和包括该半导体装置的电子设备。所述半导体装置包括：一条或多条第一布线，其沿第一方向延伸，并具有主布线部和分歧布线部；一条或多条第二布线，其具有沿第二方向延伸的主干布线部和沿第一方向延伸的多个分支布线部；一个或多个晶体管，各个晶体管沿第二方向被分割形成为多个部分，多个分支布线部各自用作一个或多个晶体管的栅极，一个或多个晶体管具有形成在主布线部内和分支布线部内的源极区域以及具有形成在多个分支布线部之间的漏极区域；及一条或多条第三布线，其沿第二方向延伸，并与一个或多个晶体管的漏极区域电连接。根据本发明专利技术，能够在抑制电路特性劣化的同时节省空间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有包括晶体管的预定电路的半导体装置、显示装置和包括该半导体装置的电子设备。
技术介绍
在相关技术中，采用诸如液晶元件和有机EL (电致发光)元件等各类显示元件的 显示装置得到发展。此类显示装置通常具有布置在框架区域(即，非显示区域)的周边电路，该框架区域位于显示区域(即，有效显示区域，其具有多个像素)的外缘(外周)。上述周边电路包括用于驱动多个像素等的驱动电路(半导体装置)。例如，驱动电路包括用于顺序驱动多个像素的扫描线驱动电路(垂直驱动电路)和用于向作为驱动对象的像素提供视频信号的信号线驱动电路(水平驱动电路)。垂直驱动电路通常是通过采用多个缓冲电路等形成的(例如，参见日本第No. 2009-169043号专利申请)。近年来存在如下趋势期望显示装置具有更窄的框架(期望减小框架区域的面积)。然而，当简单地减小周边电路(半导体装置)中的布线宽度等时，周边电路的电路特性(工作特性)等劣化。于是，降低了显示图像质量(例如，出现闪烁现象)。因此，期望提出一种在抑制特性劣化的同时节省空间(节省面积)的方法。
技术实现思路
在考虑到上述问题的情况下提出了本专利技术。期望提供在抑制特性劣化的同时能够节省空间的半导体装置、显示装置和电子设备。本专利技术的一个实施例的半导体装置包括一条或多条第一布线，其在基板上沿第一方向延伸，并具有主布线部和分歧布线部，所述主布线部和所述分歧布线部布置成彼此分尚;一条或多条第二布线，其具有主干布线部和多个分支布线部，所述主干布线部在所述基板上沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述多个分支布线部在所述主布线部与所述分歧布线部之间的间隙区域内沿所述第一方向延伸；一个或多个晶体管，各个所述晶体管沿所述第二方向被分割形成为多个部分，所述多个分支布线部各自用作所述一个或多个晶体管的栅极，所述一个或多个晶体管具有形成在所述主布线部内和所述分支布线部内的源极区域以及具有形成在所述多个分支布线部之间的漏极区域；及一条或多条第三布线，其沿所述第二方向延伸，并与所述一个或多个晶体管的所述漏极区域电连接。本专利技术的另一实施例的显示装置包括显示部；及用于驱动所述显示部的驱动部，其包括本专利技术上述实施例的所述半导体装置。本专利技术又一实施例的电子装置，其包括本专利技术上述实施例的所述显示装置。在本专利技术的上述实施例的半导体装置、显示装置和电子设备中，沿第一方向延伸的第一布线包括主布线部和分歧布线部。晶体管的源极区域形成在主布线部内和分歧布线部内。此外，第二布线包括沿第二方向延伸的主干布线部和沿第一方向延伸的多个分支布线部。晶体管的漏极区域形成在多个分支布线部之间。此外，沿第二方向延伸的第三布线与晶体管的漏极区域电连接。晶体管沿第二方向被分割形成为多个部分。上述多个分支布线部各自以分离的方式用作各晶体管的栅极。因此，栅极沿第一方向延伸(沿第一方向布置)的晶体管沿不同于第一方向的第二方向被分割形成为多个部分，且彼此分离地布置的主布线部和分歧布线部包括晶体管的源极区域。由此，在确保第一布线的布线宽度(主布线部和分歧布线部的沿第二方向的布线宽度)的同时提高了半导体装置的在第二方向上的布置效率(减小了沿第二方向的布置宽度)。根据本专利技术的上述实施例的半导体装置、显示装置和电子设备，由于设置了第一 至第三布线和晶体管，因此能够在确保第一布线的沿第二方向的布线宽度的同时提高了半导体装置的在第二方向上的整体布置效率。因此能够在抑制特性劣化(例如，显示图像质量的劣化)的同时节省空间。附图说明图IA和图IB分别表示设置有触摸传感器的显示装置的操作原理和手指不与触摸传感器接触时的状态；图2A和图2B分别表示设置有触摸传感器的显示装置的操作原理和手指与触摸传感器接触时的状态；图3A和图3B表示设置有触摸传感器的显示装置的操作原理和触摸传感器的驱动信号和检测信号的波形的示例；图4是本专利技术第一实施例的包括半导体装置的显示装置(设置有触摸传感器的显示装置)的示意性剖面图；图5是图4所示的显示装置的主要部分(公共电极和传感器检测电极)的一种结构示例的立体图；图6是表示图4所示的显示装置中的像素结构和驱动器的具体结构的示例的框图；图7是表示图4所示的显示装置中的像素结构和驱动器的具体结构的另一示例的框图；图8是表示图6或图7所示的缓冲电路(半导体装置)的示例的电路图；图9是图8所示的缓冲电路所产生的公共驱动信号的示例的时序波形图；图10是第一实施例的缓冲电路的布置结构的示例的示意性平面图；图11是表示沿图10所示的II-II线的剖面结构的示例的示意图；图12是表示图4所示的显示装置中的检测电路的示例的电路图；图13是比较例的缓冲电路的布置结构的示例的示意性平面图；图14是第二实施例的缓冲电路的布置结构的示例的示意性平面图；图15是第一变形例的缓冲电路的布置结构的示例的示意性平面图16是第一变形例的缓冲电路的布置结构的另一示例的示意性平面图；图17是第二变形例的反相器电路(半导体装置)的布置结构的示例的示意性平面图；图18是第二变形例的反相器电路的布置结构的另一示例的示意性平面图；图19是上述各实施例等的显示装置的第一应用示例的从正面观察时的外观的立体图；图20A是第二应用示例的从正面观察时外观的立体图，及图20B是第二应用示例的从背面观察时外观的立体图；图21是第三应用示例的外观的立体图； 图22是第四应用示例的外观的立体图；图23A是第五应用示例的打开状态的主视图，图23B是其侧视图，图23C是关闭状态的主视图，图23D是左视图，图23E是右视图，图23F是俯视图，及图23G是仰视图。具体实施例方式以下将参照附图来说明本专利技术的实施例。另外，将以下述顺序进行说明。I.设置有触摸传感器的显示装置中的触摸检测系统的基本原理2.第一实施例(被分割形成为偶数个部分的晶体管的示例)3.第二实施例(被分割形成为奇数个部分的晶体管的示例)4.第一和第二实施例的变形例第一变形例(在部分电源线布线中设置通孔的示例)第二变形例(用于替代缓冲电路的反相器电路的应用示例)5.应用示例(显示装置在电子设备中的应用示例)6.其他变形例I.具有触摸传感器的显示装置中触摸检测系统的基本原理首先参照图IA至图3B说明下述实施例等的显示装置(设置有触摸传感器的显示装置)中的触摸检测系统的基本原理。触摸检测系统实施为电容型触摸传感器。如图IA所示，例如，通过采用一对电极(驱动电极El和检测电极E2)来形成电容元件，上述一对电极布置成隔着电介质Di彼此相对。图IB示出了该结构的等效电路。驱动电极E1、检测电极E2和介质Di形成电容元件Cl。电容元件Cl的一个端子与交流信号源(驱动信号源)Sac相连接。电容元件Cl的另一个端子通过电阻R接地并与电压检测器(检测电路)DET相连接。当从交流信号源Sac向驱动电极El (电容元件Cl的一个端子)提供预定频率(例如，几kHz至十几kHz)的交流矩形波Sg (图3B)时，在检测电极E2(电容元件Cl的另一个端子P)处出现图3A所示的输出波形(检测信号Vdet)。另外，该交流矩形波Sg对应于下述公共驱动信号V_。如图IA和图IB所示，在手指不与检测电极E2相接触(或相接近)的状态下，与电容元件Cl的电容值相对应的电流IO随着电容元件Cl的充电和本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：一条或多条第一布线，其在基板上沿第一方向延伸，并具有主布线部和分歧布线部，所述主布线部和所述分歧布线部布置成彼此分离；一条或多条第二布线，其具有主干布线部和多个分支布线部，所述主干布线部在所述基板上沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述多个分支布线部在所述主布线部与所述分歧布线部之间的间隙区域内沿所述第一方向延伸；一个或多个晶体管，各个所述晶体管沿所述第二方向被分割形成为多个部分，所述多个分支布线部各自用作所述一个或多个晶体管的栅极，所述一个或多个晶体管具有形成在所述主布线部内和所述分支布线部内的源极区域以及具有形成在所述多个分支布线部之间的漏极区域；及一条或多条第三布线，其沿所述第二方向延伸，并与所述一个或多个晶体管的所述漏极区域电连接。
【技术特征摘要】
2011.04.27 JP 2011-0993451.一种半导体装置，其包括 一条或多条第一布线，其在基板上沿第一方向延伸，并具有主布线部和分歧布线部，所述主布线部和所述分歧布线部布置成彼此分离； 一条或多条第二布线，其具有主干布线部和多个分支布线部，所述主干布线部在所述基板上沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述多个分支布线部在所述主布线部与所述分歧布线部之间的间隙区域内沿所述第一方向延伸； 一个或多个晶体管，各个所述晶体管沿所述第二方向被分割形成为多个部分，所述多个分支布线部各自用作所述ー个或多个晶体管的栅极，所述ー个或多个晶体管具有形成在所述主布线部内和所述分支布线部内的源极区域以及具有形成在所述多个分支布线部之间的漏极区域；及 一条或多条第三布线，其沿所述第二方向延伸，并与所述ー个或多个晶体管的所述漏极区域电连接。2.如权利要求I所述的半导体装置，其中，所述ー个或多个晶体管均被分割形成为偶数个部分。3.如权利要求I所述的半导体装置，其中，所述ー个或多个晶体管均被分割形成为奇数个部分。4.如权利要求I所述的半导体装置，其中，两条所述第一布线、两条所述第二布线、四个所述晶体管和一条所述第三布线形成一个作为単元电路的缓冲电路。5.如权利要求I所述的半导体装置，其中，一条所述第一布线、两条所述第二布线、两个所述晶体管和一条所述第三布线形成一个作为単元电路的反相器电路。6.如权利要求4或5所述的半导体装置，其中， 所述第一布线是电源线，所述第二布线是控制信号线，所述第三布线是输出信号线，且 所述第一布线、所述第二布线和所述第三布线分别形成在彼此不同的层中。7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，多个所述単元电路沿所述第一方向布置。8.如权利要求7所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：曽我部光史，村濑正树，水桥比吕志，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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