半导体装置和显示装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及半导体装置和显示装置，其目的在于提供在施加诸如弯曲等的外力而产生应力的情况下也降低晶体管等的损伤的半导体装置。本专利技术的半导体装置包括：设置在具有挠性的衬底上的第一岛状加强膜；在第一岛状加强膜上具有沟道形成区域和杂质区域的半导体膜；在沟道形成区域的上方隔着栅极绝缘膜而设置的第一导电膜；以覆盖第一导电膜及栅极绝缘膜的方式设置的第二岛状加强膜。【专利说明】半导体装置和显示装置本申请是申请日为“2008年12月2日”、申请号为“200810183805.9”、题为“半导体装置”的分案申请。
本专利技术涉及半导体装置，而且特别涉及即使在施加外力的情况下也控制使设置于半导体装置的晶体管等的元件受到损伤的半导体装置。
技术介绍
近年来，在塑料等具有挠性的衬底上设置由晶体管等构成的集成电路的技术已引起关注。在具有挠性的衬底上设置集成电路而形成的半导体装置与使用诸如半导体衬底或玻璃衬底等的衬底的情况相比可以实现轻量化、低成本等。因为具有挠性的半导体装置可以弯曲等，所以被应用到各种领域和地方。日本专利第4015002号日本专利申请公开2006-2...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：具有挠性的衬底上的第一岛状膜，在所述第一岛状膜和所述衬底之间夹有第一绝缘膜；所述第一岛状膜上的半导体膜；所述半导体膜上的栅电极，在所述半导体膜和所述栅电极之间夹有栅极绝缘膜；以及所述栅电极上的第二岛状膜，所述第二岛状膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜上的导电膜，其中，所述半导体膜的整个区域与所述第一岛状膜重叠，其中，所述第二岛状膜与所述栅电极重叠，其中，在所述第二绝缘膜中设置有开口部，且其中，所述导电膜通过所述开口部电连接于所述半导体膜。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，后藤裕吾，村川努，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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