半导体元件结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件结构及其制造方法。半导体元件结构包括栅电极、介电层、有源层、源极、漏极与保护层。有源层与栅电极位在介电层的相反侧上。源极配置在有源层上。漏极配置在有源层上。保护层配置于有源层上。保护层具有氢含量小于或等于0.1at%，并且薄膜片电阻大于或等于10^10Ohm/sq。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种。半导体元件结构包括栅电极、介电层、有源层、源极、漏极与保护层。有源层与栅电极位在介电层的相反侧上。源极配置在有源层上。漏极配置在有源层上。保护层配置于有源层上。保护层具有氢含量小于或等于0.1at%，并且薄膜片电阻大于或等于10^10Ohm/sq。【专利说明】
本专利技术涉及氧化物，特别是涉及具有通道保护层或半导体蚀刻阻障层的。
技术介绍
目前氧化物晶体管元件具有优异的元件特性、极佳的均匀性以及适用于大面积且低温制作工艺的特性，使得目前各个厂商纷纷投入该领域的研发。然而，氧化物晶体管虽然具有优异的元件特性，但受到材料系统容易受到外界环境以及制作工艺手法所影响的限制，仍需要发展增进元件特性及稳定性的结构及制作工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供氧化物。半导体元件或阵列结构具有稳定、优异的电性与操作效能。为达上述目的，根据本专利技术的一方面，提供一种半导体元件结构。半导体元件结构包括栅电极、介电层、有源层、源极、漏极与保护层。有源层与栅电极位在介电层的相反侧上。源极配置于在有源层上。漏极配置于在有源层上。保护层配置于有源层上。保护层具有氢本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件结构，包括：栅电极；介电层；有源层，其中该有源层与该栅电极位在该介电层的相反侧上；源极，配置于该有源层上；漏极，配置于该有源层上；以及保护层，配置于该有源层上，其中该保护层具有氢含量小于或等于0.1at%，并且薄膜片电阻大于或等于10^10Ohm/sq。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：颜精一，洪楚茵，陈良湘，姚晓强，蔡武卫，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71