一种铟锡锌氧化物同质薄膜晶体管及其制备方法技术

一种铟锡锌氧化物同质薄膜晶体管，及薄膜晶体管及其制备方法，包括衬底、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；其特征在于所述沟道层、源极和漏极材料均为铟锡锌氧化物，所述的铟锡锌氧化物是由氧化铟（In2O3）、氧化锡（SnO2）和氧化锌（ZnO）粉末球磨并混合均匀，再经过成型、烧结等工艺制成铟锡锌氧化物陶瓷靶材，铟锡锌氧化物陶瓷靶材中铟、锡、锌的原子个数比a:b:c=35-88：8-35：2-25；利用磁控溅射法将铟锡锌氧化物陶瓷靶材沉积成薄膜。本发明专利技术制备工艺简单，适合工业化生产，非晶电极表面平整度好，与沟道层界面接触更好，载流子注入更容易，迁移率高、开关比高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种铟锡锌氧化物同质薄膜晶体管，及薄膜晶体管及其制备方法，包括衬底、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；其特征在于所述沟道层、源极和漏极材料均为铟锡锌氧化物，所述的铟锡锌氧化物是由氧化铟（In2O3）、氧化锡（SnO2）和氧化锌（ZnO）粉末球磨并混合均匀，再经过成型、烧结等工艺制成铟锡锌氧化物陶瓷靶材，铟锡锌氧化物陶瓷靶材中铟、锡、锌的原子个数比a:b:c=35-88：8-35：2-25；利用磁控溅射法将铟锡锌氧化物陶瓷靶材沉积成薄膜。本专利技术制备工艺简单，适合工业化生产，非晶电极表面平整度好，与沟道层界面接触更好，载流子注入更容易，迁移率高、开关比高。【专利说明】
本专利技术涉及薄膜晶体管及其制备方法，详细讲是一种制备工艺简单，载流子注入更容易，迁移率高、开关比高的铟锡锌氧化物同质薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
21世纪以来，平板显示技术产业得到飞速发展。平板显示的核心元件是薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)。TFT是一种场效应半导体器件，包括半导体沟道层、绝缘层、栅极和源漏电极、衬底等部分。沟道层是载流子传输的通道，是影响T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铟锡锌氧化物同质薄膜晶体管，包括衬底、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；其特征在于所述沟道层、源极和漏极材料均为铟锡锌氧化物，所述的铟锡锌氧化物是由氧化铟（In2O3）、氧化锡（SnO2）和氧化锌（ZnO）粉末球磨并混合均匀，再经过成型、烧结等工艺制成铟锡锌氧化物陶瓷靶材，铟锡锌氧化物陶瓷靶材中铟、锡、锌的原子个数比a:b:c=35‑88：8‑35：2‑25；利用磁控溅射法将铟锡锌氧化物陶瓷靶材沉积成薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨田林，李延辉，宋淑梅，辛艳青，王昆仑，童杨，王雪霞，
申请(专利权)人：山东大学威海，
类型：发明
国别省市：山东;37