一种有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种有机电致发光器件，包括阳极、功能层、发光层和阴极，其特征在于，所述阳极为修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层的物质为如式(1)所示的化合物，式中，n＝4、6、8或10。修饰层的存在使阳极表面功函得到了提高。

Organic electroluminescent device

The embodiment of the invention discloses an organic electroluminescent device includes an anode, a light-emitting layer and function layer, which is characterized in that the cathode, the anode for modified indium tin oxide anode, the modified indium tin oxide anode comprises indium tin oxide anode and modified layer, wherein the indium tin oxide anode comprises a glass substrate and set up in the indium tin oxide film and the surface of the glass substrate, the modified surface layer in the indium tin oxide film, the modified layer of material for the formula (1) compounds, as shown in the formula, n = 4, 6, 8 or 10. The anode surface work function is improved by the presence of the modified layer.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法和有机电致发光器件。
技术介绍
目前，在有机半导体行业中，有机电致发光器件(OLED)具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。在有机电致发光器件的结构中，阳极作为器件结构的一个重要部分，承担着载流子注入和电路连接的作用，而同时载流子的注入又与电极同有机材料之间的界面势垒有关。阳极一般都是承担空穴注入的作用，通常采用的导电氧化物薄膜如氧化铟锡(ITO)等，其功函只有4.7eV，而采用的有机空穴传输材料，其HOMO能级通常在5.1V左右，这样导致空穴注入需要克服较大的势垒，从而导致空穴注入效率不高。目前通常使用氧等离子处理的方法，提高ITO表面的氧含量，并降低Sn/In比，从而达到提高功函的目的，因此获得较高的空穴注入效率。但该方法需要用到等离子处理设备，对设备的要求比较高。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术旨在提供一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法，修饰氧化铟锡阳极包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述修饰层为乙二胺与全氟脂肪酸反应形成的一层自组装薄膜，该薄膜提高了阳极表面功函，从而使该阳极在应用中可大大提高空穴的注入效率，提高器件发光效率。本专利技术还提供了包含上述修饰氧化铟锡阳极的有机电致发光器件。第一方面，本专利技术提供了一种修饰氧化铟锡阳极，包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，其特征在于，所述修饰层的物质为如式(1)所示的化合物，式中，n＝4、6、8或10。优选地，所述修饰层为如式(1)所示的化合物形成的一层单分子薄膜。优选地，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70～200nm。第二方面，本专利技术提供了一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法，包括以下步骤：提供洁净的氧化铟锡阳极，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜；将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为0.01～2mol/L的乙二胺溶液中，浸入2～10分钟后，取出，干燥；随后，将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为2～10mmol/L的全氟脂肪酸溶液中，浸泡5～20分钟后，取出，氮气吹干，即得修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极的氧化铟锡薄膜表面具有修饰层，所述修饰层的物质为乙二胺与全氟脂肪酸反应形成的如式(1)所示的化合物，式中，n＝4、6、8或10；所述全氟脂肪酸的通式为CF3(CF2)n-COOH，其中，n＝4、6、8或10。具体地，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和溅射在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜。采用如下方式制备：提供洁净的玻璃基板，采用磁控溅射法在所述玻璃基板上溅射制备氧化铟锡薄膜。所述玻璃基板为市售普通玻璃。优选地，所述玻璃基板的清洗操作具体为：依次采用洗洁精、去离子水、异丙醇和丙酮分别进行超声清洗20分钟，然后氮气吹干。优选地，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70～200nm。随后还可对制备好的氧化铟锡阳极进行臭氧化处理，以提高氧化铟锡薄膜表面能。接着将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为0.01～2mol/L的乙二胺溶液中，浸入2～10分钟后，取出，干燥。优选地，所述乙二胺溶液的浓度为0.1～1mol/L。优选地，所述乙二胺溶液的溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇或正丁醇。所述干燥的具体方式不做特殊限制。优选地，所述干燥操作为：在50～80℃真空干燥12～24小时。干燥后，将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为2～10mmol/L的全氟脂肪酸溶液中，浸泡5～20分钟后，取出，氮气吹干，即得修饰氧化铟锡阳极。优选地，所述全氟脂肪酸溶液的溶剂为十一烷、十二烷、十四烷或十六烷。由于氧化铟锡阳极浸入乙二胺溶液后，其氧化铟锡薄膜ITO表面吸附有大量的乙二胺分子，当再将其浸入全氟脂肪酸溶液中时，这些乙二胺分子将与全氟脂肪酸反应，充分自组装后在ITO表面形成一层稳定的自组装薄膜。具体地，乙二胺的氨基基团与脂肪酸的羧基进行化学反应，CF3(CF2)n-COOH分子中的羧基脱去羟基基团，同时乙二胺中的氨基脱去一个氢，最终反应形成如式(1)所示的化合物。反应过程中，由于乙二胺预先吸附在ITO薄膜的表面，由于长链脂肪酸的体积限制，使脂肪酸只能与ITO表面最上层的乙二胺反应，因此只能形成一个单分子薄膜层。本专利技术提供的处理方法，由于在ITO表面形成了一个单分子薄膜层，该薄膜作为修饰层形成在ITO表面，由于含有强吸电子的含氟基团，从而使该薄膜在ITO界面形成一个偶极层，从而能够提高阳极的表面功函，降低空穴注入所需要克服的势垒，提高空穴注入效率。所述修饰氧化铟锡阳极应当进行妥善保存，保存环境为真空环境＜10-3pa或者保存在N2手套箱中。第三方面，本专利技术提供了一种有机电致发光器件，包括阳极、功能层、发光层和阴极，所述阳极包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层的物质为如式(1)所示的化合物，式中，n＝4、6、8或10。优选地，所述修饰层为如式(1)所示的化合物形成的一层单分子薄膜。优选地，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70～200nm。其中，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。当所述功能层为多层时，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极按顺序依次设置在修饰氧化铟锡阳极的ITO薄膜表面。所述空穴注入层的材质可以为酞菁锌(ZnPc)，酞菁铜(CuPc)，酞菁氧钒(VOPc)，酞菁氧钛(TiOPc)，酞菁铂(PtPc)或4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。空穴注入层的厚度为10～40nm。所述空穴传输层的空穴传输材料可以为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)，N，N，N′，N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)；2，7-双(N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9，9-螺二芴(MeO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括阳极、功能层、发光层和阴极，其特征在于，所述阳极为修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层的物质为如式(1)所示的化合物，式中，n＝4、6、8或10。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，包括阳极、功能层、发光层和阴极，其特征在
于，所述阳极为修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极包括氧化铟锡阳极
和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化
铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层的物质为如
式(1)所示的化合物，
式中，n＝4、6、8或10。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述修饰层为如
式(1)所示的化合物形成的一层单分子薄膜。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化铟锡薄
膜的厚度为70～200nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述功能层包括
空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。
5.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，当所述功能层为
多层时，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和
阴极按顺序依次设置在修饰氧化铟锡阳极的ITO薄膜表面。
6.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层
的材质可以为酞菁锌(ZnPc)，酞菁铜(CuPc)，酞菁氧钒(VOPc)，酞菁氧钛
(TiOPc)，酞菁铂(PtPc)或4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺

\t(m-MTDATA)。空穴注入层的厚度为10～40nm。
7.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层
的空穴传输材料可以为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，N，N...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：林振坤，
类型：发明
国别省市：福建;35