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本发明公开一种半导体元件结构及其制造方法。半导体元件结构包括栅电极、介电层、有源层、源极、漏极与保护层。有源层与栅电极位在介电层的相反侧上。源极配置在有源层上。漏极配置在有源层上。保护层配置于有源层上。保护层具有氢含量小于或等于0.1at%...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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