半导体装置和电子设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置包括：第一内部引线；第二内部引线，其与所述第一内部引线分开设置；以及电子元件，其桥接于所述第一内部引线和所述第二内部引线；其中，所述第一内部引线和所述第二内部引线中的至少一者具有至少一个折弯结构，并且，所述第一内部引线、所述第二内部引线、以及所述至少一个折弯结构均位于第一平面，并且，所述电子元件不位于所述至少一个折弯结构上。根据本实用新型专利技术实施例，能够缓和电子元件与内部引线的连接部位的应力，提高电子元件的稳固性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的电子设备。
技术介绍
半导体装置被广泛应用于电子设备中。图1示出了现有技术中半导体装置的一个内部结构示意图，如图1所示，该半导体装置10包括电子元件1、第一内部引线2和第二内部引线3。其中，该第一内部引线2和该第二内部引线3分别沿直线延伸，且二者分开设置，电子元件1通过接合材料被桥接于第一内部引线2和第二内部引线3。此外，在专利文献1(JP特开2014-195039A)和专利文献2(JP特开2013-51357A)中，均记载了将电子元件桥接在一对内部引线上的技术方案。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
但是，专利技术人发现：在图1所示的半导体装置中，在内部引线2、3较长的情况下，内部引线2、3所传递的振动变大，并且内部引线2、3的热形变量也增大，由此，电子元件1与内部引线2、3的连接部位的应力增大，增加了电子元件1脱落的风险。本技术实施例提供一种半导体装置和电子设备，通过使内部引线具有折弯结构来缓和电子元件与内部引线的连接部位的应力，提高电子元件的稳固性。根据本技术实施例的第一方面，提供一种半导体装置，该半导体装置包括：第一内部引线；第二内部引线，其与所述第一内部引线分开设置；以及电子元件，其桥接于所述第一内部引线和所述第二内部引线；其中，所述第一内部引线和所述第二内部引线中的至少一者具有至少一个折弯结构，并且，所述第一内部引线、所述第二内部引线、以及所述至少一个折弯结构均位于第一平面，并且，所述电子元件不位于所述至少一个折弯结构上。根据本技术实施例的第二方面，其中，所述折弯结构的折弯角度为直角、钝角、或锐角。根据本技术实施例的第三方面，其中，所述第一内部引线具有1个或2个以上折弯结构，并且，所述第二内部引线具有1个或2个以上折弯结构。根据本技术实施例的第四方面，其中，所述第一内部引线的各折弯结构与所述第二内部引线的各折弯结构朝相同的方向弯折或对称弯折。根据本技术实施例的第五方面，其中，所述电子元件为片式电容器。根据本技术实施例的第六方面，其中，所述电子元件通过导电性接合材料与所述第一内部引线和所述第二内部引线接合。根据本技术实施例的第七方面，其中，所述电子元件与至少一个所述折弯结构相邻。根据本技术实施例的第八方面，提供一种电子设备，所述电子设备包括如上述实施例的第一方面-第八方面中的任一方面所述的半导体装置。本技术的有益效果在于：内部引线在其所在的平面内具有折弯结构，能够缓和电子元件内部引线的连接部位的应力，并且折弯结构的数量越多，该缓和效果越显著，由此，提高电子元件的稳固性。参照后文的说明和附图，详细公开了本技术的特定实施方式，指明了本技术的原理可以被采用的方式。应该理解，本技术的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本技术的实施方式包括许多改变、修改和等同。针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。附图说明所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是现有技术中半导体装置的一个内部结构示意图；图2是本申请实施例1的半导体装置的一个结构示意图；图3是本申请实施例1的半导体装置的另一个结构示意图；图4是本申请实施例1的半导体装置的另一个结构示意图；图5是本申请实施例1的半导体装置的另一个结构示意图；图6是本申请实施例1的半导体装置的另一个结构示意图；图7是本申请实施例1的半导体装置的另一个结构示意图；图8是本申请实施例1的半导体装置的另一个结构示意图。具体实施方式参照附图，通过下面的说明书，本技术的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本技术的特定实施方式，其表明了其中可以采用本技术的原则的部分实施方式，应了解的是，本技术不限于所描述的实施方式，相反，本技术包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。实施例1本技术实施例1提供一种半导体装置。图2是本申请实施例1的半导体装置的一个结构示意图，如图2所示，该半导体装置200包括第一内部引线201、第二内部引线202、以及电子元件203。其中，第一内部引线201与第二内部引线202分开设置，并且，电子元件203桥接于第一内部引线201和第二内部引线202。在本实施例中，第一内部引线201和第二内部引线202均位于第一平面A，并且，该第一内部引线201和该第二内部引线202中的至少一者在该第一平面A内具有折弯结构204，并且，该电子元件203不位于该折弯结构204上，而是与至少一个折弯结构相邻设置。根据本实施例，折弯结构204能够减小第一内部引线201和/或第二内部引线202所传递的振动振幅以及热形变量，从而缓和电子元件203与第一内部引线201的连接部位2051的应力和/或电子元件203与第二内部引线202的连接部位2052的应力，并且在内部引线201、202越长时，该缓和效果越显著，由此，提高电子元件的稳固性。在本实施例中，可以仅第一内部引线201或第二内部引线具有折弯结构204，或者，第一内部引线201和第二内部引线202可以都具有该折弯结构。图3是本申请实施例1的半导体装置的另一个结构示意图，如图3所示，第一内部引线201和第二内部引线202各具有一个折弯结构2041a(204)、2042a(204)，由此，连接部2051和2052的应力都能够被缓和，进一步提高了电子元件203的稳固性。在本实施例中，第一内部引线201和第二内部引线202各自所具有的折弯结构的数量不限于一个，还可以是2个以上，并且，折弯结构的数量越多，对连接部的应力缓和效果越显著。例如，图4和图5分别示出了不同数量的折弯结构。如图4所示，第一内部引线201可以具有2个折弯结构2041a和2041b，第二内部引线202可以具有2个折弯结构2042a和2042b。如图5所示，第一内部引线201可以具有4个折弯结构2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：第一内部引线；第二内部引线，其与所述第一内部引线分开设置；以及电子元件，其桥接于所述第一内部引线和所述第二内部引线；其特征在于，所述第一内部引线和所述第二内部引线中的至少一者具有至少一个折弯结构，并且，所述第一内部引线、所述第二内部引线、以及所述至少一个折弯结构均位于第一平面，并且，所述电子元件不位于所述至少一个折弯结构上。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
第一内部引线；
第二内部引线，其与所述第一内部引线分开设置；以及
电子元件，其桥接于所述第一内部引线和所述第二内部引线；
其特征在于，
所述第一内部引线和所述第二内部引线中的至少一者具有至少一个折弯结构，并
且，所述第一内部引线、所述第二内部引线、以及所述至少一个折弯结构均位于第一
平面，并且，所述电子元件不位于所述至少一个折弯结构上。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述折弯结构的折弯角度为直角、钝角、或锐角。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一内部引线和所述第二内部引线分别具有1...

【专利技术属性】
技术研发人员：古原健二，大美贺孝，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP