【技术实现步骤摘要】
本申请涉及机电领域，尤其涉及一种微调电路和半导体元件。
技术介绍
1、在半导体装置中，由于制造工序的变动，电路结构的各要素会产生偏差，从而导致电路特性产生偏差。在要求高精度的电路特性的情况下，为了降低偏差，在制造工序的电气特性检查阶段，通过利用大电流切断部分与电阻并联连接的熔断器来进行电阻值的微调。
2、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、专利技术人发现：微调电路在选择切断熔断器时，在解码电路中选择目标的熔断器，但解码电路是通过cmos的逻辑电路进行的。然而在现有技术中，为了提高微调的精度，需要增加在解码电路中进行选择的熔断器的数量，从而导致逻辑电路的规模变大，进而导致半导体集成电路的芯片尺寸变大。
2、针对
技术介绍
指出的问题，本申请实施例提供一种微调电路和半导体元件。
3、根据本申请实施例的第一方面，提供一种微调电路，包括：
4、解码电路，其根据熔断信号和选择信号生成输出信号，所述输出信号用于确定待熔断的熔断器；
5、所述解码电路包括：
6、开关控制电路，其输出开关控制信号；
7、选择电路，其生成所述选择信号，所述选择电路在第一端子处与所述开关控制电路连接并接收所述开关控制信号，所述选择电路通过第二端子输
8、输出电路，其生成所述输出信号，所述输出电路在所述第二端子处于所述选择电路连接并接收所述选择信号；所述输出电路还具有接收所述熔断信号的第三端子，以及向所述熔断器输出生成的所述输出信号的第四端子；
9、其中，所述选择电路具有第一晶体管，其漏极与所述第一端子连接，栅极接收使能控制信号，源极连接串联连接的多个晶体管，所述多个晶体管接收预先设定的时钟信号。
10、根据本申请实施例的第二方面，所述开关控制电路包括两个p型mos管，其中，所述两个p型mos管的源极与稳压电源连接，所述两个p型mos管中的一个的漏极连接所述第一端子，所述两个p型mos管中的另一个连接所述第二端子。
11、根据本申请实施例的第三方面，所述开关控制电路包括两个电阻，其中，所述两个电阻的一端与稳压电源连接，所述两个电阻中的一个的另一端连接所述第一端子，所述两个电阻中的另一个的另一端连接所述第二端子。
12、根据本申请实施例的第四方面，所述多个晶体管的数量为n，其中，n为大于1的整数。
13、根据本申请实施例的第五方面，串联连接的所述多个晶体管还具有接地端。
14、根据本申请实施例的第六方面，所述多个晶体管为n型mos管。
15、根据本申请实施例的第七方面，当所述输出信号为on信号时，则控制所述熔断器熔断，否则控制所述熔断器不熔断。
16、根据本申请实施例的第八方面，提供一种半导体元件，所述半导体元件包括本申请实施例第一方面至第八方面任意一项所述的微调电路。
17、本申请实施例的有益效果之一在于：本申请实施例中的微调电路，通过将mos以串联的结构进行连接，能够减小解码电路的规模，由此，在即使微调的精度要求很高的情况下，也能够防止半导体集成电路的芯片尺寸增大。
18、参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。
19、针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
20、应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
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1.一种微调电路，其特征在于，所述微调电路包括：
2.根据权利要求1所述的微调电路，其特征在于，所述开关控制电路包括两个P型MOS管，其中，所述两个P型MOS管的源极与稳压电源连接，所述两个P型MOS管中的一个的漏极连接所述第一端子，所述两个P型MOS管中的另一个连接所述第二端子。
3.根据权利要求1所述的微调电路，其特征在于，所述开关控制电路包括两个电阻，其中，所述两个电阻的一端与稳压电源连接，所述两个电阻中的一个的另一端连接所述第一端子，所述两个电阻中的另一个的另一端连接所述第二端子。
4.根据权利要求1所述的微调电路，其特征在于，所述多个晶体管的数量为N，其中，N为大于1的整数。
5.根据权利要求1所述的微调电路，其特征在于，串联连接的所述多个晶体管还具有接地端。
6.根据权利要求1所述的微调电路，其特征在于，所述多个晶体管为N型MOS管。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的微调电路，其特征在于，当所述输出信号为ON信号时，则控制所述熔断器熔断，否则控制所述熔断器不熔断。
8.一种半导体
...【技术特征摘要】
1.一种微调电路，其特征在于，所述微调电路包括：
2.根据权利要求1所述的微调电路，其特征在于，所述开关控制电路包括两个p型mos管，其中，所述两个p型mos管的源极与稳压电源连接，所述两个p型mos管中的一个的漏极连接所述第一端子，所述两个p型mos管中的另一个连接所述第二端子。
3.根据权利要求1所述的微调电路，其特征在于，所述开关控制电路包括两个电阻，其中，所述两个电阻的一端与稳压电源连接，所述两个电阻中的一个的另一端连接所述第一端子，所述两个电阻中的另一个的另一端连接所述第二端子。
4....
【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤公一，李殷锡，盐津兴一，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：新型
国别省市：
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