本发明专利技术涉及半导体封装件中垂直配置的集成电路之间的无线通信。公开了用于在集成电路和/或集成电路内的功能模块之间进行无线通信的方法和装置。半导体器件制造工序使用预定序列的感光和/或化学处理步骤来将一个或多个功能模块形成在半导体衬底上。功能模块耦接至形成在半导体衬底上和/或附接至半导体的集成波导以形成集成电路。功能模块通过集成波导利用多路接入传输方案彼此通信以及与其他集成电路通信。一个或多个集成电路可以耦接至集成电路载体以形成多芯片模块。所述多芯片模块可以耦接至半导体封装件以形成封装的集成电路。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及集成电路的功能模块之间的无线通信，具体地，涉及将波导与功能模块结合以利用多路接入传输方案进行无线通信。
技术介绍
半导体器件制造エ序通常用于将集成电路制造在半导体衬底上以形成半导体晶圆。经常将各种半导体晶圆之间的集成电路封装在一起以形成电子设备，诸如移动设备或个人计算设备。这些集成电路经常利用导线和/或迹线彼此互连并利用这些导线和/或迹线相互通信。 通常，导线和/或迹线适用于在使用低数据速率和/或低频率以进行相对短的距离通信时集成电路之间的通信。然而，当数据速率、频率和/或距离增加吋，导线和/或迹线的物理特性可以使集成电路之间的通信劣化。例如，在这些增加的数据速率、频率和/或距离处，导线和/或迹线的不期望的或寄生电容和/或电感会使集成电路之间的通信劣化。电子设计师正在制造新的电子设备，所述新的电子设备包括以增加的数据速率和/或频率并在更长的距离内进行通信的更多集成电路，从而充分利用导线和/或迹线来解决通信问题。因此，需要在更长的距离增加的数据速率和/或频率时使集成电路互连，克服上述缺点。根据以下具体实施方式，本专利技术的其他方面和优点将变得显而易见。
技术实现思路
根据本专利技术的ー个方面，提供了ー种集成电路，包括第一组功能模块，形成在可用制造层的第一配置上；第二组功能模块，形成在可用制造层的第二配置上，可用制造层的所述第一配置耦接至可用制造层的所述第二配置以形成垂直配置；以及导电元件，耦接至可用制造层的第一配置和第二配置，其中，所述集成电路被构造和配置为从具有第二导电元件的第二集成电路偏离，从而使得所述导电元件和所述第二导电元件被构造和配置为形成集成波导。优选地，可用制造层的第一配置和第二配置包括扩散和多晶硅层，形成所述功能模块的部件；以及导电层，形成所述部件之间的互连。优选地，可用制造层的所述第一配置与多个绝缘层集成，以及其中，多个绝缘层中的一个绝缘层耦接至可用制造层的第二配置中的ー个可用制造层以形成所述垂直配置。优选地，可用制造层的第一配置和第二配置使用物理连接耦接在一起。优选地，导电元件的第一部分形成在可用制造层的第一配置中，且导电元件的第二部分形成在可用制造层的第一配置中，所述第一部分耦接至所述第二部分以形成第一导电元件。根据本专利技术的另ー个方面，提供了ー种集成电路，包括第一组功能模块，形成在第一半导体衬底的可用制造层的第一配置上；第二组功能模块，形成在第二半导体衬底的可用制造层的第二配置上，可用制造层的所述第一配置耦接至可用制造层的所述第二配置以形成垂直配置；以及集成波导，耦接至所述垂直配置，被构造为通信耦接所述第一组功能模块和所述第二组功能模块。优选地，集成波导包括第一导电元件，形成在第三半导体衬底的可用制造层的第三配置中的第一可用制造层上；以及第二导电元件，形成在可用制造层的第三配置中的第ニ可用制造层上。优选地，第一导电元件和第二导电元件被构造和配置为分别形成第一平行板和第ニ平行板，以及其中，所述第一平行板和所述第二平行板被构造和配置为形成平行板波导。优选地，第一导电元件和第二导电元件被表征为由空腔区域分开。所述空腔区域为所述第一导电元件和所述第二导电元件之间的不含导电材料的区域。优选地，第一导电元件包括多个相位开ロ部。所述多个相位开ロ部可构造为打开或关闭以对集成波导的运行特征进行动态配置。优选地，第一组功能模块包括波导控制器模块，被构造为控制多个相位开ロ部的每ー个是否打开或关闭。根据本专利技术的又一方面，提供了一种多芯片模块(MCM)，包括第一集成电路，包括第一导电元件；以及第二集成电路，包括第二导电元件，其中，第一集成电路被构造和配置为从第二集成电路偏离，从而使得第一导电元件和第二导电元件被构造和配置为形成集成波导。优选地，第一集成电路包括第一组功能模块，形成在可用制造层的第一配置上；以及第ニ组功能模块，形成在可用层的第二配置上，可用制造层的第一配置耦接至可用制造层的第二配置以形成垂直配置。所述导电元件的第一部分形成在可用制造层的第一配置中，且所述导电元件的第二部分形成在可用制造层的所述第一配置中，所述第一部分耦接至所述第二部分以形成所述第一导电元件。优选地，第一集成电路和第二集成电路被构造为使用多路接入传输方案彼此进行通信或使用集成波导彼此进行通信。附图说明參照附图对本专利技术的实施方式进行描述。在附图中，类似的编号表示相同或功能相似的元件。另外，编号最左边的数字标识编码首次出现的附图。图1示出了根据本专利技术示例性实施方式的半导体晶圆的示意性框图；图2示出了根据本专利技术示例性实施方式的形成在半导体衬底上的集成电路的第ー框图；图3示出了根据本专利技术示例性实施方式的形成在半导体晶圆上的集成电路的第ニ框图； 图4示出了根据本专利技术示例性实施方式的可以实现为集成电路的一部分的功能模块的框图；图5示出了根据本专利技术示例性实施方式的集成电路的第一示例性结构和配置；图6示出了根据本专利技术示例性实施方式的实现为集成电路的第一示例性结构和配置的一部分的第一集成波导；图7示出了根据本专利技术示例性实施方式的可以用于集成波导的第一导电元件；图8示出了根据本专利技术示例性实施方式的可以用于第一集成波导的第二导电元件；图9示出了根据本专利技术示例性实施方式的第一集成波导的发送(transmit)操作模式；图10示出了根据本专利技术示例性实施方式的第一集成波导的接收操作模式；图11示出了根据本专利技术示例性实施方式的集成电路的第二示例性结构和配置；图12示出了根据本专利技术示例性实施方式的实现为集成电路的第二示例性结构和配置的一部分的第二集成波导；图13A示出了根据本专利技术示例性实施方式的可以用于对第二集成波导的运行特征进行动态配置的第一机电设备的第一示例性结构；图13B示出了根据本专利技术示例性实施方式的第一机电设备的第二示例性配置；图14A示出了根据本专利技术示例性实施方式的可以用于对第二集成波导的运行特征进行动态配置的第二机电设备的第一示例性结构；图14B示出了根据本专利技术示例性实施方式的第二机电设备的第二示例性结构；图15示出了根据本专利技术示例性实施方式的集成电路的功能模块的倒装芯片结构；图16示出了根据本专利技术示例性实施方式的实现为集成电路的一部分的集成波导的倒装芯片结构；`图17示出了根据本专利技术示例性实施方式的集成电路的第三示例性结构和配置；图18示出了根据本专利技术示例性实施方式的集成电路的第四示例性结构和配置；图19示出了根据本专利技术示例性实施方式的集成电路的第五示例性结构和配置；图20示出了根据本专利技术示例性实施方式的集成电路的一个或多个功能模块的第一示例性结构和配置；图21示出了根据本专利技术示例性实施方式的集成电路的第六示例性结构和配置；图22示出了根据本专利技术示例性实施方式的集成电路的一个或多个功能模块的第ニ示例性结构和配置；图23示出了根据本专利技术示例性实施方式的集成电路的第七示例性结构和配置；图24示出了根据本专利技术示例性实施方式的示例性多芯片模块(MCM)；图25示出了根据本专利技术示例性实施方式的无线集成电路测试环境的示意性框图；图26示出了根据本专利技术示例性实施方式的在无线集成电路测试环境中实现的无线自动测试设备的示意性框图；图27示出了根据本专利技术示例性实施方式的实现为无线自动测试设备的一部分的接收天线的框图。现在将參照附图对本专利技术的实施方本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种集成电路，包括：第一组功能模块，形成在可用制造层的第一配置上；第二组功能模块，形成在可用制造层的第二配置上，可用制造层的所述第一配置耦接至可用制造层的所述第二配置以形成垂直配置；以及第一导电元件，耦接至可用制造层的所述第一配置和所述第二配置，其中，所述集成电路被构造和配置为从具有第二导电元件的第二集成电路偏离，从而使得所述第一导电元件和所述第二导电元件被构造和配置为形成集成波导。
【技术特征摘要】
2011.09.29 US 13/248,7451.一种集成电路，包括 第一组功能模块，形成在可用制造层的第一配置上； 第二组功能模块，形成在可用制造层的第二配置上，可用制造层的所述第一配置耦接至可用制造层的所述第二配置以形成垂直配置；以及 第一导电元件，耦接至可用制造层的所述第一配置和所述第二配置， 其中，所述集成电路被构造和配置为从具有第二导电元件的第二集成电路偏离，从而使得所述第一导电元件和所述第二导电元件被构造和配置为形成集成波导。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，可用制造层的所述第一配置和所述第二配置包括 扩散和多晶硅层，形成所述第一组功能模块和所述第二组功能模块的部件；以及 导电层，形成所述部件之间的互连。3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，可用制造层的所述第一配置与多个绝缘层交叉，以及 其中，所述多个绝缘层中的一个绝缘层耦接至可用制造层的所述第二配置中的一个可用制造层以形成所述垂直配置。4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，可用制造层的所述第一配置和所述第二配置使用物理连接耦接在一起。5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一导电元件的第一部分形成在可用制造层的所述第一配置中，且所述第一导电元件的第二部分形成在可用制造层的所述第一配置中，所述第一部分耦接至所述第二部分以形成第一导电元件。6.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：热苏斯·阿方索·卡斯坦达，阿里亚·列扎·贝赫扎德，艾哈迈德礼萨·罗福加兰，赵子群，迈克尔·布尔斯，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：发明
国别省市：
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