大功率半导体电路制造技术

本发明专利技术涉及一种大功率半导体电路，该大功率半导体电路包括具有控制端子和第一、第二负载电流端子的大功率半导体开关以及触发电路；其中，在触发电路和控制端子之间电联接与温度相关的控制端子电阻元件；和/或其中，在触发电路和第二负载电流端子之间电联接与温度相关的负载电流端子电阻元件；和/或其中，控制端子通过第一电流支路与第二负载电流端子电连接，其中，与温度相关的控制负载电流端子电阻元件电联接到第一电流支路中。本发明专利技术在大功率半导体开关变热时降低大功率半导体开关的开关损耗。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种大功率半导体电路，其包括具有控制端子(G)和第一、第二负载电流端子(C、E)的大功率半导体开关(T1)以及与所述控制端子(G)和所述第二负载电流端子(E)电连接的触发电路(4)，所述触发电路用于操纵所述大功率半导体开关(T1)，·其中，在所述触发电路(4)和所述控制端子(G)之间电联接控制端子电阻元件(RN1)，其中，所述控制端子电阻元件(RN1)热耦合在所述大功率半导体开关(T1)上，其中，在所述控制端子电阻元件(RN1)的温度为175℃或者300℃时所述控制端子电阻元件(RN1)的欧姆电阻是在所述控制端子电阻元件(RN1)的温度为20℃时所述控制端子电阻元件(RN1)的欧姆电阻的最大90％，和/或·其中，在所述触发电路(4)和第二负载电流端子(E)之间电联接负载电流端子电阻元件(RN2)，其中，所述负载电流端子电阻元件(RN2)热耦合在所述大功率半导体开关(T1)上，其中，在所述负载电流端子电阻元件(RN2)的温度为175℃或者300℃时所述负载电流端子电阻元件(RN2)的欧姆电阻是在所述负载电流端子电阻元件(RN2)的温度为20℃时所述负载电流端子电阻元件(RN2)的欧姆电阻的最大90％，和/或·其中，所述控制端子(G)通过第一电流支路(9)与所述第二负载电流端子(E)电连接，其中，控制负载电流端子电阻元件(RP)电联接到所述第一电流支路(9)中，其中，所述控制负载电流端子电阻元件(RP)热耦合在所述大功率半导体开关(T1)上，其中，在所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的温度为175℃或者300℃时所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的欧姆电阻是在所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的温度为20℃时所述控制负载电流端子电阻元件(RP)的欧姆电阻的最小150％。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：S·比托，R·魏斯，
申请(专利权)人：赛米控电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE