【技术实现步骤摘要】
本专利技术描述了一种功率电子布置，其具有衬底、功率半导体部件和连接装置，其中衬底具有法线方向、电绝缘的衬底层和衬底导体迹线，其中功率半导体部件布置有第一接触面，该第一接触面在第一主侧上布置在衬底导体迹线上并且与衬底导体迹线导电连接，其中功率半导体部件具有周向边沿区域，该周向边沿区域具有周向边缘区域，侧面区域同样在周向上与该周向边缘区域相邻。连接装置还具有屏蔽段。本专利技术还描述了具有这种布置的功率半导体模块。
技术介绍
1、de 10 2011 078 811 b3公开了一种功率电子系统和相关的生产方法，该功率电子系统具有冷却装置，并且包括多个子模块，每个子模块具有：第一平面绝缘体，确切地说是与其材料结合的一个第一导体迹线，确切地说是布置在该导体迹线上的一个电源开关；至少一个内部连接装置，其由至少一个导电膜和至少一个电绝缘膜构成的交替的层序列组成，其中至少一个导电层形成至少一个第二导体迹线，并且具有外部端子元件。在这种情况下，所述子模块布置为以其第一主面被材料结合在冷却装置上，或者以其第一主面通过压配合且彼此间隔开地布置在冷却装置上。至少一个第二导体迹线至少部分地覆盖两个子模块的第一导体迹线，将它们彼此电连接起来，并且覆盖所述子模块之间的中间空间。
2、de 10 2015 116 165 a1公开了用于制造功率电子开关装置的方法。在这种情况下，功率半导体部件被布置在衬底的导体迹线的第一区域上。随后，提供具有凹部的绝缘膜，该绝缘膜的重叠区域(该区域位于这个凹部附近)被构造用以覆盖功率半导体部件的边沿区域。然后，将绝缘
3、这种系统或开关装置的一个经常性缺陷是功率半导体部件的不同电势之间的电绝缘。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种功率电子布置和一种功率半导体模块，其中功率半导体部件和衬底的与其连接的导体迹线或与其连接的连接装置的电势之间的电绝缘得到改善。
2、根据本专利技术，该目的通过一种功率电子布置来实现，其具有衬底、功率半导体部件和连接装置，其中衬底具有法线方向、电绝缘的衬底层和衬底导体迹线，其中功率半导体部件布置有第一接触面，该第一接触面在第一主侧上布置在衬底导体迹线上并且与衬底导体迹线导电连接，其中功率半导体部件具有部件厚度、包括周向边缘区域的周向边沿区域，同样的周向侧面区域与周向边缘区域相邻，其中连接装置具有接触导体迹线，接触导体迹线具有接触段和屏蔽段，其中接触段被导电连接到第二接触面，该第二接触面布置在功率半导体部件的第二主侧上，并且该第二接触面与第一接触面相对，其中屏蔽段不用于导电，其中从边沿区域开始的屏蔽段在侧面区域的法线方向上突出超过侧面区域，并且在此与边缘区域的至少50％重叠，并且其中电绝缘的绝缘层在屏蔽段的面向功率半导体部件的那一侧覆盖屏蔽段。
3、如果从衬底的法线方向看，连接装置具有在接触导体迹线的上方的绝缘层面和在该绝缘层面的上方的连接导体迹线，则可能是有利的，接触导体迹线的接触段借助于贯穿触点通过绝缘层面与连接导体迹线导电连接。在这种情况下，如果绝缘层一直延伸到绝缘层面，或者绝缘层面优选地是在周向方向上与屏蔽段重叠，则可能更有利。
4、如果屏蔽区域在其总长度的至少50％，优选至少80％，特别优选100％上与周向边缘区域重叠，则可能是优选的。
5、如果在第二接触面直接邻近边沿区域的任何位置处，屏蔽区域都与周向边缘区域重叠，可能也是优选的。
6、如果屏蔽段在侧面区域的法线方向上的最小重叠范围是部件厚度的0.5倍，优选2倍，特别优选10倍，则是特别有利的。
7、如果屏蔽区域的最大重叠范围大于或等于最小重叠范围，并且在周向侧面区域的法线方向上是部件厚度的5倍，优选10倍，特别优选25倍，这也是特别有利的。
8、如果绝缘层被构造为优选弹性形成的清漆层，或者被构造为由浇注树脂(特别是热塑性塑料)组成的涂层，或者被构造为膜(特别是塑料膜)，在每种情况下，其优选地是具有大于500kv/m，特别是大于1000kv/m的击穿强度，或者其优选地是具有大于109ω/m，特别是大于1010ω/m的电阻率，则可能是优选的。
9、该目的还通过一种功率半导体模块来实现，该功率半导体模块具有这种功率电子布置和壳体，其中功率电子布置被壳体以框架状方式围封起来。
10、优选地是，功率半导体模块具有多个负载端子装置。同样优选地是，功率半导体模块具有压力装置，所述压力装置用于将压力引入到功率电子布置，以用于在冷却装置上的压配合连接。
11、当然，除非这本身是被排除的或被明确地排除，否则在根据本专利技术的功率电子布置或功率半导体模块中，以单数形式提到的特征，特别是功率半导体部件或衬底导体迹线，也可以以复数形式存在。
12、应当理解，本专利技术的各种构造，无论它们是否在功率电子布置或功率半导体模块的描述的范围内公开，都可以单独实施或以任何期望的组合实施，以便实现改进。特别是是，在不脱离本专利技术的范围的情况下，上文和下文提及和解释的特征不仅可以以所指示的组合使用，还可以以其它组合使用或单独使用。
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1.一种功率电子布置(1)，所述功率电子布置具有衬底(2)、功率半导体部件(3)和连接装置(4)，其中所述衬底(2)具有法线方向(N1)、电绝缘的衬底层(20)和衬底导体迹线(22)，其中所述功率半导体部件(3)布置有第一接触面(32)，所述第一接触面(32)在第一主侧上布置在所述衬底导体迹线(22)上并且与所述衬底导体迹线(22)导电连接，其中所述功率半导体部件(3)具有部件厚度(322)、周向边沿区域(300)，所述周向边沿区域(300)具有周向边缘区域(310)，同样的周向侧面区域(320)与所述周向边缘区域(310)相邻，其中所述连接装置(4)具有接触导体迹线(40)，所述接触导体迹线(40)具有接触段(400)和屏蔽段(410)，其中所述接触段(400)被导电连接到第二接触面(34)，所述第二接触面(34)布置在所述功率半导体部件(3)的第二主侧上，所述第二接触面(34)与所述第一接触面(32)相对，
2.根据权利要求1所述的布置，其中，
3.根据权利要求2所述的布置，其中，
4.根据权利要求1-3中任一项所述的布置，其中，
<...【技术特征摘要】
1.一种功率电子布置(1)，所述功率电子布置具有衬底(2)、功率半导体部件(3)和连接装置(4)，其中所述衬底(2)具有法线方向(n1)、电绝缘的衬底层(20)和衬底导体迹线(22)，其中所述功率半导体部件(3)布置有第一接触面(32)，所述第一接触面(32)在第一主侧上布置在所述衬底导体迹线(22)上并且与所述衬底导体迹线(22)导电连接，其中所述功率半导体部件(3)具有部件厚度(322)、周向边沿区域(300)，所述周向边沿区域(300)具有周向边缘区域(310)，同样的周向侧面区域(320)与所述周向边缘区域(310)相邻，其中所述连接装置(4)具有接触导体迹线(40)，所述接触导体迹线(40)具有接触段(400)和屏蔽段(410)，其中所述接触段(400)被导电连接到第二接触面(34)，所述第二接触面(34)布置在所述功率半导体部件(3)的第二主侧上，所述第二接触面(34)与所述第一接触面(32)相对，
2.根据权利要求1所述的布置，其中，<...
【专利技术属性】
技术研发人员：内德察德·巴基亚，
申请(专利权)人：赛米控电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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