MOS芯片并联均流集成开关及其封装模块制造技术

本实用新型专利技术公开一种MOS芯片并联均流集成开关及其封装模块，包括有并联的多个MOS芯片，各MOS芯片的栅极均串联有可感应对应MOS芯片工作温度的热敏电阻。封装模块的底板上设有漏极焊接部和触发极焊接部，MOS芯片的源极基板与底板电连接且热连接，热敏电阻紧邻对应的MOS芯片与底板热连接，MOS芯片的漏极和漏极接线端子均与漏极焊接部电连接，热敏电阻串联在MOS芯片的源极和触发极焊接部之间，触发极焊接部与触发极接线端子电连接。由多个并联的MOS芯片构成的集成开关可承载更大的电流，实现并联的MOS芯片动态均流。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
MOS芯片并联均流集成开关及其封装模块
[0001 ] 本技术涉及集成电路及其封装模块
。
技术介绍
目前常见的开关管中，一般用快速恢复开关二极管(FRD)、肖特基硅二极管(SBD)等。它们的正向压降约为0.1?1.1V，甚至以上。因此，当电流大时，通态损耗也很大。如果输出电压低于3V，那么在开关变换器的总损耗中，通态损耗达到与FRD或SBD正向压降比较接近的程度。现代高速集成电路的电源电压，降低整流损耗，提高低压输出成为DC/DC变换器效率的关键。低电压功率MOSFET (简称MOS管)的正向压降VF及通态电阻RDS (_很小至毫欧级。因此，在低压大电流输出的DC/DC PWM变换器中，为了提高DC/DC PWM变换器的整流效率，可以用正向导通压降为0.1V的功率MOS管代替整流二极管。但现在使用的功率MOS管通常使用单个芯片封装，单管工作电流一般只能达100A级别的工作电流，每个元件的参数差异大，工作电流不能满足大功率用户的需求。大电流场合中目前使用的都是用多管并联使用，由于单管参数的差异和布线的差异，令到各管工作电流不均衡，而导致MOS管烧毁。而多管并联在生产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS芯片并联均流集成开关，包括有并联的多个MOS芯片，其特征在于：各MOS芯片的栅极均串联有可感应对应MOS芯片工作温度的热敏电阻。

【技术特征摘要】
1.一种MOS芯片并联均流集成开关，包括有并联的多个MOS芯片，其特征在于:各MOS芯片的栅极均串联有可感应对应MOS芯片工作温度的热敏电阻。2.根据权利要求1所述的MOS芯片并联均流集成开关，其特征在于:所述热敏电阻为负温度系数热敏电阻。3.一种根据权利要求1所述的MOS芯片并联均流集成开关封装模块，包括有导电导热底板、注封在底板上用于覆盖集成电路的注封部以及露出注封部与集成电路电连接的接线端子，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：任航，
申请(专利权)人：佛山市杰创科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44