一种并联结构的集成LED芯片及其生产方法技术

技术编号:11445156 阅读:109 留言:0更新日期:2015-05-13 16:33
一种并联结构的集成LED芯片及其生产方法,属于半导体材料的封装技术领域。在外延片P型面上制备多行P面金属连接电极,通过苯并环丁烯,将外延片与蓝宝石衬底键合在一起,将外延片一侧的临时衬底去除后,在外延片上分别制出隔离槽,使仅在同一行的各个芯粒的P面相互金属连接,且在同一行的各个芯粒的N面彼此隔离;再通过聚酰亚胺使每一个单独芯粒得到固定的同时,也实现了绝缘,再使N面电极使用金属连接起来,使每一列的芯粒纵向连接;从而实现每个芯粒之间的并联。封装时,只需在特定电极上面打线即可,并且芯片均匀一致,可避免封装时出现上述的问题,极大地降低了封装难度,提高封装后芯片的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种并联结构的集成LED芯片,其特征在于在同一蓝宝石透明衬底上通过粘合层粘合有若干网格状排列的芯粒,同一行的各个芯粒的P极相互电连接,并在各行芯粒的一端设置P焊线连接位点,同一列的各个芯粒的N极相互电连接,并在各列芯粒的一端设置N焊线连接位点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李俊承杨凯白继锋林鸿亮王英张园园马祥柱张双翔张永
申请(专利权)人:扬州乾照光电有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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