【技术实现步骤摘要】
本技术涉及发光二极管制备技术，属于半导体材料的封装
技术介绍
目前对于多芯片的LED集成封装，因其固有属性，有其固有的缺陷，例如对于带封装的一个个独立的LED芯片，要进行电性能的挑选，正向电压差别不应超过0.1V，而反向的电压则必须在1V以上；并且在制作时要特别注意防静电，一旦个别芯片出现静电问题，很有可能导致大面积失效。在接下来的固晶时，所有的LED芯片在纵向位置上需保持同样的高度，在铝基板上面挖槽的时候，槽的大小和深度，要根据芯片的多少和出光角度的大小来确定等等，封装要求较高。所有的这些缺陷，使得下游客户在封装时，为了保持芯片均匀一致，以及成品的稳定性，往往会付出极大的努力。这就提高了封装难度，保持封装后芯片的稳定性也比较困难。
技术实现思路
针对现有技术上的缺陷，本技术目的是提出一种方便下游客户在封装的并联结构的集成LED芯片。本技术技术方案是:在同一蓝宝石透明衬底上通过粘合层粘合有若干网格状排列的芯粒，同一行的各个芯粒的P极相互电连接，并在各行芯粒的一端设置P焊线连接位点，同一列的各个芯粒的N极相互电连接，并在各列芯粒的一端设置N焊线连接位...
【技术保护点】
一种并联结构的集成LED芯片，其特征在于在同一蓝宝石透明衬底上通过粘合层粘合有若干网格状排列的芯粒，同一行的各个芯粒的P极相互电连接，并在各行芯粒的一端设置P焊线连接位点，同一列的各个芯粒的N极相互电连接，并在各列芯粒的一端设置N焊线连接位点。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李俊承，杨凯，白继锋，林鸿亮，王英，张园园，马祥柱，张双翔，张永，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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