本发明专利技术是有关于一种半导体结构及其封装构造，该半导体结构，其包含一载体、多个凸块下金属层、多个含铜凸块以及一有机阻障层，该载体具有一表面、一保护层及多个导接垫，该保护层具有多个开口且该些开口显露该些导接垫，该些凸块下金属层形成于该些导接垫，该些含铜凸块形成于该些凸块下金属层，各该含铜凸块具有一顶面及一环壁，该有机阻障层具有一凸块覆盖部，该凸块覆盖部覆盖各该含铜凸块的该顶面及该环壁。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构，特别是涉及一种具有有机阻障层的半导体结构。
技术介绍
由于电子产品的外观已逐渐趋向轻、薄、短、小发展，因此凸块或引脚等电性连接元件必然朝向微细间距发展，然当凸块或引脚等电性连接元件若含有铜时，容易因为铜离子游离而导致电性短路，进而造成产品不良的情形。由此可见，上述现有的半导体结构在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的半导体结构及其封装构造，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种半导体结构及其封装构造，由于该半导体结构包含有该有机阻障层，因此可防止含铜凸块在微细间距时因铜离子游离而导致电性短路的情形。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种半导体结构，其至少包含一载体，其具有一表面、一形成于该表面的保护层及多个形成于该表面的导接垫，该保护层具有多个开口且所述开口显露所述导接垫；多个凸块下金属层，其形成于所述导接垫；多个含铜凸块，其形成于所述凸块下金属层，各该含铜凸块具有一顶面及一连接该顶面的环壁；以及一有机阻障层，其具有一凸块覆盖部，该凸块覆盖部覆盖各该含铜凸块的该 顶面及该环壁。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体结构，其中该有机阻障层另具有一保护层覆盖部，该保护层覆盖部覆盖该保护层。前述的半导体结构，其中该有机阻障层的厚度小于lOum。前述的半导体结构，其中该有机阻障层的黏度范围1-1. 2cp。前述的半导体结构，其中该有机阻障层的材质选自于有机高分子材料。前述的半导体结构,其中该有机阻障层选自于苯基联三连唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羟基咪唑其中之一。前述的半导体结构，其中该有机阻障层由苯骈咪唑化合物、甲酸、氨水、醋酸及水所组成。前述的半导体结构，其中该载体选自于硅基板、玻璃基板、陶瓷基板或铜箔基板其中之一。前述的半导体结构，其中各该凸块下金属层具有一环墙，该凸块覆盖部覆盖各该凸块下金属层的该环墙。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种半导体结构，其至少包含一载体，其具有一表面、一形成于该表面的保护层及多个形成于该表面的导接垫，该保护层具有多个开口且所述开口显露所述导接垫；多个含铜凸块，其形成于所述导接垫，各该含铜凸块具有一顶面及一连接该顶面的环壁；以及一有机阻障层，其具有一凸块覆盖部，该凸块覆盖部覆盖各该含铜凸块的该顶面及该环壁。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体结构，其中该有机阻障层的厚度小于lOum。前述的半导体结构，其中该有机阻障层的粘度范围为1-1. 2cp。前述的半导体结构，其中该有机阻障层的材质选自于有机高分子材料。前述的半导体结构,其中该有机阻障层选自于苯基联三连唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羟基咪唑其中之一。前述的半导体结构，其中该有机阻障层由苯骈咪唑化合物、甲酸、氨水、醋酸及水所组成。前述的半导体结构，其中该载体选自于硅基板、玻璃基板、陶瓷基板或铜箔基板其中之一。本专利技术的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种半导体封装构造，其至少包含一半导体结构，其包含一载体，其具有一表面、一形成于该表面的保护层及多个形成于该表面的导接垫，该保护层具有多个开口且所述开口显露所述导接垫；多个凸块下金属层，其形成于所述导接垫；多个含铜凸块，其形成于所述凸块下金属层，各该含铜凸块具有一顶面及一连接该顶面的环壁；以及一有机阻障层，其具有一凸块覆盖部，该凸块覆盖部覆盖各该含铜凸块的该环壁；以及一基板，其具有多个连接垫及一防焊层，该防焊层具有多个开槽以显露所述连接垫，所述连接垫结合于所述含铜凸块且该有机阻障层的该凸块覆盖部覆盖该防焊层。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体封装构造，其中该有机阻障层另具有一保护层覆盖部，该保护层覆盖部覆盖该保护层。前述的半导体封装构造，其中该有机阻障层的厚度小于lOum。前述的半导体封装构造，其中该有机阻障层的粘度范围为1-1. 2cp。前述的半导体封装构造,其中该有机阻障层的材质选自于有机高分子材料。前述的半导体封装构造，其中该有机阻障层选自于苯基联三连唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羟基咪唑其中之一。前述的半导体封装构造，其中该有机阻障层由苯骈咪唑化合物、甲酸、氨水、醋酸及水所组成。前述的半导体封装构造，其中该载体选自于硅基板、玻璃基板、陶瓷基板或铜箔基板其中之一。前述的半导体封装构造，其中各该凸块下金属层具有一环墙，该凸块覆盖部覆盖各该凸块下金属层的该环墙。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体结构，其包含一载体、多个凸块下金属层、多个含铜凸块以及一有机阻障层，该载体具有一表面、一形成于该表面的保护层及多个形成于该表面的导接垫，该保护层具有多个开口且该些开口显露该些导接垫，该些凸块下金属层形成于该些导接垫，该些含铜凸块形成于该些凸块下金属层，各该含铜凸块具有一顶面及一连接该顶面的环壁，该有机阻障层具有一凸块覆盖部，该凸块覆盖部覆盖各该含铜凸块的该顶面及该环壁。由于该半导体结构包含有该有机阻障层，因此可防止该些含铜凸块在微细间距时因铜离子游离而导致电性短路的情形。借由上述技术方案，本专利技术半导体结构及其封装构造至少具有下列优点及有益效果在本专利技术中，由于该半导体结构包含有该有机阻障层，因此可防止该些含铜凸块于微细间距时因铜离子游离而导致电性短路的情形。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图1是依据本专利技术的第一较佳实施例，一种半导体结构的截面示意图。图2是依据本专利技术的第二较佳实施例，另一种半导体结构的截面示意图。图3是依据本专利技术的第三较佳实施例，又一种半导体结构的截面示意图。 图4A至图4G是依据本专利技术的第一较佳实施例，该半导体结构工艺的截面示意图。图5是依据本专利技术的第一较佳实施例，应用该半导体结构所形成的半导体封装构造。10 :半导体封装构造 100 :半导体结构110:载体111 :表面112:保护层112a:开口113:导接垫120:凸块下金属层 121 :环墙130 :含铜凸块131 :顶面132 :环壁140:有机阻障层141 :凸块覆盖部142 :保护层覆盖部200 :半导体结构210 :载体211 :表面212:保护层212a:开口213 :导接垫220 :含铜凸块221 :顶面222 :环壁230:有机阻障层231 :凸块覆盖部300 :基板310 :连接垫320 :防焊层321 :开槽M :含铜金属层P :光阻层Pl:凸块开口具体实施例方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于其至少包含：一载体，其具有一表面、一形成于该表面的保护层及多个形成于该表面的导接垫，该保护层具有多个开口且所述开口显露所述导接垫；多个凸块下金属层，其形成于所述导接垫；多个含铜凸块，其形成于所述凸块下金属层，各该含铜凸块具有一顶面及一连接该顶面的环壁；以及一有机阻障层，其具有一凸块覆盖部，该凸块覆盖部覆盖各该含铜凸块的该顶面及该环壁。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于其至少包含一载体，其具有一表面、一形成于该表面的保护层及多个形成于该表面的导接垫，该保护层具有多个开口且所述开口显露所述导接垫；多个凸块下金属层，其形成于所述导接垫；多个含铜凸块，其形成于所述凸块下金属层，各该含铜凸块具有一顶面及一连接该顶面的环壁；以及一有机阻障层，其具有一凸块覆盖部，该凸块覆盖部覆盖各该含铜凸块的该顶面及该环壁。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该有机阻障层另具有一保护层覆盖部，该保护层覆盖部覆盖该保护层。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该有机阻障层的厚度小于 IOum04.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该有机阻障层的黏度范围1-L 2cp。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该有机阻障层的材质选自于有机高分子材料。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于其中该有机阻障层选自于苯基联三连唑、苯基咪唑、替代性苯基咪唑或芳香族羟基咪唑其中之一。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该有机阻障层由苯骈咪唑化合物、甲酸、氨水、醋酸及水所组成。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该载体选自于娃基板、玻璃基板、陶瓷基板或铜箔基板其中之一。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中各该凸块下金属层具有一环墙，该凸块覆盖部覆盖各该凸块下金属层的该环墙。10.一种半导体结构，其特征在于其至少包含一载体，其具有一表面、一形成于该表面的保护层及多个形成于该表面的导接垫，该保护层具有多个开口且所述开口显露所述导接垫；多个含铜凸块，其形成于所述导接垫，各该含铜凸块具有一顶面及一连接该顶面的环壁；以及一有机阻障层，其具有一凸块覆盖部，该凸块覆盖部覆盖各该含铜凸块的该顶面及该环壁。11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于其中该有机阻障层的厚度小于 IOum012.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于其中该有机阻障层的粘度范围为1-L 2cp013.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于其中该有机阻障层的材质选自于有机高分子材料。...
【专利技术属性】
技术研发人员：施政宏，林淑真，谢永伟，叶润宇，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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