具有集成的微波组件的半导体封装件制造技术

一种半导体器件封装件，包括封装剂和半导体芯片。半导体芯片至少部分地嵌入在封装剂中。包括至少一个导电壁结构的微波组件被集成在封装剂中。另外，半导体器件封装件包括被配置为将微波组件电耦合到半导体芯片的电互连。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体器件封装技术，并且具体而言涉及将半导体芯片和组件嵌入到封装剂中的技术。
技术介绍
半导体器件制造商不断努力增加他们的产品的性能，同时减少它们的制造成本。半导体器件封装件的制造中的成本集中区是封装半导体芯片。因而，低成本和高产量的半导体器件封装件和制造该半导体器件封装件的方法是令人希望的。另外，对于提供更小、更薄、或更轻并且具有更加多样的功能性和改进的可靠性的半导体器件封装件的不断努力已经驱动所涉及的所有
中的一系列技术创新。
技术实现思路
本专利技术提供了一种半导体器件封装件，包括:封装剂；至少部分地嵌入在所述封装剂中的半导体芯片；微波组件，所述微波组件包括集成在所述封装剂中的至少一个导电壁结构；以及电互连，所述电互连被配置成将所述微波组件电耦合到所述半导体芯片。本专利技术还提供了一种半导体器件封装件，包括:封装剂；至少部分地嵌入在所述封装剂中的半导体芯片；以及矩形波导，所述矩形波导包括集成在所述封装剂中的至少一个导电壁结构。本专利技术还提供了一种制造半导体器件封装件阵列的方法，所述方法包括:在临时载体上放置多个半导体芯片；利用封装材料来覆盖所述多个半导体芯片以形成封装体；提供多个微波组件，每个微波组件包括集成在所述封装体中的至少一个导电壁结构；形成多个电互连，每个电互连被配置为电耦合半导体芯片和微波组件；以及将所述封装体分离成单个半导体器件封装件，每个半导体器件封装件包括半导体芯片、微波组件以及电互连。【附图说明】包括所附附图以提供实施例的进一步的理解并且所附附图被并入本说明书并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与说明书一起用作解释实施例的原理。其他实施例和实施例的意图的优点中的众多优点将易于意识到，因为它们通过参照以下【具体实施方式】而变得更好理解。附图的元素不一定相对于彼此成比例。同样的附图标记指代对应的类似的部分。图1示意性地图示了包括半导体芯片和微波组件的示例性半导体器件封装件的截面图。图2示意性地图示了包括半导体芯片和微波组件的示例性半导体器件封装件的截面图。图3示意性地图示了包括半导体芯片、微波组件和电重分布层(RDL)的示例性半导体器件封装件的截面图。图4示意性地图示了包括半导体芯片、微波组件、电重分布层(RDL)和导电层的示例性半导体器件封装件的截面视图。图5A和图5B分别示意性地图示了示例性半导体器件封装件的平面图和沿着图5A的截面线A-A的截面图。图6示意性地图示了包括作为波导侧壁的一排电过孔的示例性矩形波导的透视图。图7示意性地图示了包括作为波导侧壁的一排电过孔和封闭壁的示例性矩形波导的透视图。图8示意性地图示了包括作为波导侧壁的封闭壁(除了输入开口之外)的示例性矩形波导的透视图。图9A和9B分别示意性地图示了图6到8中示出的示例性矩形波导的平面图和自查看方向B的侧视图。图10为形成例如滤波器的示例性矩形波导的第一金属板的平面图。图11为形成例如滤波器的示例性矩形波导的第一金属板的平面图。图12为形成例如天线的示例性矩形波导的第二金属板的平面图。图13为形成例如功率合成器或功率分配器的示例性矩形波导的第一金属板的平面图。图14示意性地图示了包括半导体芯片和包括在侧向上辐射的天线的矩形波导的示例性半导体器件封装件的截面图。图15示意性地图示了包括半导体芯片、包括在侧向上辐射的天线的矩形波导和电重分布层(RDL)的示例性半导体器件封装件的截面图。图16A和图16B分别示意性地图示了用于传送微波频率信号的共面线的平面图和微带线的截面图。图17为用于通过使用嵌入式晶圆级封装(eWLP)技术来制造包括半导体芯片和矩形波导的半导体器件封装件的示例性工艺的流程图。图18A到图18F示意性地图示了通过使用嵌入式晶圆级封装(eWLP)技术来制造包括半导体芯片和微波组件的半导体器件封装件的方法的一个示例性实施例。图19A到19D示意性地图示了通过使用嵌入式晶圆级封装(eWLP)技术来制造包括半导体芯片和微波组件的半导体器件封装件的方法的一个示例性实施例。【具体实施方式】在以下具体描述中，引用形成其一部分的所附附图，并且以阐明其中可以实践本专利技术的特定实施例的方式来示出所附附图。在这点上，参照被描述的(一个或多个)图的定向来使用诸如为“顶”、“底”、“前”、“后”、“上”、“下”等的方向性术语。因为实施例的组件能够定位在诸多不同的定向中，方向性术语用于阐明的目的并且决非限制。将理解到其他实施例可以被利用并且可以在不脱离本专利技术的范围的情况下做出结构上的或逻辑上的改变。因此，以下具体描述不应按限制方式来理解，并且本专利技术的范围由所附权利要求来限定。将理解到:除非另外特别阐明，这里所描述的各种示例性实施例的特征可以彼此组合。如在本说明书中所采用的，术语“接合的”、“附接的”、“连接的”、“耦合的”和/或“电连接的/电耦合的”不意味着意指元件或层必须直接接触在一起；可以分别在“接合的”、“附接的”、“连接的”、“耦合的”和/或“电连接的/电耦合的”元件之间提供有居间元件或层。但是，按照本公开内容，以上提及的术语可以可选地还具有元件或层直接接触在一起的特定含义，即，可以分别没有居间的元件或层分别提供在“接合的”、“附接的”、“连接的”、“耦合的”和/或“电连接的/电耦合的”元件之间。另外，这里可以使用关于形成或位于表面“之上”的材料层而使用的词语“…之上”，以意指材料层“直接地”位于(例如，形成、沉积等)暗含的表面上，例如与暗含的表面直接接触。这里可以使用关于形成或位于表面“之上”的材料层而使用的词语“…之上”，以意指材料层“间接地”位于(例如，形成、沉积等)暗含的表面上，一个或多个附加层被布置在暗含的表面与材料层之间。这里所描述的半导体器件封装件可以包含一个或多个半导体芯片。以下进一步描述的半导体封装件可以包含(一个或多个)不同类型的半导体芯片，其可以由不同的技术来制造并且可以包括例如诸如为单片集成电路、电光电路、机电电路、有机衬底、无机衬底、小型化电封装件和/或无源器件的集成电路。更具体而言，(一个或多个)半导体芯片可以包括逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、功率集成电路、存储器电路、或集成无源器件(IPD)。这里所描述的(一个或多个)半导体芯片可以由诸如为S1、SiC、SiGe、GaAs、GaN、AlGaN、InGaAs、InAlAs等的特定半导体材料中制造，并且此外，可以包含非半导体的无机和/或有机材料。这里所描述的(一个或多个)半导体芯片可以包括控制电路、微处理器、存储器电路和/或微机电组件。它们例如可以包括发射器、接收器、收发器、传感器、或检测器。具体而言，这里所描述的(一个或多个)半导体芯片可以包括无线组件，诸如微波电路，例如微波发射器、接收器、收发器、传感器、或检测器。作为示例，这里所描述的(一个或多个)半导体芯片可以包括操作在例如20与200GHz的频率范围中以及更具体而言在40与160GHz之间的频率范围中、例如为在约60、80或120GHz处的集成微波电路。一般而言，微波频率区域在从约300MHz (约I米的波长)到约300GHz (约I毫米的波长)的范围中。可以涉及到包含(一个或多个)具有水平结构的半导体芯片的设备。具有水平结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件封装件，包括：封装剂；至少部分地嵌入在所述封装剂中的半导体芯片；微波组件，所述微波组件包括集成在所述封装剂中的至少一个导电壁结构；以及电互连，所述电互连被配置成将所述微波组件电耦合到所述半导体芯片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：E·泽勒，M·沃杰诺维斯基，W·哈特纳，J·伯伊克，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE