半导体组件制造技术

本公开涉及半导体组件。根据实施例，具有至少第一和第二端子的半导体组件包括：支撑件，具有第一和第二器件容纳部分、器件互连部分、第一和第二引线，第一和第二引线与器件互连部分一体形成并从器件互连部分延伸；第三引线，邻近第一和第二器件容纳部分并与第一和第二器件容纳部分电气地隔离；以及第一半导体器件，具有第一和第二表面，第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘从第一表面的第三部分延伸，第一接合焊盘耦合至第一器件容纳部分，第二接合焊盘耦合至第二器件容纳部分，第三接合焊盘耦合至器件互连部分，第一半导体器件由III‑N族半导体材料配置。可以提供改进的半导体组件。

【技术实现步骤摘要】
半导体组件本申请是由BalajiPadmanabhan等人在2015年7月24日提交的标题为“SEMICONDUCTORCOMPONENTANDMETHODOFMANUFACTURE”的临时专利申请No.62/196,641的非临时申请，该临时专利申请通过引用整体地合并于此，并且在此为共同主题要求其优先权。
本技术通常涉及电子设备并且更具体地涉及电子设备的半导体结构以及形成半导体器件的方法。
技术介绍
过去，半导体制造商已经使用硅半导体材料和III-N族半导体材料的组合制造共源共栅器件，诸如与增强模式硅器件共源共栅的常开型III-N族耗尽模式HEMT。使用该材料组合有助于使用常开型的III-N族耗尽模式器件实现常关状态。已经在RakeshK.Lal等人申请的并且在2013年4月11日公开的美国专利申请公开No.2013/0088280A1中描述了共源共栅半导体器件。在由不同半导体衬底材料制造共源共栅器件之后，半导体组件制造商典型地通过将硅器件和耗尽模式器件封装在分开的封装中以及通过引线框架引线将分开的封装中的器件连接在一起以形成共源共栅器件来保护硅器件和耗尽模式器件。该方法的缺点是增加封装的数量增大共源共栅半导体组件的成本并且由于增大的寄生效应(诸如寄生电容和寄生电感)使共源共栅器件的性能退化。相应地，具有共源共栅半导体器件和用于制造共源共栅半导体器件的方法将是有利的。有成本效率地实现结构和方法将具有进一步的优势。
技术实现思路
本技术的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。根据本技术的一个方面，提供一种半导体组件，具有至少第一端子和第二端子。半导体组件可以包括：支撑件，具有第一器件容纳部分和第二器件容纳部分、器件互连部分、第一引线和第二引线，其中第一引线和第二引线与器件互连部分一体形成并从器件互连部分延伸；第三引线，邻近第一器件容纳部分和第二器件容纳部分并与第一器件容纳部分和第二器件容纳部分电气地隔离；以及第一半导体器件，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘从第一表面的第三部分延伸，第一接合焊盘耦合至第一器件容纳部分，第二接合焊盘耦合至第二器件容纳部分，并且第三接合焊盘耦合至器件互连部分，其中第一半导体器件由III-N族半导体材料配置。根据本技术的实施例，其中第一半导体器件可以是具有控制电极以及第一载流电极和第二载流电极的第一场效应晶体管，第三接合焊盘充当场效应晶体管的控制电极，第二接合焊盘充当第一载流电极，并且第一接合焊盘充当第二载流电极，并且其中半导体器件以倒装芯片配置安装。根据本技术的实施例，半导体组件还可以包括：模塑化合物，在第一器件容纳部分与第二器件容纳部分之间；第一导电互连，具有第一端子和第二端子，第一导电互连的第一端子耦合至第二器件容纳部分，并且第一导电互连的第二端子耦合至第一半导体器件的第二表面；以及第二半导体器件，安装至第一导电互连，第二半导体器件具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且接触件在第二表面处，接触件耦合至第一导电互连。根据本技术的实施例，半导体组件还可以包括接合至第一半导体器件的电气绝缘材料。根据本技术的实施例，半导体组件还可以包括第一导电互连，具有第一端子和第二端子，第一导电互连的第一端子耦合至第二器件容纳部分，并且第一导电互连的第二端子耦合至电气绝缘材料。根据本技术的实施例，半导体组件还可以包括：第二半导体器件，安装至第一导电互连，第二半导体器件具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且接触件在第二表面处，接触件耦合至第一导电互连；以及第二导电互连，具有第一端子和第二端子，第二导电互连的第一端子耦合至第二半导体器件的第二接合焊盘，并且第二导电互连的第二端子耦合至器件互连部分。根据本技术的另一个方面，提供一种半导体组件，具有至少第一端子和第二端子。半导体组件可以包括：支撑件，具有第一器件容纳部分和第二器件容纳部分，其中第一引线从支撑件延伸并且与第二器件容纳部分一体形成；第二引线，邻近第一器件容纳部分和第二器件容纳部分，并且与第一器件容纳部分和第二器件容纳部分电气地隔离；以及第一半导体器件，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘从第一表面的第三部分延伸，第一接合焊盘耦合至第一器件容纳部分，第二接合焊盘耦合至第二器件容纳部分，以及第三接合焊盘耦合至第二引线，其中第一半导体器件由III-N族半导体材料配置。根据本技术的实施例，半导体组件还可以包括：电气绝缘材料，接合至第一半导体器件；第一导电互连，具有第一端子和第二端子，第一导电互连的第一端子耦合至第一器件容纳部分，并且第一导电互连的第二端子耦合至电气绝缘材料；第二半导体器件，安装至第一导电互连，第二半导体器件具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且接触件在第二表面处，接触件耦合至第一导电互连；以及第二导电互连，具有第一端子和第二端子，第二导电互连的第一端子耦合至第二半导体器件的第二接合焊盘，并且第二导电互连的第二端子耦合至器件互连部分。根据本技术的实施例，半导体组件还可以包括：电气绝缘材料，接合至第一半导体器件；第一导电互连，具有第一端子和第二端子，第一导电互连的第一端子耦合至第一器件容纳部分，并且第一导电互连的第二端子耦合至电气绝缘材料；以及二极管，安装至第一导电互连，二极管具有阳极和阴极，阴极电气地耦合至第一导电互连；以及第二导电互连，耦合在二极管的阳极与第二引线之间。根据本技术的又一个方面，提供一种半导体组件，具有至少第一端子和第二端子。半导体组件可以包括：支撑件，具有第一区域、第二区域和第三区域，第一区域通过第二区域与第三区域分开，在第二区域中形成有基座；第一引线，从第一区域延伸；第二引线，邻近第一区域并与第一区域电气地隔离；第三引线，邻近第一区域并与第一区域电气地隔离；第一电气绝缘材料，形成于第一区域上；第一导电层、第二导电层和第三导电层，形成于电气绝缘材料上；以及第一半导体器件，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘从第一表面的第三部分延伸，第一接合焊盘耦合至第一导电层，第二接合焊盘耦合至第二导电层，以及第三接合焊盘耦合至基座，其中第一半导体器件由III-N族半导体材料配置。根据本技术的实施例，半导体组件还可以包括：第二电气绝缘材料，接合至第一半导体器件；第一导电互连，具有第一端子和第二端子，第一导电互连的第一端子耦合至第二导电层，并且第一导电互连的第二端子耦合至第二电气绝缘材料；第二半导体器件，安装至第一导电互连，第二半导体器件具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘从第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘从第一表面的第二部分延伸，并且接触件在第二表面处，接触件耦合至第一导电互连；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体组件，具有至少第一端子和第二端子，其特征在于包括：支撑件(102)，具有第一器件容纳部分(104)和第二器件容纳部分(106)、器件互连部分(108)、第一引线(110)和第二引线(116)，其中所述第一引线(110)和所述第二引线(116)与所述器件互连部分(108)一体形成并从所述器件互连部分(108)延伸；第三引线(114)，邻近所述第一器件容纳部分(104)和所述第二器件容纳部分(106)并与所述第一器件容纳部分(104)和所述第二器件容纳部分(106)电气地隔离；以及第一半导体器件(50)，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘(60)从所述第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘(58)从所述第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘(56)从所述第一表面的第三部分延伸，所述第一接合焊盘(60)耦合至所述第一器件容纳部分(104)，所述第二接合焊盘(58)耦合至所述第二器件容纳部分(106)，并且所述第三接合焊盘(56)耦合至所述器件互连部分(108)，其中所述第一半导体器件(50)由III‑N族半导体材料配置。

【技术特征摘要】
2015.07.24 US 62/196,641;2016.07.07 US 15/204,6041.一种半导体组件，具有至少第一端子和第二端子，其特征在于包括：支撑件(102)，具有第一器件容纳部分(104)和第二器件容纳部分(106)、器件互连部分(108)、第一引线(110)和第二引线(116)，其中所述第一引线(110)和所述第二引线(116)与所述器件互连部分(108)一体形成并从所述器件互连部分(108)延伸；第三引线(114)，邻近所述第一器件容纳部分(104)和所述第二器件容纳部分(106)并与所述第一器件容纳部分(104)和所述第二器件容纳部分(106)电气地隔离；以及第一半导体器件(50)，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘(60)从所述第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘(58)从所述第一表面的第二部分延伸，并且第三接合焊盘(56)从所述第一表面的第三部分延伸，所述第一接合焊盘(60)耦合至所述第一器件容纳部分(104)，所述第二接合焊盘(58)耦合至所述第二器件容纳部分(106)，并且所述第三接合焊盘(56)耦合至所述器件互连部分(108)，其中所述第一半导体器件(50)由III-N族半导体材料配置。2.根据权利要求1所述的半导体组件，其中所述第一半导体器件(50)是具有控制电极(84G)以及第一载流电极(84S)和第二载流电极(84D)的第一场效应晶体管(84)，所述第三接合焊盘(56)充当所述场效应晶体管(84)的所述控制电极(84G)，所述第二接合焊盘(58)充当所述第一载流电极(84S)，并且所述第一接合焊盘(60)充当所述第二载流电极(84D)，并且其中所述半导体器件(50)以倒装芯片配置安装。3.根据权利要求1所述的半导体组件，还包括：模塑化合物(140)，在所述第一器件容纳部分(104)与所述第二器件容纳部分(106)之间；第一导电互连(162)，具有第一端子和第二端子，所述第一导电互连(162)的所述第一端子耦合至所述第二器件容纳部分(106)，并且所述第一导电互连(162)的所述第二端子耦合至所述第一半导体器件(50)的所述第二表面；以及第二半导体器件(10)，安装至所述第一导电互连(162)，所述第二半导体器件具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘(16)从所述第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘(18)从所述第一表面的第二部分延伸，并且接触件在所述第二表面处，所述接触件耦合至所述第一导电互连(162)。4.根据权利要求1所述的半导体组件，还包括接合至所述第一半导体器件(50)的电气绝缘材料(158)。5.根据权利要求4所述的半导体组件，还包括第一导电互连(162)，具有第一端子和第二端子，所述第一导电互连(162)的所述第一端子耦合至所述第二器件容纳部分(106)，并且所述第一导电互连(162)的所述第二端子耦合至所述电气绝缘材料(158)。6.根据权利要求5所述的半导体组件，还包括：第二半导体器件(10)，安装至所述第一导电互连(162)，所述第二半导体器件(10)具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘(16)从所述第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘(18)从所述第一表面的第二部分延伸，并且接触件在所述第二表面处，所述接触件耦合至所述第一导电互连(162)；以及第二导电互连(166)，具有第一端子和第二端子，所述第二导电互连(166)的所述第一端子耦合至所述第二半导体器件(10)的所述第二接合焊盘(18)，并且所述第二导电互连(166)的所述第二端子耦合至所述器件互连部分(108)。7.一种半导体组件，具有至少第一端子和第二端子，其特征在于包括：支撑件(402、502)，具有第一器件容纳部分(404)和第二器件容纳部分(406)，其中第一引线(407)从所述支撑件(402)延伸并且与所述第二器件容纳部分(406)一体形成；第二引线(410、508)，邻近所述第一器件容纳部分(404)和所述第二器件容纳部分(406)，并且与所述第一器件容纳部分(404)和所述第二器件容纳部分(406)电气地隔离；以及第一半导体器件(50)，具有第一表面和第二表面，其中第一接合焊盘(56)从所述第一表面的第一部分延伸，第二接合焊盘(58)从所述第一表面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·温卡特拉曼，B·帕德玛纳伯翰，刘春利，A·萨利，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US