具有冗余穿硅通孔的半导体芯片制造技术

公开了一种具有导电通孔的半导体芯片及其制造方法。所述方法包括在第一半导体芯片（15）的一层（80）中形成第一多个导电通孔（115、120、125）。所述第一多个导电通孔包括第一末端（127）和第二末端（129）。第一导体垫（65）形成为与所述第一多个导电通孔的所述第一末端（127）欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有冗余穿硅通孔的半导体芯片
本专利技术大致涉及半导体处理，且更具体地涉及并入穿硅通孔的半导体芯片及其制作方法。专利技术背景一段时间之前，半导体芯片设计者开始将多个半导体晶粒（dice）（即“晶粒（dies）”）垂直堆叠以获得更多功能，而无所需封装基板或电路板区域的相应增大。多种技术已被用于将邻近晶粒电连接为这种堆叠配置。一种技术涉及使用从一个晶粒上的接触垫引导至邻近晶粒上的相应接触垫的线接合。更近期引进的另一种技术涉及使用所谓的穿硅通孔（TSV）。典型的TSV是取决于芯片的一个或另一主表面上的任意中介导体垫的存在或不存在而延伸几乎或可能完全穿过半导体芯片的导电通孔。典型的传统TSV提供半导体芯片的相对主表面之间的电布线。在一侧上，传统TSV连接至某些类型的输入/输出结构（I/O），其通常是被设计来在倒装芯片回流焊期间形成与封装基板焊接接合的焊块。TSV未直接连接至焊块而是连接至一些中介结构，诸如如块垫的最外金属化结构。TSV的另一端或背侧端通常透过一些中间导体结构连接至某些形式的背侧I/O结构。传统的TSV配置包括冶金接合至单个块垫的单个TSV。传统TSV遭受焦耳加热及电迁移问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.09 US 12/878,5421.一种半导体设备制造方法，其包括：在第一半导体芯片(15)的一层(80)中形成第一多个导电通孔(115、120、125)，所述第一多个导电通孔包括第一末端(127)和第二末端(129)；在所述第一多个导电通孔中的最外侧第一导电通孔的所述第一末端上形成第一导电通孔延伸部；和使第一块下金属化(UBM)结构(50)形成为与所述第一导电通孔延伸部和所述第一多个导电通孔中的其他第一导电通孔的第一末端欧姆接触。2.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述层(80)中形成第二多个导电通孔(130、135、140)，所述第二多个导电通孔包括第三末端和第四末端，在所述第二多个导电通孔中的最外侧导电通孔的所述第三末端上形成第二导电通孔延伸部；和使第二块下金属化(UBM)结构(55)形成为与所述第二导电通孔延伸部和所述第二多个导电通孔中的其他第二导电通孔的第三末端欧姆接触。3.根据权利要求1所述的方法，其包括使导体结构(90)形成为与所述第一多个导电通孔的所述第二末端欧姆接触。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述导体结构包括再分布层结构。5.根据权利要求1所述的方法，其包括将输入/输出结构(40)耦合至所述第一块下金属化结构。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述输入/输出结构包括焊块(40)或导电柱(240)。7.根据权利要求1所述的方法，其包括将第二半导体芯片(25)堆叠在所述第一半导体芯片上。8.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述第一半导体芯片安装在电路板(20)上。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一多个导电通孔通过在所述第一半导体芯片中形成沟槽(200、205、210)并且将导体材料放置在所述沟槽中而形成。10.一种半导体设备制造方法，其包括：在第一半导体芯片(15)的一层(80)中形成第一多个导电通孔(115、120、125)，所述第一多个导电通孔包括第一末端(127)和第二末端(129)，该第一半导体芯片具有第一侧(112)和相对的第二侧(113)；在所述第一多个导电通孔中的最外侧第一导电通孔的所述第一末端上形成导电通孔延伸部；使第...

【专利技术属性】
技术研发人员：布莱恩·布莱克，迈克尔·Z·苏，贾迈尔·里法伊艾哈迈德，乔·西格尔，塞思·普雷让，
申请(专利权)人：超威半导体公司，ATI科技无限责任公司，
类型：
国别省市：