带贯通电极的半导体芯片用粘接膜制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种用于在半导体晶片上层叠多个带贯通电极的半导体芯片的、能够在抑制空隙的同时良好地连接贯通电极且能够抑制在半导体芯片的周围突出的毛刺的长度的带贯通电极的半导体芯片用粘接膜。本发明专利技术的带贯通电极的半导体芯片用粘接膜，用于在半导体晶片上层叠多个带贯通电极的半导体芯片，其中，最低熔融粘度为50～2500Pa·s，且140℃的触变指数为8以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于在半导体晶片上层叠多个带贯通电极的半导体芯片的、能够在抑制空隙的同时对贯通电极良好地进行电极接合且能够抑制在半导体芯片的周围突出的毛刺的长度的带贯通电极的半导体芯片用粘接膜。
技术介绍
近年来，使用了具有由焊料等构成的突起电极(凸起)的半导体芯片的倒装式芯片贴装受到关注。在倒装式芯片贴装中，一般使用在基板上接合半导体芯片之后注入密封树脂的方法。在专利文献1中记载了粘度为50Pa·sec以下(25℃)且注入时的粘度为2Pa·sec以下的密封树脂。此外，近年来随着半导体芯片的小型化的进展，电极间的间距也变得越来越窄，而且与此相伴地半导体芯片彼此或半导体芯片与基板之间的缝隙也变窄，因此不是在接合后注入密封树脂，而是采用经由预先涂敷在基板上的液状粘接剂来接合半导体芯片的方法。在专利文献2中记载了固化前的触变指数为1.1～4.0且能够以维持形状的状态进行涂敷的液状环氧树脂组合物。进而，还采用了经由预先粘合在基板或半导体芯片的粘接膜(NCF)来接合半导体芯片的方法。在专利文献3中记载了最小熔融粘度的范围为40PaS～5100PaS的片状粘接剂。此外，在专利文献3记载了如下内容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带贯通电极的半导体芯片用粘接膜，用于在半导体晶片上层叠多个带贯通电极的半导体芯片，该带贯通电极的半导体芯片用粘接膜的特征在于，最低熔融粘度为50～2500Pa·s，且140℃的触变指数为8以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.22 JP 2014-0882751.一种带贯通电极的半导体芯片用粘接膜，用于在半导体晶片上层叠多个带贯通电极的半导体芯片，该带贯通电极的半导体芯片用粘接膜的特征在于，最低熔融粘度为50～2500Pa·s，且140℃的触变指数为8以下。2.根据权利要求1所述的带贯通电极的半导体芯片用粘接膜，其特征在于，含有平均粒径为10～100nm的无机填料A和平均粒径为150～500nm的无机填料B。3.根据权利要求2所述的带贯通电极的半导体芯片用粘接膜，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：永田麻衣，竹田幸平，江南俊夫，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP