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公开了一种具有导电通孔的半导体芯片及其制造方法。所述方法包括在第一半导体芯片（15）的一层（80）中形成第一多个导电通孔（115、120、125）。所述第一多个导电通孔包括第一末端（127）和第二末端（129）。第一导体垫（65）形成为与所...
该专利属于超威半导体公司;ATI科技无限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过超威半导体公司;ATI科技无限责任公司授权不得商用。

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