超威半导体公司专利技术

超威半导体公司共有273项专利

  • 本文中公开用于迁移存储器页面的系统、设备和方法。响应于检测到第一页面在存储器位置之间的迁移开始,对与所述第一页面对应的第一页面表项(PTE)定位并且将迁移挂起指示存储于所述第一PTE中。在一个实施方案中,通过禁用读取权限和写入权限来将所...
  • 描述了一种用于制造金属绝缘体金属电容器同时管理半导体加工成品率并增大每面积电容的系统和方法。一种半导体器件制造工艺将氧化物层设置在金属层的顶部上。在所述氧化物层的顶部上形成光致抗蚀剂层并以重复间隔进行蚀刻。使用多种光刻技术中的一种来更改...
  • 描述了一种用于制造金属绝缘体金属电容器同时管理半导体加工产量并增加单位面积电容的系统及方法。半导体装置制造工艺将多晶硅层放置在位于金属层的顶部上的氧化物层的顶部上。所述工艺将沟槽蚀刻到所述多晶硅层的区域中,其中重复的沟槽确定稍后要形成的...
  • 诸如头戴式装置(HMD)(300,125)的设备包括一个或多个处理器(335),所述一个或多个处理器被配置为实现图形流水线(100),所述图形流水线以非均匀像素间隔呈现窗口空间(405,510)中的像素。所述设备还包括第一失真函数(10...
  • 处理系统[100]的处理器[102]的存储器访问路径中的安全模块[130]通过在存储器页在所述处理器处执行的一个或多个虚拟机(VM)[150、151]与管理程序[152]之间转换时验证所述存储器页的内容来保护安全信息,所述管理程序提供所...
  • 描述了一种用于制造非平面纳米线场效应晶体管同时管理半导体加工产率和成本的系统和方法。该工艺形成交替半导体层(110,115;图1)的堆叠。蚀刻沟槽并用至少一个二氧化硅层填充所述沟槽(图2),优选地还用氮化硅层填充所述沟槽,所述沟槽的长度...
  • 提供了使用转换后备缓冲器来为数据流提供低延迟存储器地址转换的技术。存储器系统的客户端首先通过请求初始化转换预取流来准备所述地址转换高速缓存层次结构。在初始化所述转换预取流之后,所述高速缓存层次结构向所述客户端返回完成确认,然后所述客户端...
  • 本文公开了用于维持单独的待决加载计数器和存储计数器的系统、设备和方法。在一个实施方案中,一种系统包括至少一个执行单元、存储器子系统和针对每个执行线程的一对计数器。在一个实施方案中,所述系统实现用于管理指令之间的依赖性的基于软件的方法。在...
  • 公开了集成电路布局,所述集成电路布局包括具有金属轨道的金属层,所述金属轨道具有沿着所述金属轨道的单独金属部分。沿着单个轨道的所述单独金属部分可以彼此电隔离。接着,所述单独金属部分可以电连接到具有所述单独金属部分的所述金属层上方和/或下方...
  • 一种数据处理系统包括存储器,所述存储器包括第一存储器存储体和第二存储器存储体。所述数据处理系统还包括冲突检测器,所述冲突检测器连接到所述存储器并且适于接收存储器访问信息。所述冲突检测器跟踪所述第一存储器存储体的存储器访问统计信息并且确定...
  • 一种用于实施时钟分频器的方法包括:响应于检测到处理器核心[114]处的电压降[408],将输入时钟信号提供至传输门多路复用器[210],用于在两个拉伸‑启用信号中的一个拉伸‑启用信号之间进行选择。在一些实施方案中,在两个拉伸‑启用信号中...
  • 公开了用于压缩像素数据的系统、设备和方法。在一个实施方案中,如果像素数据块等于恒定值,那么处理器将所述块压缩成元数据值,所述元数据值指明整个所述像素数据块的所述恒定值。所述处理器还检测所述恒定值是否等于视频特定的典型的最小值或最大值。在...
  • 公开了图形处理流水线的改进。所述图形处理流水线按照应用程序或其他实体的请求以特定顺序(应用程序编程接口顺序—“API顺序”)处理图形对象。然而,所述图形处理流水线内的某些部件,诸如像素着色器级,可无序地处理这些对象。本文提供了一种技术,...
  • 公开了用于在处理器上处理可变波阵面大小的系统、设备和方法。在一个实施方案中,处理器包括至少调度器、高速缓存和多个执行单元。当在第一模式下操作时,所述处理器在继续到着色器程序的下一指令之前在波阵面的多个部分执行相同的指令。当在第二模式下操...
  • 本发明涉及一种多芯片系统以及一种用于在3D堆叠芯片系统中调度线程的方法。该多芯片系统包括垂直堆叠的、电耦合在一起的多个芯片;所述多个芯片中的每个芯片包括一个或多个核,所述多个芯片中的每个芯片进一步包括:至少一个电压违限感测单元,该至少一...
  • 描述了用于使用偏斜关联性翻译旁视缓冲器(TLB)来确定物理存储器中的与虚拟地址相对应的地址的方法、装置和系统。使用接收器电路来接收虚拟地址和配置指示。在发生TLB命中的情况下输出与所述虚拟地址相对应的物理地址。所述TLB的多个路的第一子...
  • 集成电路封装包括通孔,所述通孔中的每一个从与半导体芯片上的集成电路连通的衬垫延伸通过上覆于所述半导体芯片上的绝缘材料至面向衬底的附着面。每个通孔的接近所述附着面的部分横向偏离接近所述衬垫的所述部分,其在远离所述半导体芯片的中心的方向上从...
  • 第一存储器[105]存储表示数字图像[110]的像素的块[115]的值,第二存储器[163]存储缩略图图像[160]中的目标像素的部分值,并且第三存储器[145]存储压缩图像[140]和缩略图图像。处理器[120]从所述第一存储器检索像...
  • 公开了用于对压缩表面执行着色器写入的系统、设备及方法。在一个实施方案中,处理器包括至少一个存储器和一个或多个着色器单元。在一个实施方案中,所述处理器的着色器单元被配置为接收针对压缩表面的写入请求。所述着色器单元被配置为识别所述写入请求所...
  • 公开了一种用于使用操作(op)高速缓存的系统和方法。所述系统和所述方法包括用于高速缓存先前解码的指令的op高速缓存。所述op高速缓存包括多个物理地编索引且加标签的指令,以允许在线程之间共享指令。通过多种方式将所述op高速缓存链接起来,以...
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