一种新型的芯片背面硅通孔结构制造技术

本实用新型专利技术涉及芯片背面硅通孔的结构，属于半导体芯片封装技术领域。本实用新型专利技术一种新型的芯片背面硅通孔结构，它包括芯片本体（1）和设置在芯片本体（1）正面的芯片电极（2），所述芯片本体（1）的背面设置硅通孔（101），所述硅通孔（101）为外大内小的喇叭形，硅通孔（101）的底部直达芯片电极（2）下表面。本实用新型专利技术提供了具有喇叭形硅通孔的新型的芯片背面硅通孔结构，该结构的孔壁光滑度好和工艺兼容性好。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片背面硅通孔的结构，属于半导体芯片封装

技术介绍
随着半导体技术的发展，出现了硅通孔互联技术，即以填充金属的硅通孔在垂直方向(Z轴方向)重新分布电极或线路，实现互联从芯片一侧转移到另一侧，结合平面上(X，Y平面)的重新布线技术，使得互联可以在整个X，Y, Z方向进行。通过硅通孔互联技术，极大增加了封装的灵活性，同时为三维堆叠封装创造了条件。硅通孔互联通常包含硅通孔制作、绝缘层形成以及金属填充。对于行业内常用的直孔来说，形成过程主要采用“B0SCH”刻蚀方法，即交替的使用刻蚀及钝化的工艺。但直孔不利于后续孔内金属填充过程中溶液进入，容易导致填充不良。而且“B0SCH”刻蚀方法最终会在孔壁上留下高低起伏的圈状纹路(scallop)，即孔壁波纹，并且在硅与下层材料的界面留下侧向内凹(notch)。而这些孔壁波纹和侧向内凹都会导致后续绝缘层覆盖不足，影响绝缘层形成的质量。
技术实现思路
本技术的目的在于克服当前硅通孔结构的不足，提供一种不是直孔、具有孔壁光滑度好和工艺兼容性好的新型的芯片背面硅通孔结构。本技术的目的是这样实现的本技术一种新型的芯片背面硅通孔结构，它包括芯片本体和设置在芯片本体正面的芯片电极，所述芯片本体的背面设置硅通孔，所述硅通孔为外大内小的喇叭形，硅通孔的底部直达芯片电极下表面。喇叭形硅通孔有利于后续工艺的操作，消除孔壁波纹缺陷和内凹(notch)缺陷，同时提升孔壁光滑度。本技术的有益效果是硅通孔呈外大内小的喇叭形，孔壁光滑度好和工艺兼容性好，避免了孔壁波纹缺陷和内凹(notch)缺陷的发生，有利于后续绝缘层覆盖和孔内金属填充，提高产品的可靠性。附图说明图1为本技术一种新型的芯片背面硅通孔结构的示意图。图中芯片本体I芯片电极2硅通孔101。具体实施方式参见图1， 本技术一种新型的芯片背面硅通孔结构，包括芯片本体1、设置在芯片本体1正面的芯片电极2和设置在芯片本体1背面的硅通孔101，所述硅通孔101的位置与芯片电极2的位置对应，所述硅通孔101为外大内小、光滑的喇叭形，硅通孔101的底 部直达芯片电极2下表面。所述硅通孔101利用胶层作为掩模、采用二次干法刻蚀的方法成形，降低了孔壁粗糙度、消除了侧向内凹缺陷，并且使常规的直孔形貌发生变化，形成喇叭形孔，以方便后续工艺的进行。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型的芯片背面硅通孔结构，包括芯片本体（1）和设置在芯片本体（1）正面的芯片电极（2），其特征在于：所述芯片本体（1）的背面设置硅通孔（101），所述硅通孔（101）为外大内小的喇叭形，硅通孔（101）的底部直达芯片电极（2）下表面。

【技术特征摘要】
1.一种新型的芯片背面硅通孔结构，包括芯片本体(I)和设置在芯片本体(I)正面的芯片电极(2)，其特征在于所述芯片本体(...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈栋，张黎，胡正勋，陈锦辉，赖志明，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：实用新型
国别省市：