【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着科技的迅速发展，芯片技术一直是推动半导体行业发展的关键。芯粒（chiplet）是一种新兴的芯片设计和制造方法，它将原本整合在单个芯片上的功能模块分解成多个独立的芯片单元。每个芯片单元称为一个芯粒，它可以独立设计、制造和测试，多个芯粒可以组合成一个完整的系统(system on chip，简称soc)。该种技术提高了封装结构的性能，降低了功耗，并增加了设计灵活性。
2、由于不同的芯粒可能来自不同晶圆厂或者不同制程或者不同衬底材料，或者不同的芯粒可能会被预先减薄以满足切割要求，使得在将不同的芯粒集成在同一封装结构中时，芯粒的高度存在差别，若两个芯粒的高度不一致，则在对封装结构进行研磨的过程中，高度较高的芯粒预先被磨到，该芯粒会首先承受磨轮旋转的横切力，而高度较低的芯粒未被磨到，此时其并不承受磨轮旋转的横切力，导致高度不同的两个芯粒在研磨初始时受到的应力不同，容易造成其中一个芯粒，甚至该两个芯粒均有开裂等异常，增加了封装工艺的复杂度以及降低了封装结构的可靠性。
技术实现思路
1、鉴于此，本专利技术的目的在于，提供一种封装结构及形成方法，其能够降低封装工艺的复杂度以及提高封装结构的可靠性。
2、为了实现上述目的，本专利技术实施例提供一种封装结构的形成方法，其包括：提供一基板，至少一芯粒单元以及至少一第二芯粒倒装设置在所述基板上，所述芯粒单元包括第一芯粒以及初始补偿层，所述第一芯粒倒装
3、在一实施例中，至少一芯粒单元以及至少一第二芯粒倒装设置在所述基板上的方法包括：提供补偿晶圆以及包含所述第一芯粒的目标晶圆；将所述补偿晶圆贴合在所述目标晶圆的背面；切割所述补偿晶圆与所述目标晶圆，形成多个独立的所述芯粒单元，所述补偿晶圆用于形成所述初始补偿层，所述目标晶圆用于形成所述第一芯粒；提供第二芯粒，并将所述芯粒单元以及所述第二芯粒倒装设置在所述基板上。
4、在一实施例中，将所述补偿晶圆贴合在所述目标晶圆的背面的步骤包括：在所述补偿晶圆的一表面形成粘结材料层；将所述补偿晶圆具有所述粘结材料层的一面贴合在所述目标晶圆的背面。
5、在一实施例中，至少一芯粒单元以及至少一第二芯粒倒装设置在所述基板上的方法包括：提供补偿晶圆以及包含所述第一芯粒的目标晶圆；切割所述补偿晶圆，形成多个独立的所述初始补偿层，以及切割所述目标晶圆，形成多个独立的所述第一芯粒；提供所述第二芯粒，并将所述第一芯粒以及所述第二芯粒倒装设置在所述基板上；将所述初始补偿层贴合在所述第一芯粒的所述第一背面，以形成所述芯粒单元。
6、在一实施例中，在提供补偿晶圆的步骤中，所述补偿晶圆的一表面具有粘结材料层；切割所述补偿晶圆的步骤中，所述粘结材料层被切割，以在所述初始补偿层的一表面形成粘结层；将所述初始补偿层贴合在所述第一芯粒的所述第一背面的步骤包括：将所述初始补偿层具有所述粘结层的表面贴合在所述第一芯粒的所述第一背面。
7、在一实施例中，将所述第一芯粒以及所述第二芯粒倒装设置在所述基板上的步骤之后还包括：在所述第一芯粒的所述第一背面形成粘结层；将所述初始补偿层贴合在所述第一芯粒的所述第一背面的步骤中，所述初始补偿层通过所述粘结层贴合在所述第一芯粒的所述第一背面。
8、在一实施例中，所述设定范围为-10微米~10微米。
9、在一实施例中，所述第二背面至所述基板的表面的距离与所述第一背面至所述基板的表面的距离的差值大于或等于50微米。
10、在一实施例中，采用塑封料进行塑封的步骤之前还包括：采用填充料进行填充，所述填充料填充在所述第一芯粒与所述基板之间，以及所述第二芯粒与所述基板之间；采用塑封料进行塑封的步骤还包括：所述塑封料包覆所述填充料。
11、在一实施例中，在执行减薄的步骤中，减薄工艺对所述初始补偿层以及所述第二芯粒的所述第二背面的减薄速率相同。
12、在一实施例中，所述初始补偿层的材料与所述第二芯粒的材料相同。
13、在一实施例中，执行减薄步骤之后还包括：在所述基板背离所述塑封体的表面形成电学引出结构。
14、本专利技术实施例还提供一种封装结构，其包括：基板；至少一芯粒单元，包括第一芯粒以及目标补偿层，所述第一芯粒倒装设置在所述基板上，所述第一芯粒具有背离所述基板的第一背面，所述目标补偿层设置在所述第一背面上；至少一第二芯粒，倒装设置在所述基板上，所述第二芯粒具有背离所述基板的第二背面，其中，所述第一芯粒的所述第一背面至所述基板的表面的距离小于所述第二芯粒的所述第二背面至所述基板的表面的距离，且所述第二背面至所述基板的表面的距离与所述目标补偿层的表面至所述基板的表面的距离相等；塑封体，包覆所述第一芯粒、所述第二芯粒以及所述目标补偿层，且所述第二芯粒的所述第二背面以及所述目标补偿层的表面暴露于所述塑封体。
15、在一实施例中，所述第一芯粒与所述目标补偿层通过粘结层贴合。
16、在一实施例中，所述目标补偿层的材料与所述第二芯粒的材料相同。
17、在一实施例中，所述封装结构还包括填充料，所述填充料填充在所述第一芯粒与所述基板之间，以及所述第二芯粒与所述基板之间，且所述塑封体包覆所述填充料。
18、在一实施例中，所述封装结构还包括电学引出结构，所述电学引出结构设置在所述基板背离所述塑封体的表面。
19、本专利技术封装结构及其形成方法中，第一芯粒的第一背面至基板表面的距离小于第二芯粒的第二背面至基板表面的距离，则所述形成方法先在厚度较薄的第一芯粒的背面设置初始补偿层，通常第二背面至所述基板的表面的距离与所述第一背面至所述基板的表面的距离的差值大于或等于50微米，会对所述第一芯粒进行厚度补偿，使得所形成的芯粒单元的背面至基板表面的距离与第二芯粒的第二背面至基板表面的距离之差在设定范围内（例如±10微米），在塑封步骤之后的减薄步骤中，第一芯粒所在的芯粒单元与第二芯粒基本在同一高度处被同时减薄，即在减薄初始阶段所述芯粒单元与所述第二芯粒同时被磨削，两者同时受到磨削装置的横切力，克服了在减薄初始阶段高度较高的芯粒先承受横切力的问题，所述芯粒单元中的所述第一芯粒与所述第二芯粒受本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，至少一芯粒单元以及至少一第二芯粒倒装设置在所述基板上的方法包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，将所述补偿晶圆贴合在所述目标晶圆的背面的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，至少一芯粒单元以及至少一第二芯粒倒装设置在所述基板上的方法包括：
5.根据权利要求4所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在提供补偿晶圆的步骤中，所述补偿晶圆的一表面具有粘结材料层；切割所述补偿晶圆的步骤中，所述粘结材料层被切割，以在所述初始补偿层的一表面形成粘结层；
6.根据权利要求4所述的封装结构的形成方法，其特征在于，将所述第一芯粒以及所述第二芯粒倒装设置在所述基板上的步骤之后还包括：在所述第一芯粒的所述第一背面形成粘结层；
7.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述设定范围为-10微米~10微米。
8.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其
9.根据权利要求1~8任意一项所述的封装结构的形成方法，其特征在于，采用塑封料进行塑封的步骤之前还包括：
10.根据权利要求1~8任意一项所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在执行减薄的步骤中，减薄工艺对所述初始补偿层以及所述第二芯粒的所述第二背面的减薄速率相同。
11.根据权利要求10所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述初始补偿层的材料与所述第二芯粒的材料相同。
12.根据权利要求1~8任意一项所述的封装结构的形成方法，其特征在于，执行减薄步骤之后还包括：在所述基板背离所述塑封体的表面形成电学引出结构。
13.一种封装结构，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯粒与所述目标补偿层通过粘结层贴合。
15.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述目标补偿层的材料与所述第二芯粒的材料相同。
16.根据权利要求13~15任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括填充料，所述填充料填充在所述第一芯粒与所述基板之间，以及所述第二芯粒与所述基板之间，且所述塑封体包覆所述填充料。
17.根据权利要求13~15任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括电学引出结构，所述电学引出结构设置在所述基板背离所述塑封体的表面。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，至少一芯粒单元以及至少一第二芯粒倒装设置在所述基板上的方法包括：
3.根据权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，将所述补偿晶圆贴合在所述目标晶圆的背面的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，至少一芯粒单元以及至少一第二芯粒倒装设置在所述基板上的方法包括：
5.根据权利要求4所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在提供补偿晶圆的步骤中，所述补偿晶圆的一表面具有粘结材料层；切割所述补偿晶圆的步骤中，所述粘结材料层被切割，以在所述初始补偿层的一表面形成粘结层；
6.根据权利要求4所述的封装结构的形成方法，其特征在于，将所述第一芯粒以及所述第二芯粒倒装设置在所述基板上的步骤之后还包括：在所述第一芯粒的所述第一背面形成粘结层；
7.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述设定范围为-10微米~10微米。
8.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二背面至所述基板的表面的距离与所述第一背面至所述基板的表面的距离的差值大于或等于50微米。
9.根据权利要求1~8任意一项所述的封装...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈海杰，刘涛，赵强，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：
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