封装结构及其形成方法技术

一种封装结构的形成方法包括：提供转接板，转接板包括第一重布线层，第一重布线层包括第一组导电衬垫及第二组导电衬垫；提供器件基板，器件基板包括无源器件层及覆盖无源器件层的第二重布线层，无源器件层包括至少一无源器件，第二重布线层包括第三组导电衬垫及第四组导电衬垫，第三组导电衬垫的另一端与无源器件电连接；以第一重布线层的第一表面及第二重布线层的第一表面为键合面，采用混合键合工艺将转接板与器件基板键合；自器件基板背离转接板的表面去除部分无源器件层，以暴露出第四组导电衬垫；在器件基板背离转接板的表面设置至少一芯片，芯片与第四组导电衬垫电连接。该方法直接在转接板内部或者表层集成无源器件，提高了工艺兼容性。高了工艺兼容性。高了工艺兼容性。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及封装领域，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着先进封装技术的不断演进，基于先进封装技术的芯粒(Chiplet)技术已成为驱动设计效率提升的重要方式。芯粒技术是指预先制造好、具有特定功能、可组合集成的晶片(Die)，应用系统级封装(System in Package，SiP)技术，通过有效的片间互联和封装架构，将不同功能、不同工艺节点制造的芯片封装到一起，形成一个系统芯片。
[0003]目前采用转接板连接是实现芯片之间以及芯片与基板之间电互连的有效方式之一。但是，现有的转接板中并未集成无源器件(例如电容)，无源器件需要通过额外的表面贴装(Surface Mounted Technology，SMT)等工艺与转接板连接，其与芯片之间以及芯片与基板之间的倒装工艺不匹配，且无源器件的尺寸较大，造成转接板面积浪费，不利于封装结构的小型化。
[0004]因此如何实现无源器件与转接板之间的封装成为研究的重点。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种封装结构及其形成方法，其能够提高封装工艺的兼容性，且有利于封装结构的小型化。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种封装结构的形成方法，包括：提供转接板，所述转接板包括第一重布线层，所述第一重布线层包括第一组导电衬垫及第二组导电衬垫，且所述第一组导电衬垫及所述第二组导电衬垫的一端均暴露于所述第一重布线层的第一表面；提供器件基板，所述器件基板包括无源器件层及覆盖所述无源器件层的第二重布线层，所述无源器件层包括至少一无源器件，所述第二重布线层包括第三组导电衬垫及第四组导电衬垫，所述第三组导电衬垫与所述第四组导电衬垫的一端均暴露于所述第二重布线层的第一表面，且所述第三组导电衬垫的另一端与所述无源器件电连接；以所述第一重布线层的第一表面及所述第二重布线层的第一表面为键合面，采用混合键合工艺将所述转接板与所述器件基板键合，其中，所述第一组导电衬垫与所述第三组导电衬垫电连接，所述第二组导电衬垫与所述第四组导电衬垫电连接；自所述器件基板背离所述转接板的表面去除部分所述无源器件层，以暴露出所述第四组导电衬垫；在所述器件基板背离所述转接板的表面设置至少一芯片，所述芯片与所述第四组导电衬垫电连接。
[0007]在一实施例中，在采用混合键合工艺将所述转接板与所述器件基板键合的步骤之前，包括：对所述第一重布线层的第一表面进行平坦化处理，和\或对所述第二重布线层的第一表面进行平坦化处理。
[0008]在一实施例中，在采用混合键合工艺将所述转接板与所述器件基板键合的步骤之前，包括：对所述第一重布线层的第一表面和\或对所述第二重布线层的第一表面进行活化处理。
[0009]在一实施例中，所述第一重布线层包括第一介质层，所述第一组导电衬垫及所述第二组导电衬垫设置在所述第一介质层内且暴露于所述第一介质层的表面；所述第二重布线层包括第二介质层，所述第三组导电衬垫及所述第四组导电衬垫设置在所述第二介质层内且暴露于所述第二介质层的表面；在采用混合键合工艺将所述转接板与所述器件基板键合的步骤中，所述第一介质层还与所述第二介质层键合连接；在自所述器件基板背离所述转接板的表面去除部分所述无源器件层的步骤中，所述第二介质层也被暴露。
[0010]在一实施例中，在所述器件基板背离所述转接板的表面设置芯片的步骤包括：在所述器件基板背离所述转接板的表面，采用倒装工艺将芯片与所述第四组导电衬垫电连接。
[0011]在一实施例中，在所述器件基板背离所述转接板的表面设置芯片的步骤之前还包括：在所述器件基板背离所述转接板的表面形成第三重布线层，所述第三重布线层覆盖所述器件基板，所述第三重布线层包括第五组导电衬垫，所述第五组导电衬垫与所述第四组导电衬垫电连接，且所述第五组导电衬垫暴露于所述第三重布线层的第一表面；在所述第三重布线层的第一表面，采用倒装工艺将芯片与所述第五组导电衬垫电连接。
[0012]在一实施例中，在所述第三重布线层的第一表面，采用倒装工艺将芯片与所述第五组导电衬垫电连接的步骤包括：在所述第三重布线层的第一表面形成第六组导电衬垫，所述第六组导电衬垫与所述第五组导电衬垫电连接；采用倒装工艺将芯片与所述第六组导电衬垫电连接。
[0013]在一实施例中，提供转接板的步骤进一步包括：提供一载体基板，并在所述载体基板上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成所述第一重布线层；在所述器件基板背离所述转接板的表面设置芯片的步骤之后，以所述牺牲层作为分离层去除所述载体基板。
[0014]本专利技术实施例还提供一种封装结构，包括：转接板，所述转接板包括第一重布线层，所述第一重布线层包括第一组导电衬垫及第二组导电衬垫；器件基板，包括无源器件层及覆盖所述无源器件层的第二重布线层，所述无源器件层包括至少一无源器件，所述第二重布线层与所述第一重布线层混合键合连接，所述第二重布线层包括第三组导电衬垫及第四组导电衬垫，所述第三组导电衬垫的一端与所述第一组导电衬垫电连接，另一端与所述无源器件电连接，所述第四组导电衬垫的一端与所述第二组导电衬垫的一端电连接，另一端暴露于所述无源器件层；至少一芯片，设置在所述器件基板背离所述转接板的表面，所述芯片与所述第四组导电衬垫的另一端电连接。
[0015]在一实施例中，所述第一重布线层包括第一介质层，所述第一组导电衬垫及所述第二组导电衬垫设置在所述第一介质层内；所述第二重布线层包括第二介质层，所述第三组导电衬垫及所述第四组导电衬垫设置在所述第二介质层内；所述第一介质层还与所述第二介质层键合连接，且所述第一介质层的材料与所述第二介质层的材料相同，和/或所述第一组导电衬垫与所述第三组导电衬垫的材料相同。
[0016]在一实施例中，还包括第三重布线层，其覆盖所述器件基板背离所述转接板的表面，所述第三重布线层包括第五组导电衬垫，所述第五组导电衬垫的一端与所述第四组导电衬垫的另一端电连接，所述芯片设置在所述第五重布线层表面，且与所述第五组导电衬垫的另一端电连接。
[0017]在一实施例中，还包括第六组导电衬垫，所述第六组导电衬垫设置在所述第三重
布线层背离所述器件基板的表面，且所述第六组导电衬垫的一端与所述第五导电衬垫的另一端电连接，所述芯片与所述第六组导电衬垫的另一端电连接。
[0018]本专利技术封装结构的形成方法能够在设置所述芯片之前利用晶圆级封装工艺直接在转接板内部或者表层集成无源器件，无需采用额外的表面贴装工艺将所述无源器件与转接板连接，大大提高了工艺的兼容性；并且该种形成方法形成的所述无源器件尺寸小，大大节省了转接板的面积，有利于封装结构的小型化；所述芯片与所述无源器件设置在所述转接板的同一侧，使得所述无源器件与所述芯片的距离较近，能够在所述芯片近端实现局部储能，显著提升具有所述封装结构的高速电路的电源完整性。另外，还可在器件基板中的无源器件的制造过程中调整无源器件的参数，例如通过加工工艺的改变或者调整电容矩阵面积调整电容的容值，使得无源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供转接板，所述转接板包括第一重布线层，所述第一重布线层包括第一组导电衬垫及第二组导电衬垫，且所述第一组导电衬垫及所述第二组导电衬垫的一端均暴露于所述第一重布线层的第一表面；提供器件基板，所述器件基板包括无源器件层及覆盖所述无源器件层的第二重布线层，所述无源器件层包括至少一无源器件，所述第二重布线层包括第三组导电衬垫及第四组导电衬垫，所述第三组导电衬垫与所述第四组导电衬垫的一端均暴露于所述第二重布线层的第一表面，且所述第三组导电衬垫的另一端与所述无源器件电连接；以所述第一重布线层的第一表面及所述第二重布线层的第一表面为键合面，采用混合键合工艺将所述转接板与所述器件基板键合，其中，所述第一组导电衬垫与所述第三组导电衬垫电连接，所述第二组导电衬垫与所述第四组导电衬垫电连接；自所述器件基板背离所述转接板的表面去除部分所述无源器件层，以暴露出所述第四组导电衬垫；在所述器件基板背离所述转接板的表面设置至少一芯片，所述芯片与所述第四组导电衬垫电连接。2.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在采用混合键合工艺将所述转接板与所述器件基板键合的步骤之前，包括：对所述第一重布线层的第一表面进行平坦化处理，和\或对所述第二重布线层的第一表面进行平坦化处理。3.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在采用混合键合工艺将所述转接板与所述器件基板键合的步骤之前，包括：对所述第一重布线层的第一表面和\或对所述第二重布线层的第一表面进行活化处理。4.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一重布线层包括第一介质层，所述第一组导电衬垫及所述第二组导电衬垫设置在所述第一介质层内且暴露于所述第一介质层的表面；所述第二重布线层包括第二介质层，所述第三组导电衬垫及所述第四组导电衬垫设置在所述第二介质层内且暴露于所述第二介质层的表面；在采用混合键合工艺将所述转接板与所述器件基板键合的步骤中，所述第一介质层还与所述第二介质层键合连接；在自所述器件基板背离所述转接板的表面去除部分所述无源器件层的步骤中，所述第二介质层也被暴露。5.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在所述器件基板背离所述转接板的表面设置芯片的步骤包括：在所述器件基板背离所述转接板的表面，采用倒装工艺将芯片与所述第四组导电衬垫电连接。6.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在所述器件基板背离所述转接板的表面设置芯片的步骤之前还包括：在所述器件基板背离所述转接板的表面形成第三重布线层，所述第三重布线层覆盖所述器件基板，所述第三重布线层包括第五组导电衬垫...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海杰，王长文，刘昊宇，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：