【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，具体为一种晶圆级多层电感封装结构以及相应的制备方法。
技术介绍
1、随着各类移动消费类电子产品的迅猛发展，如何实现产品更持久的使用，进一步减小芯片的尺寸、降低产品的功耗变得越来越重要。在chiplet封装时，电感类器件一般作为分立器件贴附在基板或印刷电路板上，这种电感类器件的安装方式浪费封装面积，使封装后的封装结构的尺寸增大，而通过晶圆级封装，可以在晶圆内集成电感线圈，实现电感性能。
2、目前共模电感封装需要做成多层金属布线(大于等于2层再布线层，甚至需要4层介电层和5层再布线层以上)，且厚度较厚，和硅片热膨胀系数不匹配，在封装制程中圆片会产生较大的翘曲，存在可制造性问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服传统晶圆级电感封装结构存在可制造性问题，提供了一种晶圆级多层电感封装结构以及相应的制备方法。
2、为了实现上述目的，本专利技术实施例提供一种晶圆级多层电感封装结构，包括：
3、第一电感封装子结构，所述第一电感封装子结构内具有第一电感结构，所述第一电感封装子结构包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
4、位于所述第一电感封装子结构第二表面的第二电感封装子结构，所述第二电感封装子结构内具有第二电感结构，所述第二电感封装子结构包括与第一电感封装子结构相对的第二表面和与所述第二表面相对的第一表面，所述第二电感封装子结构的第二表面与所述第一电感封装子结构的第二表面通过混合键合相贴合；
5、
6、作为可选实施方式，还包括：位于所述第一电感封装子结构第一表面、第二表面，位于所述第二电感封装子结构第一表面、第二表面的四个表面中至少一个表面的磁性材料层。
7、作为可选实施方式，所述磁性材料层的材料为顺磁材料或强磁材料。
8、作为可选实施方式，所述第一电感封装子结构包括多层介电层和对应的多层第一金属互连层，位于所述多层介电层之间的第一电感结构；所述第二电感封装子结构包括多层介电层和对应的多层第二金属互连层，位于所述多层介电层之间的第二电感结构，且所述第一金属互连层和第二金属互连层通过混合键合电学连接。
9、作为可选实施方式，还包括第一封装载板，所述第一电感封装子结构位于所述第一封装载板表面且所述第一电感封装子结构通过第一表面与所述第一封装载板表面相贴合。
10、作为可选实施方式，还包括第一封装载板和位于所述第一封装载板表面的磁性材料层，所述第一电感封装子结构位于所述磁性材料层表面且所述第一电感封装子结构通过第一表面、磁性材料层与所述第一封装载板表面相贴合。
11、作为可选实施方式，所述第一电感结构、第二电感结构为单层或多层电感结构。
12、作为可选实施方式，所述第一电感结构、第二电感结构通过混合键合电学连接。
13、作为可选实施方式，所述第一电感结构、第二电感结构构成共轭电感。
14、本专利技术实施例还提供了一种晶圆级多层电感封装结构的制备方法，包括：
15、提供第一封装载板和第二封装载板；
16、在所述第一封装载板表面形成第一电感封装子结构，所述第一电感封装子结构内具有第一电感结构，所述第一电感封装子结构包括相对第一封装载板的第一表面和与第一表面相对的第二表面；
17、在所述第二封装载板表面形成第二电感封装子结构，所述第二电感封装子结构内具有第二电感结构，所述第二电感封装子结构包括相对第二封装载板的第一表面和与第一表面相对的第二表面；
18、将所述第二电感封装子结构的第二表面与所述第一电感封装子结构的第二表面进行预处理并通过混合键合相贴合；
19、去除所述第二封装载板；
20、在所述第二电感封装子结构第一表面形成焊盘结构。
21、作为可选实施方式，还包括：
22、在所述第一封装载板表面形成磁性材料层，在所述磁性材料层表面形成第一电感封装子结构；
23、或者在所述第二封装载板表面形成磁性材料层，在所述磁性材料层表面形成第二电感封装子结构；
24、或者在所述第一封装载板表面形成第一磁性材料层，在所述第一磁性材料层表面形成第一电感封装子结构，在所述第一电感封装子结构的第二表面形成第二磁性材料层；
25、或者在所述第二封装载板表面形成第一磁性材料层，在所述第一磁性材料层表面形成第二电感封装子结构，在所述第二电感封装子结构的第二表面形成第二磁性材料层；
26、或者在所述第一电感封装子结构的第二表面、第二电感封装子结构的第二表面形成磁性材料层；
27、或者在所述第一封装载板表面形成第一磁性材料层，在所述第一磁性材料层表面形成第一电感封装子结构，在所述第二封装载板表面形成第三磁性材料层，在所述第三磁性材料层表面形成第二电感封装子结构，在所述第一电感封装子结构的第二表面或第二电感封装子结构的第二表面形成第二磁性材料层。
28、作为可选实施方式，所述磁性材料层的材料为顺磁材料或强磁材料。
29、作为可选实施方式，还包括：
30、去除第一封装载板。
31、作为可选实施方式，形成第一电感封装子结构的方法包括：
32、在所述第一封装载板表面形成多层介电层、位于所述多层介电层之间的第一电感结构、多层第一金属互连层；
33、在所述多层介电层表面形成第一顶部凸点，利用所述第一顶部凸点实现混合键合电学连接。
34、作为可选实施方式，形成第二电感封装子结构的方法包括：
35、在所述第二封装载板表面形成多层介电层、位于所述多层介电层之间的第二电感结构、多层第二金属互连层；
36、在所述多层介电层表面形成第二顶部凸点，利用所述第二顶部凸点实现混合键合电学连接。
37、作为可选实施方式，所述第一电感结构、第二电感结构为单层或多层电感结构。
38、作为可选实施方式，所述第一电感结构、第二电感结构通过混合键合电学连接。
39、作为可选实施方式，所述第一电感结构、第二电感结构构成共轭电感。
40、本专利技术的有益效果：
41、本专利技术提供了一种晶圆级多层电感封装结构以及相应的制备方法，所述第一电感封装子结构和第二电感封装子结构先分别形成，然后通过混合键合相贴合。由于第一电感封装子结构和第二电感封装子结构分开形成，第一电感封装子结构中的第一电感结构和多层第一金属互连层的层数较少，第二电感封装子结构中的第二电感结构和多层第二金属互连层的层数较少，第一电感封装子结构和第二电感封装子结构本身厚度较薄，在电感制程中圆片不容易产生较大的翘曲，然后采用混合键合的方式将所述第一电感封装子结构和第二电感封装子结构相贴合，有利于形成较薄的晶圆级多层电感封装结构，且所述电感距离后续封装的芯片更近，效果更好。
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1.一种晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，还包括：位于所述第一电感封装子结构第一表面、第二表面，位于所述第二电感封装子结构第一表面、第二表面的四个表面中至少一个表面的磁性材料层。
3.根据权利要求2所述的晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，所述磁性材料层的材料为顺磁材料或强磁材料。
4.根据权利要求1所述的晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，所述第一电感封装子结构包括多层介电层和对应的多层第一金属互连层，位于所述多层介电层之间的第一电感结构；所述第二电感封装子结构包括多层介电层和对应的多层第二金属互连层，位于所述多层介电层之间的第二电感结构，且所述第一金属互连层和第二金属互连层通过混合键合电学连接。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，还包括第一封装载板，所述第一电感封装子结构位于所述第一封装载板表面且所述第一电感封装子结构通过第一表面与所述第一封装载板表面相贴合。
6.根据权利要求1所述的磁性材料层电感封装结构，其特征在于
7.根据权利要求1所述的晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，所述第一电感结构、第二电感结构为单层或多层电感结构。
8.根据权利要求1所述的晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，所述第一电感结构、第二电感结构通过混合键合电学连接。
9.根据权利要求1所述的晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，所述第一电感结构、第二电感结构构成共轭电感。
10.一种晶圆级多层电感封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的晶圆级多层电感封装结构的制备方法，其特征在于，还包括：
12.根据权利要求11所述的晶圆级多层电感封装结构的制备方法，其特征在于，所述磁性材料层的材料为顺磁材料或强磁材料。
13.根据权利要求10所述的晶圆级多层电感封装结构的制备方法，其特征在于，还包括：
14.根据权利要求10所述的晶圆级多层电感封装结构的制备方法，其特征在于，形成第一电感封装子结构的方法包括：
15.根据权利要求10所述的晶圆级多层电感封装结构的制备方法，其特征在于，形成第二电感封装子结构的方法包括：
16.根据权利要求10所述的晶圆级多层电感封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一电感结构、第二电感结构为单层或多层电感结构。
17.根据权利要求10所述的晶圆级多层电感封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一电感结构、第二电感结构构成共轭电感。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，还包括：位于所述第一电感封装子结构第一表面、第二表面，位于所述第二电感封装子结构第一表面、第二表面的四个表面中至少一个表面的磁性材料层。
3.根据权利要求2所述的晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，所述磁性材料层的材料为顺磁材料或强磁材料。
4.根据权利要求1所述的晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，所述第一电感封装子结构包括多层介电层和对应的多层第一金属互连层，位于所述多层介电层之间的第一电感结构；所述第二电感封装子结构包括多层介电层和对应的多层第二金属互连层，位于所述多层介电层之间的第二电感结构，且所述第一金属互连层和第二金属互连层通过混合键合电学连接。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆级多层电感封装结构，其特征在于，还包括第一封装载板，所述第一电感封装子结构位于所述第一封装载板表面且所述第一电感封装子结构通过第一表面与所述第一封装载板表面相贴合。
6.根据权利要求1所述的磁性材料层电感封装结构，其特征在于，还包括第一封装载板和位于所述第一封装载板表面的磁性材料层，所述第一电感封装子结构位于所述磁性材料层表面且所述第一电感封装子结构通过第一表面、磁性材料层与所述第一封装载板表面相贴合。
7.根据权利要求1所述的晶圆级多层电感封...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈海杰，成炎炎，刘涛，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：
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