用于半导体结构接触的隔离件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构，半导体结构包括：外延区域、栅极结构、接触隔离件、和蚀刻停止层。外延区域位于衬底中。外延区域的顶面高于衬底的顶面，并且外延区域具有在衬底的顶面和外延区域的顶面之间的小平面。栅极结构位于衬底上方。接触隔离件横向位于外延区域的小平面和栅极结构之间。蚀刻停止层位于接触隔离件的每个和外延区域的顶面上方并且邻接接触隔离件的每个和外延区域的顶面。接触隔离件的蚀刻选择性与蚀刻停止层的蚀刻选择性的比率等于或小于3∶1。本发明专利技术还提供了用于半导体结构接触的隔离件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及用于半导体结构接触的隔离件
技术介绍
由于集成电路(IC)的发展，半导体工业一直在追求改进IC的性能或尺寸。许多改进集中在更小特征尺寸以便能够提高IC的速度。随着特征尺寸的减小，增加了 IC上的器件(例如，晶体管、二级管、电阻器、电容器等)的密度。随着密度的增加，通常减少了器件之间的距离，这允许在器件之间有更小的电阻和电容。因此，能够减少阻容(Re)时间常数。其他改进集中在 用不同材料去实现有益效果。衬底上的不同材料的外延生长被用于获得有益效果。例如，衬底上不同材料的生长能够有助于引入材料的应力和应变以增加电荷载流子的迁移率。而且，外延生长材料(如材料中的掺杂物)的电电气特性能够用于更好地获得较好的晶体结构，同时具有掺杂物离子以减少电阻或者增加迁移率。然而，材料的外延生长可以生成小平面(faceting)。当对所述材料蚀刻开口，从而在开口中形成接触件时，小平面可能是个问题。如果开口稍微未对准，例如位于小平面上方，开口有可能不能蚀刻到外延材料。如果开口没有被蚀刻到所述小平面，则接触件的导电材料将不能与小平面物理接触。因此，接触件不能接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构包括：外延区域，位于衬底中，所述外延区域的顶面高于所述衬底的顶面，所述外延区域具有在所述衬底的所述顶面和所述外延区域的所述顶面之间的小平面；栅极结构，位于所述衬底上方；接触隔离件，所述接触隔离件横向位于所述外延区域的小平面和所述栅极结构之间；以及，蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述接触隔离件以及所述外延区域的所述顶面中的每个上方并且邻接所述接触隔离件和所述外延区域的所述顶面中的每个，所述接触隔离件的蚀刻选择性与所述蚀刻停止层的蚀刻选择性的比率等于或小于3∶1。

【技术特征摘要】
2011.10.13 US 13/272,8751.一种半导体结构包括 外延区域，位于衬底中，所述外延区域的顶面高于所述衬底的顶面，所述外延区域具有在所述衬底的所述顶面和所述外延区域的所述顶面之间的小平面； 栅极结构，位于所述衬底上方； 接触隔离件，所述接触隔离件横向位于所述外延区域的小平面和所述栅极结构之间；以及， 蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述接触隔离件以及所述外延区域的所述顶面中的每个上方并且邻接所述接触隔离件和所述外延区域的所述顶面中的每个，所述接触隔离件的蚀刻选择性与所述蚀刻停止层的蚀刻选择性的比率等于或小于3 I。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述蚀刻停止层的材料与所述接触隔离件的材料相同。3.根据权利要求1所述的半导体结构，进一歩包括 层间介电层，位于所述蚀刻停止层上方；以及 接触件，穿过所述层间介电层，所述接触件电连接到所述外延区域。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述蚀刻停止层和所述接触隔离件均为氮化硅。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极结构包括栅极介电层，位于所述衬底上方；栅电极，位于所述栅极介电层上方；和栅极隔离件，沿着所述栅电极的侧壁和所述栅极介电层的侧壁，所述栅极隔离件的侧壁邻接所述接触隔离件，所述接触隔离件邻接所述小平面。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述接触隔离件没有位于所述外延区域的顶面上方。7.一种用于形成半...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯俊宏，陈志辉，黄明杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：