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本实用新型公开了一种条状设计的IGBT功率器件，它包括基区，所述基区左右两侧设有沟槽，所述基区上覆盖有条状结构的发射区，且发射区覆盖所有有源区，所述发射区上离子注入后形成条状的接触层。本实用新型的发射区和接触层均为条状结构，令本实用新型更容...
该专利属于步建康所有，仅供学习研究参考，未经过步建康授权不得商用。

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