一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，该存储器包含在半导体层上通过真空蒸镀工艺形成的源极、漏极，半导体层以下依次为隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层、栅电极和柔性塑料衬底，所述的电荷阻挡层采用的是高绝缘性交联聚合物，并且通过小分子掺杂工艺和溶液加工的方式在电荷阻挡层的上表面形成一个隔离层，同时实现浮栅层和隧穿层的功能。本发明专利技术还提出一种制备上述浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的方法。本发明专利技术不仅能够在较低电压下表现出良好的晶体管性能，更能够在低电压下通过多元掺杂的方式实现较好的存储，并且在较小的弯曲半径和不同的弯曲方式下仍然可以保持原有的晶体管和存储器的性能，具有很好的机械柔韧性。

A floating gate flexible low voltage field effect transistor memory

The invention discloses a floating gate type flexible low voltage transistor memory, the memory is included in the semiconductor layer by vacuum evaporation process for forming the source electrode and the drain electrode, a semiconductor layer followed by tunneling layer, a floating gate layer, charge barrier layer, a gate electrode and a flexible plastic substrate, charge the barrier layer is used in high insulation crosslinked polymers and small molecules by doping process and solution processing way of barrier layer is formed on the upper surface of an isolation layer in charge, while the floating gate layer and tunneling layer function. The invention also provides a method for preparing the floating gate type flexible low voltage field effect transistor memory. The invention can not only show the good performance of the transistor in the low voltage, can achieve better storage through multiple doping method under low voltage, and can still maintain the original performance of the transistor and the memory in the small bending radius and bending mode under different, with good mechanical flexibility.

【技术实现步骤摘要】
一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器
本专利技术属于半导体器件领域，具体涉及一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器及其制备方法。
技术介绍
与传统的刚性有机场效应晶体管相比,柔性有机场效应晶体管具有可折叠、质量轻、低成本等优点,在柔性显示、柔性传感器和柔性集成电路等方面显示了广阔的应用前景,受到了学术界和工业界的广泛关注,已经成为当前的研究热点。经过近几年的发展，有机场效应晶体管存储器的各种参数性能都有了明显地提高。但是在传统的刚性硅片上制备的存储器，一般操作电压较大，且机械柔韧性差，很多场合并不适用，所以柔性低电压存储器凭借其特有的优势应运而生。一般存储器都分为三大类,分别是电介体存储器、铁电型存储器和浮栅型存储器，柔性低电压存储器大致也可以分为这三大类。目前柔性低电压电介体存储器主要是利用PMMA、PVA、PVK、PVK、GO以及PS等常用电介质材料来存储电荷。基于有机电介体的场效应晶体管存储器基本的工作机理是在栅电压的作用下，有源层与绝缘层界面处会产生热载流子，这些载流子在源漏电压的作用下，注入到缓冲层/栅介质界面储存起来，这些载流子可以在反向源漏电压作用下，从缓冲层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，包含在半导体层上通过真空蒸镀工艺形成的源极、漏极，半导体层以下依次为隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层、栅电极和柔性塑料衬底，其特征在于，所述的电荷阻挡层采用的是高绝缘性交联聚合物，并且通过小分子掺杂工艺和溶液加工的方式在电荷阻挡层的上表面形成一个隔离层，同时实现浮栅层和隧穿层的功能。

【技术特征摘要】
1.一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，包含在半导体层上通过真空蒸镀工艺形成的源极、漏极，半导体层以下依次为隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层、栅电极和柔性塑料衬底，其特征在于，所述的电荷阻挡层采用的是高绝缘性交联聚合物，并且通过小分子掺杂工艺和溶液加工的方式在电荷阻挡层的上表面形成一个隔离层，同时实现浮栅层和隧穿层的功能。2.根据权利要求1所述的浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，其特征在于所述高绝缘性交联聚合物的溶液是通过采用酸酐类化合物作交联剂与聚对乙烯基苯酚进行交联反应形成的。3.根据权利要求1所述的浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，其特征在于所述小分子为富勒烯。4.根据权利要求3所述的浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，其特征在于所述小分子掺杂工艺还使用了光稳定剂944，其与富勒烯混合来实现电荷的写入与擦除。5.一种制备根据权利要求1所述的浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的方法，其特征在于包含如下步骤：(1)配置高绝缘性交联聚合物溶液：采用酸酐类化合物作交联剂与聚对乙烯基苯酚进行交联反应，选用高溶解度含酯溶剂和基于该聚合物单体的有机碱做催化剂，配置成浓度为20mg/ml的交联聚合物溶液；(2)配置浮栅和隧穿层的混合溶液：将富勒烯C60与光敏剂944以及聚苯乙烯按照一定的比例溶于甲苯溶剂中，聚苯乙烯的浓度5mg/ml...

【专利技术属性】
技术研发人员：仪明东，吴德群，解令海，陈旭东，黄维，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32