一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法技术

本发明专利技术涉及一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法，包括接出金属板以及接出金属板下面的体区的设计，所述体区上设置沟槽、源区、源区接触孔、体区接触孔、栅极接触孔，源区、体区接出面、栅极接触孔依次排布，源区接触孔设置在源区上，体区接触孔设置在体区接出面上；所述接出金属板划分为栅极金属板、源区金属板、体区电极金属板。设计步骤：缩小源区的面积，形成新的源区面，留出体接出面；确定体接出面积；在体接出面上增加体接触孔；在体接触孔上连接体接出金属板。本发明专利技术的提出，实现了对体单独施加电压，能实现电调效果。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种沟槽MOS，其特征在于，包括金属板以及金属板下面的体区，所述体区上设置沟槽、源区、源区接触孔、体区接触孔、栅极接触孔，源区、体区接出面、栅极接触孔依次排布，源区接触孔设置在源区上，体区接触孔设置在体区接出面上；所述金属板划分为栅极金属板、源金属板、体区电极金属板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄泽军，李伟，李伟聪，
申请(专利权)人：深圳市锐骏半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：