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本发明涉及一种沟槽MOS及其把沟槽MOS的体区接出的设计方法，包括接出金属板以及接出金属板下面的体区的设计，所述体区上设置沟槽、源区、源区接触孔、体区接触孔、栅极接触孔，源区、体区接出面、栅极接触孔依次排布，源区接触孔设置在源区上，体区接触...
该专利属于深圳市锐骏半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市锐骏半导体有限公司授权不得商用。

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