一种半导体材料的电阻率的测试方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体材料的电阻率的测试方法，包括步骤S1：对半导体材料样品进行研磨处理，以得到样品表面和研磨斜面的交界线；步骤S2：进行测试，测试时在所述交界线的左侧的所述样品表面中预设起始位置预留N个测试点，以确保第N+1个点在所述交界线上或在所述交界线附近，其中N为自然数；步骤S3：根据所述步骤S2中的结果进行分析并以距离所述交界线最近的一个点确定为测试起始点。本发明专利技术所述方法通过起始位置的巧妙设定及测试后第一个点的准确确定，可极大减少测试时因第一个测试点偏移而导致的测试偏差，从而准确测试样品的实际深度并提高工作效率。

Test method for resistivity of semiconductor materials

Test method for resistivity of the invention relates to a semiconductor material, comprising the steps of: S1 of semiconductor material samples were obtained by grinding processing, sample surface and grinding inclined plane boundary; step S2: test, N test points for the starting position of the preset sample surface boundary in the test when the left in the article, to ensure that the N+1 points on the border or boundary in the vicinity of the N, which is a natural number; step S3: according to the steps of the results in S2 are analyzed and the distance to the nearest point of a line to determine the starting point for the test. The method of the invention through the starting position of the ingenious setting and testing after the first point of the test deviation can be accurately determined, greatly reduce the test for the first test point deviation caused by the actual depth so as to accurately test samples and improve work efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体材料的电阻率的测试方法
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种半导体材料的电阻率的测试方法。
技术介绍
扩展电阻探针法用于定量测量某些半导体材料的局部电导率，空间分辨率高测量取样体积为10-10cm3左右，测量重复精度优于1％。将硅片磨角后用扩展电阻法可以测量分辨深度方向30nm以内电阻率的变化。因此，扩展电阻探针是硅材料及器件生产工艺质量测试手段，也可以用于砷化镓、化铟等其他半导体材料的电阻率分布测试。现有技术中针对裸硅片或已工艺硅片但上面的所有层次均被剥离后使用扩展电阻仪(以下简称SRP)测试纵向的轮廓(profile)时，起始点位置的准确确定，可以最大程度的避免SRP测试过程中设备误差或人为误差导致的起始点横向位移的问题引起结深偏差。现有技术中在进行所述测试时不可避免的存在误差现象，但是多数情况下是用SRP设备测试外延曲线分布，一般并不特别关注深度的误差，如果关注深度，则每测试一个样品前都做一次探针定位(Probelocation)，以校准测试的起始位置。现有测试方法是设备首先进行探针定位(Probelocation)，即校准设备，使预设起始位置(如图1a中左边第一个圆圈)与实际测试位置一致。随后测量时将扎针的预设起始位置设在研磨交界线上，即图1a中样品表面101与右侧研磨斜面102的交界线11，测试结束默认SRP的实际探针第一个位置在交界线上，并将此点作为测试曲线的第一个点12。但是实际测量时发现，尽管做了探针定位(Probelocation)，但测试多个样品时，实际测试的起始位置，与预设的位置存在一定的偏移(如图1b)，导致测试曲线与结深均出现一定的偏差。如果每片测试前都做探针定位(Probelocation)，偏差会减少，但工作效率很低。因此，需要对目前所述半导体材料电阻率的测试方法作进一步的改进，以便消除上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术为了克服目前存在问题，提供了一种半导体材料的电阻率的测试方法，包括：步骤S1：对半导体材料样品进行研磨处理，以得到样品表面和研磨斜面的交界线；步骤S2：进行测试，测试时在所述交界线的左侧的所述样品表面中预设起始位置预留N个测试点，以确保第N+1个点在所述交界线上或在所述交界线附近，其中N为自然数；步骤S3：根据所述步骤S2中的结果进行分析并以距离所述交界线最近的一个点确定为测试起始点。可选地，所述方法还进一步包括：步骤S4：根据所述步骤S2中的测试结果建立分析测试曲线，并将所述分析测试曲线中所述测试起始点之前的数据删除。可选地，在所述步骤S1中，还包括对研磨后的所述半导体材料样品进行清洗的步骤。可选地，在所述步骤S2中，测试时在预设起始位置预留5个点在交界线的左侧，确保第6个点在所述交界线上或附近。可选地，在分析测试曲线时，将前5个点删除，选用第6个点成为所述分析曲线的所述测试起始点。可选地，在所述步骤S3中在所述测试完成后，在显微镜下观察所述样品上的针迹，以确定所述测试起始点本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种半导体材料的电阻率的测试方法，所述方法在测试开始预设起始位置时，根据实际情况预留N个点在样品表面，确保第N+1个点在研磨交界线上；测试完成后在设备的高倍显微镜下观察实际测试针迹，选择落在研磨交界线上或者离研磨交界线最近的点为测试的真正测试起始点；分析测试曲线时，将真正测试起始点左侧的点删除，确保测试深度的准确性。此方法可以将误差控制在半个步径的范围内，极大提高了分析效率。本专利技术所述方法通过起始位置的巧妙设定及测试后第一个点的准确确定，可极大减少测试时因第一个测试点偏移而导致的测试偏差，从而准确测试样品的实际深度并提高工作效率。本专利技术的优点在于所述方法每次可进行多个样品连续测试，如果每个样品测试10分钟，则一小时内可测试完成6个样品，而业界现有的技术每测试一个点前做探针定位(Probelocation)，则每片至少需要耗时20分钟，6片估计需要分析2小时，且测试过程中人员不能离开设备，即费人工又耗机时测试效率极低，本专利技术既提高了效率又提高了分析的准确度。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中，图1a-1b为现有技术中测试所述半导体材料电阻率的过程示意图；图2a-2c为本专利技术中测试所述半导体材料电阻率的过程示意图；图3为本专利技术一具体地实施中测试所述半导体材料电阻率的工艺流程图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体材料的电阻率的测试方法，包括：步骤S1：对半导体材料样品进行研磨处理，以得到所述样品表面和研磨斜面的交界线；步骤S2：进行测试，测试时在所述交界线左侧的所述样品表面预设起始位置预留N个测试点，以确保第N+1个点在所述交界线上或在所述交界线附近，其中N为自然数；步骤S3：根据所述步骤S2中的结果进行分析，并以距离所述交界线最近的一个点确定为测试起始点。

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料的电阻率的测试方法，包括：步骤S1：对半导体材料样品进行研磨处理，以得到所述样品表面和研磨斜面的交界线；步骤S2：进行测试，测试时在所述交界线左侧的所述样品表面预设起始位置预留N个测试点，以确保第N+1个点在所述交界线上或在所述交界线附近，其中N为自然数；步骤S3：根据所述步骤S2中的结果进行分析，并以距离所述交界线最近的一个点确定为测试起始点。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：步骤S4：根据所述步骤S2中的测试结果建立分析测试曲线，并将所述分析测试曲线中所述测试起始点...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈倩，薛云，周蕾，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32