【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳能电池领域，尤其涉及一种单晶硅片的超声波清洗装置。
技术介绍
在硅片的加工过程中，每一道工序都涉及到清洗，由于很多半导体分立器件是在硅研磨片表面直接制造或衬底扩散而成，因此，硅研磨片清洗质量的好坏将直接影响下一道工序，甚至影响器件的成品率和可靠性。目前，常规的半导体硅研磨片的清洗方法有两种手洗和超声波清洗。手洗效果差，清洗后的研磨硅片上仍然会有许多研磨金刚砂，硅粉末残留。超声波清洗装置的结构包括一清洗槽，槽壁上设有去离子水进/出口，使去离子水在保持一定高度的情况下始终处于流动状态，清洗槽的槽底下方设有超声波振子。清洗时， 将硅片依次竖插在承载花篮里，一起浸入清洗槽内的去理智水中，经过6到8到工位超声， 每道超声洗10到15分钟，然后，经去离子纯水冲洗、漂洗、甩干而完成超声清洗。但是，上述超声波清洗装置存在如下缺陷1)硅片竖插在承载花篮内，超声波源从底部发生往上发射与硅片表面侧面接触，超洗后硅片表面的污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净；2)用聚四氟材料制成的承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而也会造成硅片表面局部区域清洗不干净现象。
技术实现思路
专利技术目的为了克服现有技术中存在的不足，本技术提供结构简单，并能够避免单晶硅片局部区域清洗不干净现象的超声波清洗装置。技术方案为解决上述技术问题，本技术采样的技术方案为一种单晶硅片的超声波清洗装置，包括清洗槽和搁置单晶硅片的框架，在清洗槽的侧壁上设有去离子水的进水口和出水口，在清洗槽内腔底部设有超声波振子；所述框架包括石英网格面和支架，所述石英网格面通过支架平置于清洗槽...
【技术保护点】
１．一种单晶硅片的超声波清洗装置，其特征在于：该清洗装置包括清洗槽（１）和搁置单晶硅片的框架（２），在清洗槽（１）的侧壁上设有去离子水的进水口和出水口，在清洗槽（１）内腔底部设有超声波振子；所述框架（２）包括石英网格面和支架，所述石英网格面通过支架平置于清洗槽（１）内，且石英网格面低于去离子水水平面并与清洗槽（１）内腔底部存在间距。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：倪云达，葛正芳，钱大丰，
申请(专利权)人：江苏顺大半导体发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32
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