本发明专利技术公开了一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的方法，首先根据电阻率区分不同的掺镓单晶硅片，并对所有掺镓单晶硅片进行制绒及清洗；再根据电阻率的不同采用不同的扩散温度和扩散时间对掺镓单晶硅片进行扩散；然后进行刻蚀、沉积和金属化制程采用本发明专利技术提供的方法制造出的掺镓单晶硅太阳能电池，能够有效抑制单晶硅太阳能电池的光致衰减现象，并抑制在1%以内，该方法能够降低掺镓单晶硅电阻分布较为不均的现象，减少对制造出的太阳能电池的性能影响。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅太阳能电池，尤其涉及。
技术介绍
传统太阳能技术中，一般采用掺硼单晶硅片作为制造太阳能电池的基质材料，这种掺硼单晶硅材料的掺杂工序较为方便易行，并且所制造的单晶硅棒的电阻率分布较为均匀。但是采用掺硼单晶硅，尤其是采用电阻率较低(在O. 5Ω. cm-l. 5Ω. cm范围内)的掺硼单晶硅作为基质材料制得的太阳能电池，其电池效率在太阳光光照下或在载流子注入下会衰减，这种现象称为光致衰减(LID, Light Induced Degradation)。目前市场上商业化得掺硼单晶硅太阳能电池的效率衰减约为3%_7%。这种电池效率的光致衰减特性的本质原因是，由于掺硼单晶硅中的替位硼原子和单晶硅中间隙态的氧原子在光照下或载流子注入下会形成硼氧复合体，而硼氧复合体是深能复合中心，这将会降低少数载流子的寿命，从而降低少数载流子的扩散长度，导致太阳能电池的效率降低。这种光致衰减现象在最近硅材料市场紧张、硅材料质量良莠不齐的情况下显得尤为突出。
技术实现思路
专利技术目的为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种能够降改善有单晶硅太阳能电池材料存在的光致衰减问题的掺镓单晶硅太阳能电池的生产方法。技术方案为解决上述技术问题，本专利技术采样的技术方案为 ，包括如下步骤 (1)区分出电阻率在O.5 Ω . Cm以上的掺镓单晶硅片，和电阻率在O. 2 Ω . cm-0. 5 Ω . cm范围内的掺镓单晶硅片； (2)对步骤(I)中区分开的掺镓单晶硅片进行制绒及清洗； (3)对步骤(2)中获得的掺镓单晶硅片进行扩散，其中，电阻率在0.5Ω. cm以上的掺镓单晶硅片的扩散温度为849 °C _850°C，扩散时间为23min-25min，电阻率在O. 2 Ω . cm-0. 5 Ω . cm范围内的掺镓单晶硅片的扩散温度为840°C -843 °C，扩散时间为23min_25min ； (4)对步骤(3)中获得的掺镓单晶硅片进行刻蚀及沉积； (5)对步骤(4)中获得的掺镓单晶硅片进行金属化制程，其烧结温度为818°C-820°C ； (6)采用步骤(5)中获得的掺镓单晶硅片制造太阳能电池。有益效果采用本专利技术提供的方法制造出的掺镓单晶硅太阳能电池，能够有效抑制单晶硅太阳能电池的光致衰减现象，并抑制在1%以内，该方法能够降低掺镓单晶硅电阻分布较为不均的现象，减少对制造出的太阳能电池的性能影响。具体实施例方式下面结合实例对本专利技术作更进一步的说明。，包括如下步骤 (1)区分出电阻率在O.5 Ω . Cm以上的掺镓单晶硅片，和电阻率在O. 2 Ω . cm-0. 5 Ω . cm范围内的掺镓单晶硅片； (2)对步骤(I)中区分开的掺镓单晶硅片进行制绒及清洗； (3)对步骤(2)中获得的掺镓单晶硅片进行扩散，其中，电阻率在0.5Ω. cm以上的掺镓单晶硅片的扩散温度为849 °C _850°C，扩散时间为23min-25min，电阻率在O. 2 Ω . cm-0. 5 Ω . cm范围内的掺镓单晶硅片的扩散温度为840 V -843 °C，扩散时间为23min_25min ； (4)对步骤(3)中获得的掺镓单晶硅片进行刻蚀及沉积； (5)对步骤(4)中获得的掺镓单晶硅片进行金属化制程，其烧结温度为818°C-820°C ； (6)采用步骤(5)中获得的掺镓单晶硅片制造太阳能电池。 以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。权利要求1.，其特征在于该方法包括如下步骤 (1)区分出电阻率在O.5 Ω. Cm以上的掺镓单晶硅片，和电阻率在O. 2Ω. cm-ο. 5Ω. Cm范围内的掺镓单晶硅片； (2)对步骤(I)中区分开的掺镓单晶硅片进行制绒及清洗； (3)对步骤(2)中获得的掺镓单晶硅片进行扩散，其中，电阻率在0.5Ω. cm以上的掺镓单晶硅片的扩散温度为849 °C _850°C，扩散时间为23min-25min，电阻率在O. 2 Ω . cm-0. 5 Ω . cm范围内的掺镓单晶硅片的扩散温度为840 V -843 °C，扩散时间为23min_25min ； (4)对步骤(3)中获得的掺镓单晶硅片进行刻蚀及沉积； (5)对步骤(4)中获得的掺镓单晶硅片进行金属化制程，其烧结温度为818°C-820°C ； (6)采用步骤(5)中获得的掺镓单晶硅片制造太阳能电池。全文摘要本专利技术公开了，首先根据电阻率区分不同的掺镓单晶硅片，并对所有掺镓单晶硅片进行制绒及清洗；再根据电阻率的不同采用不同的扩散温度和扩散时间对掺镓单晶硅片进行扩散；然后进行刻蚀、沉积和金属化制程采用本专利技术提供的方法制造出的掺镓单晶硅太阳能电池，能够有效抑制单晶硅太阳能电池的光致衰减现象，并抑制在1%以内，该方法能够降低掺镓单晶硅电阻分布较为不均的现象，减少对制造出的太阳能电池的性能影响。文档编号H01L31/18GK102842645SQ20111017338公开日2012年12月26日 申请日期2011年6月26日 优先权日2011年6月26日专利技术者倪云达, 葛正芳, 胡宏珊 申请人:江苏顺大半导体发展有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：（1）区分出电阻率在0.5Ω.cm以上的掺镓单晶硅片，和电阻率在0.2Ω.cm？0.5Ω.cm范围内的掺镓单晶硅片；（2）对步骤（1）中区分开的掺镓单晶硅片进行制绒及清洗；（3）对步骤（2）中获得的掺镓单晶硅片进行扩散，其中，电阻率在0.5Ω.cm以上的掺镓单晶硅片的扩散温度为849℃？850℃，扩散时间为23min？25min，电阻率在0.2Ω.cm？0.5Ω.cm范围内的掺镓单晶硅片的扩散温度为840℃？843℃，扩散时间为23min？25min；（4）对步骤（3）中获得的掺镓单晶硅片进行刻蚀及沉积；（5）对步骤（4）中获得的掺镓单晶硅片进行金属化制程，其烧结温度为818℃？820℃；（6）采用步骤（5）中获得的掺镓单晶硅片制造太阳能电池。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：倪云达，葛正芳，胡宏珊，
申请(专利权)人：江苏顺大半导体发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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