一种单晶硅棒制造技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅棒，包括硅棒本体，所述硅棒本体底部通过环氧树脂沾粘在底座上，在硅棒本体的顶部两侧设有两条平行于硅棒本体轴向的导向条，在硅棒本体的前后两个端部设有挡板；所述导向条和挡板都为树脂材质，且都通过环氧树脂沾粘在硅棒本体上。本发明专利技术提供的单晶硅棒，使晶片入刀口厚薄均匀，有效防止晶片入刀口厚薄不均问题，同时线网在切割导向条时线弓已经产生，也可有效避免晶片的一个角厚度偏薄现象，提高晶片的质量；且硅棒两端的挡板可以在切割过程中对硅棒本体两端的晶片起保护作用，提高了成品率，切割过程中对接端面产生的碎片不会掉下来，降低了断线率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种单晶硅棒。
技术介绍
单晶硅棒是硅的单晶体，是具有基本完整点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导体材料。单晶硅具有准金属的物理性质，具有较弱的导电性，其导电率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。在超纯单晶硅中掺入微量的IIIA族元素，如硼，可以提高其导电的程度，而形成P型硅半导体；如掺入微量的VA族元素，如磷或砷，可以提高导电程度，形成N型硅半导体。在单晶硅棒线切割时，线网接触晶体棒表面的时候，由于力的作用容易摆动，这样一来切割出来的晶片在入刀口就会产生厚薄不均的现象；另外刚刚入刀时，线网必须拉出 一定的线弓后才会具备很强的切割力，如果线网直接接触晶体棒，在拉线弓的时候会导致晶片的一个角度偏厚。同时，在单晶硅棒线切割时，晶体棒两头无任何保护措施直接安装在线切割机上进行切割，切割过程中钢线带着液体磨料以每分钟600多米的线速度冲击晶片，晶体棒两头的晶片应为没有任何保护措施，且晶片本身厚度非常薄，材料也非常脆，这样一来，晶体棒两头的晶片很容易被磨料冲碎；另外，切割过程中对端面产生的碎片会直接掉到线网上，断线的几率因此大大提升。
技术实现思路
专利技术目的为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种结构合理，能够有效提闻晶片质量和成品率的单晶娃棒。技术方案为解决上述技术问题，本专利技术采样的技术方案为 一种单晶硅棒，包括硅棒本体，所述硅棒本体底部通过环氧树脂沾粘在底座上，在硅棒本体的顶部两侧设有两条平行于娃棒本体轴向的导向条，在娃棒本体的前后两个端部设有挡板；所述导向条和挡板都为树脂材质，且都通过环氧树脂沾粘在硅棒本体上。所述硅棒本体优选为8英寸单晶硅棒。有益效果本专利技术提供的单晶硅棒，使晶片入刀口厚薄均匀，入刀时线网接触粘在硅棒上的导向条，等线网稳定后才会切割到硅棒，有效防止晶片入刀口厚薄不均问题，同时线网在切割导向条时线弓已经产生，也可有效避免晶片的一个角厚度偏薄现象，提高晶片的质量；且硅棒两端的挡板可以在切割过程中对硅棒本体两端的晶片起保护作用，提高了成品率，切割过程中对接端面产生的碎片不会掉下来，降低了断线率。附图说明图I为本专利技术的结构示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术作更进一步的说明。如附图I所示为一种单晶硅棒，包括8英寸硅棒本体1，所述硅棒本体I底部通过环氧树脂沾粘在底座4上，在硅棒本体I的顶部两侧设有两条平行于硅棒本体I轴向的导向条2，在硅棒本体I的前后两个端部设有挡板3 ;所述导向条2和挡板3都为树脂材质，且都通过环氧树脂沾粘在娃棒本体I上。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应 视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅棒，其特征在于：该单晶硅棒包括硅棒本体（1），所述硅棒本体（1）底部通过环氧树脂沾粘在底座（4）上，在硅棒本体（1）的顶部两侧设有两条平行于硅棒本体（1）轴向的导向条（2），在硅棒本体（1）的前后两个端部设有挡板（3）；所述导向条（2）和挡板（3）都为树脂材质，且都通过环氧树脂沾粘在硅棒本体（1）上。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅棒，其特征在于该单晶硅棒包括硅棒本体(1)，所述硅棒本体(I)底部通过环氧树脂沾粘在底座(4)上，在硅棒本体(I)的顶部两侧设有两条平行于硅棒本体(I)轴向的导向条(2),在娃棒本体...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪云达，葛正芳，钱大丰，
申请(专利权)人：江苏顺大半导体发展有限公司，
类型：发明
国别省市：