用于拉制单晶硅的加热体结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种结构设计新颖、合理、可用于大直径单晶的生产、且能够保证其生产效率的用于拉制单晶硅的加热体结构；它包括导电盘，所述导电盘的中部向内凹陷构成弧面，在所述弧面上设有至少五个环绕所述导电盘中心设置的通孔；在所述弧面的中部开设有椭圆形开口，并在所述导电盘上沿该导电盘的半径设有一缺口带，所述缺口带的外端贯穿所述导电盘设置，所述缺口带的内端与所述椭圆形开口连通，其中与所述缺口带相向设置的通孔与所述椭圆形开口连通；在相邻两个通孔之间，且远离所述椭圆形开口的导电盘的弧面上设有一直径小于所述通孔的开口，所述开口通过贯穿所述弧面上的开口带与所述椭圆形开口连通。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及单晶硅制备
，尤其涉及一种用于拉制单晶硅的加热体结构。
技术介绍
在硅制造
，其所采用悬浮区熔法中的线圈主要为区熔法，其是利用铜线圈将多晶硅圆棒的料局部融化后进行拉制的，区熔法为将一多晶硅棒通过环带状加热器，以产生局部融化现象，再控制凝固过程而生长单晶棒，在生长单晶时，使圆柱形硅棒固定于垂直方向旋转，并用高频感应线圈在氩气的气氛中加热，使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴，这两个棒朝方向旋转，然后将在多晶棒与籽晶间仅靠表面张力形成的熔区并沿棒长逐步向上移动，进而可将其转换成单晶；但在现有技术中，对于目前同类的装置很多因线圈结构与局部尺寸不合理受限，使其不利于大直径单晶的生长成功率，特别是对于多晶原料的直径不同和不规则运动的形状效果不明显，存在着硅刺现象，导致其成晶不稳定。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，适应现实需要，提供一种结构设计新颖、合理、可用于大直径单晶的生产、且能够保证其生产效率的用于拉制单晶硅的加热体结构。为了实现本技术的目的，本技术所采用的技术方案为：设计一种用于拉制单晶硅的加热体结构，其特征在于：它包括导电盘，所述导电盘的中部向内凹陷构成弧面，在所述弧面上设有至少五个环绕所述导电盘中心设置的通孔；在所述弧面的中部开设有椭圆形开口，并在所述导电盘上沿该导电盘的半径设有一缺口带，所述缺口带的外端贯穿所述导电盘设置，所述缺口带的内端与所述椭圆形开口连通，其中与所述缺口带相向设置的通孔与所述椭圆形开口连通；在相邻两个通孔之间，且远离所述椭圆形开口的导电盘的弧面上设有一直径小于所述通孔的开口，所述开口通过贯穿所述弧面上的开口带与所述椭圆形开口连通；所述缺口带的宽度为5.0～10.0mm；所述开口带的宽度小于所述缺口带的宽度；在所述缺口带端部两侧的导电盘侧壁上设置两个相向设置的连接板；在与所述连接板相向设置的导电盘的侧壁上设有固定片。优选的，所述连接板呈D状，且所述连接板纵向设置。优选的，在所述连接板上还设有连接孔。优选的，在所述导电盘的侧壁上还设有环绕所述导电盘等间隔设置的至少六个向外凸出的凸耳，在各凸耳上还设有用于与电源线连接的线孔。优选的，所述固定片为铜片，且在所述固定片上设有固定孔。优选的，设置于所述缺口带两侧通孔之间的开口设置于所述缺口带的中部。优选的，位于所述弧面同一侧的通孔的端部为向外扩的喇叭状。优选的，所述导电盘为铜盘。本技术的有益效果在于：本设计其结构设计新颖、合理、可用于大直径单晶的生产、且能够保证其生产效率；其次，通过选用不同内径的通孔，可形成腰细、距离短的熔区，使之生产出来的单晶硅棒更加的稳定，适合于制备大直径硅单晶的制备。附图说明图1为本技术的结构之一示意图；图2为本技术的结构之二示意图；图中：1.导电盘;2.弧面;3.通孔;4.通孔的端部;5.开口带;6、9.开口;7.椭圆形开口;10.缺口带;11.连接板;12.连接孔;13.固定片;14.固定孔;15、16、17、18.凸耳;19、20.线孔。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进一步说明：实施例1：一种用于拉制单晶硅的加热体结构，参见图1至图2；它包括导电盘1，所述导电盘1的中部向内凹陷构成弧面2，在所述弧面2上设有至少五个环绕所述导电盘1中心设置的通孔3；在所述弧面2的中部开设有椭圆形开口7，并在所述导电盘1上沿该导电盘1的半径设有一缺口带10，所述缺口带10的外端贯穿所述导电盘1设置，所述缺口带10的内端与所述椭圆形开口7连通，其中与所述缺口带10相向设置的通孔与所述椭圆形开口连通；在相邻两个通孔3之间，且远离所述椭圆形开口的导电盘1的弧面2上设有一直径小于所述通孔的开口6，所述开口6通过贯穿所述弧面2上的开口带5与所述椭圆形开口7连通。本设计中，所述的缺口带10的宽度为5.0～10.0mm；所述开口带5的宽度小于所述缺口带10的宽度；还在所述缺口带10端部两侧的导电盘侧壁上设置两个相向设置的连接板11；在与所述连接板11相向设置的导电盘1的侧壁上设有固定片13，所述的连接板11呈D状，且所述连接板11纵向设置，在所述连接板11上还设有连接孔12，在所述导电盘1的侧壁上还设有环绕所述导电盘1等间隔设置的至少六个向外凸出的凸耳15、16、17、18，在各凸耳15、16、17、18上还设有用于与电源线连接的线孔19、20，进一步的，本设计中的所述固定片13为铜片，且在所述固定片13上还设有固定孔14，而以上设置于所述缺口带10两侧通孔之间的开口9设置于所述缺口带10的中部，位于所述弧面2同一侧的通孔的端部4为向外扩的喇叭状，优选的，所述的导电盘1为铜盘。综上，本设计其结构设计新颖、合理，在应用中可用于大直径单晶的生产、且能够保证其生产效率，其次，通过选用不同内径的通孔，可形成腰细、距离短的熔区，使之生产出来的单晶硅棒更加的稳定，尤其适合于制备大直径硅单晶的制备。本技术的实施例公布的是较佳的实施例，但并不局限于此，本领域的普通技术人员，极易根据上述实施例，领会本技术的精神，并做出不同的引申和变化，但只要不脱离本技术的精神，都在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于拉制单晶硅的加热体结构，其特征在于：它包括导电盘，所述导电盘的中部向内凹陷构成弧面，在所述弧面上设有至少五个环绕所述导电盘中心设置的通孔；在所述弧面的中部开设有椭圆形开口，并在所述导电盘上沿该导电盘的半径设有一缺口带，所述缺口带的外端贯穿所述导电盘设置，所述缺口带的内端与所述椭圆形开口连通，其中与所述缺口带相向设置的通孔与所述椭圆形开口连通；在相邻两个通孔之间，且远离所述椭圆形开口的导电盘的弧面上设有一直径小于所述通孔的开口，所述开口通过贯穿所述弧面上的开口带与所述椭圆形开口连通；所述缺口带的宽度为5.0～10.0mm；所述开口带的宽度小于所述缺口带的宽度；在所述缺口带端部两侧的导电盘侧壁上设置两个相向设置的连接板；在与所述连接板相向设置的导电盘的侧壁上设有固定片。

【技术特征摘要】
1.一种用于拉制单晶硅的加热体结构，其特征在于：它包括导电盘，所述导电盘的中部向内凹陷构成弧面，在所述弧面上设有至少五个环绕所述导电盘中心设置的通孔；在所述弧面的中部开设有椭圆形开口，并在所述导电盘上沿该导电盘的半径设有一缺口带，所述缺口带的外端贯穿所述导电盘设置，所述缺口带的内端与所述椭圆形开口连通，其中与所述缺口带相向设置的通孔与所述椭圆形开口连通；在相邻两个通孔之间，且远离所述椭圆形开口的导电盘的弧面上设有一直径小于所述通孔的开口，所述开口通过贯穿所述弧面上的开口带与所述椭圆形开口连通；所述缺口带的宽度为5.0～10.0mm；所述开口带的宽度小于所述缺口带的宽度；在所述缺口带端部两侧的导电盘侧壁上设置两个相向设置的连接板；在与所述连接板相向设置的导电盘的侧壁上设有固定片。2.如权利要求1所述的用于拉制单晶硅的加热体结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，
申请(专利权)人：九江市庐山新华电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36