形成单晶棒的直拉系统与生长单晶棒的工艺方法技术方案

本发明专利技术提供了一种形成单晶棒的直拉系统与生长单晶棒的工艺方法。该直拉系统包括：坩埚、保温环与导流筒，上述保温环设置在所述坩埚的上方；上述导流筒设置在所述保温环的上方。该形成单晶棒的直拉系统中具有保温环，并且保温环与坩埚距离较近，即距离单晶硅的生长界面较近，可以有效抑制晶棒表面的散热，减小单晶棒表面与中心散热的速率差，从而减小了单晶棒表面与中心的结晶速率差，进而可减小改变生长界面的凸凹程度，使得单晶棒中心与表面的电阻率的差值较小，可以有效改善单晶棒的径向电阻率的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种形成单晶棒的直拉系统，其特征在于，所述直拉系统包括：坩埚；保温环，设置在所述坩埚的上方；以及导流筒，设置在所述保温环的上方。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周浩，尹东坡，司佳勇，
申请(专利权)人：英利集团有限公司，英利能源中国有限公司，保定天威英利新能源有限公司，河北流云新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13