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本发明提供了一种形成单晶棒的直拉系统与生长单晶棒的工艺方法。该直拉系统包括：坩埚、保温环与导流筒，上述保温环设置在所述坩埚的上方；上述导流筒设置在所述保温环的上方。该形成单晶棒的直拉系统中具有保温环，并且保温环与坩埚距离较近，即距离单晶硅的...该专利属于英利集团有限公司;英利能源（中国）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英利集团有限公司;英利能源（中国）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司授权不得商用。