一种微向下提拉晶体生长炉制造技术

本发明专利技术公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为1:9的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明专利技术设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够进一步提高晶体生长的成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种微向下提拉晶体生长炉
本专利技术属于晶体生长领域，更具体地，涉及一种微向下提拉晶体生长炉。
技术介绍
微向下提拉法，即Micropullingdown方法，是一种目前流行的小尺寸晶体，如光纤单晶等的制备技术，由于其结构简单、原材料耗量极低、易于操作等优点，在新晶体材料研发中应用广泛。原材料在小坩埚内熔化，熔液在重力和表面张力等共同作用下，在坩埚底部形成一个薄层。籽晶杆顶部安装籽晶，与该薄层接触通过引晶等技术，往下可提拉出直径小于1mm的圆柱形晶体。但是，由于熔液层极薄，表面张力变化导致的流动往往在晶体生长过程中起主导作用，而表面张力变化受到非均匀、非稳定的温度场的影响非常显著，常导致引晶失败，或使晶体生长难以达到稳定的状态。目前，国内的微向下提拉法生长晶体的技术发展较为缓慢，对于微向下提拉法的缺陷也没有进行深入研究，导致微向下提拉法生长晶体的成品率未见明显提高。微向下提拉晶体生长炉的籽晶杆设置在坩埚的下方，是将坩埚内的原料熔融后，使籽晶杆通过坩埚底部的小孔(或导模)与熔融液接触，通过生长界面的温度梯度，向下提拉生长的晶体。受熔融液的重力影响，为了使生长界面处(即，坩埚底部的小孔或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微向下提拉晶体生长炉，其特征在于，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，其中：所述上部绝热层由内到外依次包括内层绝热层(9)和中间绝热层；所述内层绝热层呈圆筒形，其内部设置有坩埚；所述中间绝热层包括中间绝热壁(8)和中间绝热盖(7)，所述中间绝热壁为两端开口的圆筒形，所述中间绝热盖位于该圆筒形的顶部；所述内层绝热层(9)和中间绝热壁均设置在所述底部绝热层(13)的顶表面上方，所述内层绝热层(9)和中间绝热壁的中心轴线均垂直于所述底部绝热层(13)的顶表面；所述底部绝热层(13)的中心设置有籽晶杆(14)，所述籽晶杆(14)的轴向方向垂直于所述底部绝热层(13)的顶表面；所述底部...

【技术特征摘要】
1.一种微向下提拉晶体生长炉，其特征在于，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，其中：所述上部绝热层由内到外依次包括内层绝热层(9)和中间绝热层；所述内层绝热层呈圆筒形，其内部设置有坩埚；所述中间绝热层包括中间绝热壁(8)和中间绝热盖(7)，所述中间绝热壁为两端开口的圆筒形，所述中间绝热盖位于该圆筒形的顶部；所述内层绝热层(9)和中间绝热壁均设置在所述底部绝热层(13)的顶表面上方，所述内层绝热层(9)和中间绝热壁的中心轴线均垂直于所述底部绝热层(13)的顶表面；所述底部绝热层(13)的中心设置有籽晶杆(14)，所述籽晶杆(14)的轴向方向垂直于所述底部绝热层(13)的顶表面；所述底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，所述观察孔(4)呈管状，其中心轴线与所述底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为45°～60°，该观察孔(4)的孔径为5mm以上；此外，在所述底部绝热层(13)与所述上部绝热层之间，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：方海生，蒋志敏，刘胜，王梦莹，张舟，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42