一种12英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种12英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀方法，需根据硅片的尺寸配置酸腐蚀液，并设定腐蚀液温度、腐蚀时间、酸腐蚀液循环量、排酸腐蚀液量和补酸腐蚀液量；所述酸腐蚀液为氢氟酸、硝酸、醋酸的混合物，且各组分所占的重量百分比为：氢氟酸占9%-26%，硝酸占39%-48%，醋占26%-52%；所述腐蚀温度为18-22℃；所述腐蚀时间为40-50s；所述酸腐蚀液循环量为260-420L/min；每腐蚀200-400片后，排酸腐蚀液量为3-6L，补酸腐蚀液量为2-4L。本发明专利技术提供的方法可以稳定量产TTV和TIR增加值均小于1.3μm，去除量散差小于1μm的12英寸酸腐蚀硅片，产品合格率达98.5%以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶硅片的生产方法，尤其涉及。
技术介绍
总所周知，硅片的直径愈大，每片硅片所能集成的半导体器件就越多，其衬板就越低，所以作为大规模集成电路和半导体分立器件用外延片的原材料一硅抛光片，也有向大尺寸发展的趋势。目前国际抛光硅片市场上8英寸抛光硅片占主流地位，约为40-50%。目前为止，国内大多数企业生产的硅抛光片都是6英寸以下，虽然有个别企业能生产8英寸、12英寸以及以上尺寸的抛光片，但其产能和质量远远不能达到稳定量产的规模。 硅抛光片主要加工流程一般包括单晶硅生长-滚磨-切片-倒角-研磨-腐蚀-抛光-清洗-包装等。其中腐蚀是重要的生产工序，它的作用是出去单晶硅片经过切片、研磨等机械加工后，其表面因机械加工产生的应力而形成有一定深度的机械应力损伤层。通常的方法是采用一定浓度和一定温度下的酸腐蚀液或碱腐蚀液与硅晶片发生化学反应，从而达到去除损伤层得目的。目前国内抛光片生产厂商多选用碱腐蚀工艺。碱腐蚀工艺简单，但其腐蚀的速率较慢，产能不如酸腐蚀工艺；而且，其腐蚀后的硅片表面粗糙，容易吸附杂质；另外，更重要的是，碱液带来的金属离子在腐蚀后不可避免的会残留在硅晶片表面，并向其晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种12英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀方法，其特征在于：该方法根据硅片的尺寸配置酸腐蚀液，并设定腐蚀液温度、腐蚀时间、酸腐蚀液循环量、排酸腐蚀液量和补酸腐蚀液量；所述酸腐蚀液为氢氟酸、硝酸、醋酸的混合物，且各组分所占的重量百分比为：氢氟酸占9%？26%，硝酸占39%？48%，醋占26%？52%；所述腐蚀温度为18℃？22℃；所述腐蚀时间为40s？50s；所述酸腐蚀液循环量为260L/min？420L/min；每腐蚀200片？400片后，排酸腐蚀液量为3L？6L，补酸腐蚀液量为2L？4L。

【技术特征摘要】
1.一种12英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀方法，其特征在于该方法根据硅片的尺寸配置酸腐蚀液，并设定腐蚀液温度、腐蚀时间、酸腐蚀液循环量、排酸腐蚀液量和补酸腐蚀液量；所述酸腐蚀液为氢氟酸、硝酸、醋酸的混合物，且各组分所占的重量百分比为氢氟酸占9%-26%，硝...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪云达，葛正芳，钱大丰，
申请(专利权)人：江苏顺大半导体发展有限公司，
类型：发明
国别省市：