本发明专利技术公开了一种提高制绒或湿法刻蚀设备各轨道腐蚀量均匀性的方法。该方法包括以下步骤：1）检测各轨道内硅片的腐蚀量；2）调整腐蚀量偏大或偏小的轨道上的导轮直径，通过控制导轮上的硅片进入设备中各轨道的药液深度从而增加或者减小硅片的腐蚀量，最终使各道内硅片的腐蚀量相一致。本发明专利技术的技术方案，通过个别导轮直径的调整，很方便地解决了现有技术中仅通过排风量、药液配比和药液流量大小的调整很难保证各轨道所处的环境完全一样，所以很难控制各轨道硅片的腐蚀量也完全一样的弊端，同时，也可避免更换设备部件造成的额外成本，达到节约的目的。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅电池制备领域，具体而言，涉及一种。
技术介绍
多晶硅电池的生产主要流程通常为制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD沉积SiNx、丝网印刷和烧结。制绒是太阳能电池生产首个工序，其目的主要是1、去除硅片表面的机械损伤层；2、清除表面油污和金属杂质；3、形成起伏不平的绒面，增加吸光面积，减少光的反射率，提高短路电流(Isc)，最终提高电池的光电转换效率。制绒其主要是通过HN03、HF制绒、冲洗、KOH腐蚀、冲洗、HF、HCl清洗等处理。该工序通过对腐蚀前后的硅片进行称重以计算出硅片被腐蚀掉的深度，以此来控制和监视该工序的稳定性。制绒后是扩散，然后就是湿法 刻蚀，湿法刻蚀主要是通过化学反应腐蚀掉硅片背面及四周的PN结以达到正面与背面绝缘的目的，同时去除正面的磷硅玻璃层，便于后续工艺的进行。湿法刻蚀工艺和制绒设备以及工艺原理相似。(与前面几句话重复)制绒和湿法刻蚀设备为链式循环系统，多为四轨道到八轨道不等，硅片通过上下滚轮的传动分别经过各腐蚀液和清洗槽，硅片从一端进入，另一端卸下完成整个流程。各轨道的腐蚀量的均匀性成了生产线上一个不可忽视的监控点。各轨道腐蚀的均匀性受设备排风、导轮的水平性以及液体溶度均匀性等众多因素的影响，但主要是受硅片进入药液的深度不同的影响。目前因为排风、药液更换等原因导致的各轨道腐蚀量不一致，主要通过调整排风量的大小、药液流量以及更换时间尽量使各轨道腐蚀量保持一致。另外，因设备之间的磨合经常导致导轮两端水平性变差影响硅片进入药液的深度不同导致腐蚀量不同，因此需要经常更换导轮保持其水平性。然而，通过排风和药液流量大小的调整很难保证各轨道所处的环境完全一样所以很难控制各轨道硅片进入药液的深度也完全一样，所以腐蚀均匀性差。而因设备的磨损导致的导轮不在同一水平线上需要更换设备增加了设备成本，相对提高了太阳能电池的制造成本。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种，以解决现有技术中制绒和湿法刻蚀各轨道腐蚀量不均匀的技术问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种。该方法包括以下步骤1)检测各轨道内硅片的腐蚀量；2)调整腐蚀量偏大或偏小的轨道上的导轮直径，通过控制导轮上的硅片进入设备中各轨道的药液深度从而增加或者减小硅片的腐蚀量，最终使各道内硅片的腐蚀量相一致。进一步地，将步骤2)中硅片的腐蚀量较其它各轨道腐蚀量高的轨道中的导轮的直径调大。进一步地，将步骤2)中硅片的腐蚀量较其它各轨道腐蚀量低的轨道中的导轮的直径调小。进一步地，在步骤I)之前进一步包括对各轨道的排风量、药液配比浓度，温度、传输速度进行调整。本专利技术的技术方案，通过个别导轮直径的调整，很方便地解决了现有技术中仅通过排风量和药液流量大小的调整很难保证各轨道所处的环境完全一样，所以很难控制各轨道硅片进入药液的深度也完全一样的弊端，同时，也可避免更换设备部件造成的额外成本，达到节约的目的。附图说明说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中 图I示出了制绒或湿法蚀刻设备各轨道导轮结构示意图。具体实施例方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。根据本专利技术一典型的实施方式，包括以下步骤1)检测各轨道内硅片的腐蚀量；2)调整腐蚀量偏大或偏小的轨道上的导轮直径，通过控制导轮上的硅片进入设备中各轨道的药液深度从而增加或者减小硅片的腐蚀量，最终使各道内硅片的腐蚀量相一致。如图I所示，轨道10、轨道20和轨道30是制 绒或湿法刻蚀设备的部分轨道，例如，导轮21的直径d2可以根据实际需要进行调整，从而达到调节腐蚀量偏大或偏小的问题，使设备各轨道腐蚀量保持一致。本专利技术的技术方案，通过个别导轮直径的调整，很方便地解决了现有技术中仅通过排风量和药液流量大小的调整很难保证各轨道所处的环境完全一样，所以很难控制各轨道硅片腐蚀量也完全一样的弊端，同时，也可避免更换设备部件造成的额外成本，达到节约的目的。将步骤2)中硅片的腐蚀量较其它各轨道腐蚀量低的轨道中的导轮的直径调小；将步骤2)中硅片的腐蚀量较其它各轨道腐蚀量高的轨道中的导轮的直径调大，以使各轨道硅片腐蚀量达到一致。优选地，在步骤I)之前进一步包括对各轨道的排风量、药液配比浓度，温度、传输速度进行调整。对各轨道的排风量进行调整，使各轨道内的药液的表面张力相同，从而控制硅片的各边缘腐蚀量尽量一致，同时便于使各轨道硅片进入药液的深度一样。在步骤I)之前进一步包括对各轨道内的药液进行浓度调整，使各轨道内的药液的浓度相同，以使各轨道内硅片的腐蚀量尽量保持一致。在步骤I)之前进一步包括对各轨道的药液的循环量进行调整，使各轨道内的药液浓度相同。在调整了各轨道的排风量、药液的浓度、药液循环量后，硅片的腐蚀量的腐蚀量仍达不到一致时，再调整个别不在同一水平线的导轮，可以更有效地保持各轨道腐蚀量的一致性。实施例I.调整8条轨道的参数排风量为35 45m3/h、药液含有质量百分比为45 60%的HNO3，质量百分比为2 4%的HF溶液；温度为1(T18°C ;传输速度为I. 2 2. Om/min ；2.检测各轨道内硅片的腐蚀量通过测试硅片腐蚀前后的重量，根据重量差通过面积和密度计算出硅片的腐蚀深度，通过称重计算出各轨道的腐蚀深度分别为轨道I为I.3 μ m,轨道2为3. 6 μ m ;轨道3为3. 4 μ m ;轨道4为3. 5 μ m ;轨道5为3. 4 μ m ;轨道6为3. 6 μ m ;轨道 7 为 3. 5 μ m ;轨道 8 为 3. 4 μ m ;3.调整轨道I的导轮直径减小I 2mm ；4.再次检测各轨道中硅片的腐蚀量，结果表明轨道I的腐蚀深度变为3. 5 μ m。从以上的描述中，可以看出，本专利技术能够实现了如下技术效果应用本专利技术的技术方案，通过调节制绒或湿法刻蚀设备中各别轨道导轮直径的大小，达到调节腐蚀量偏大或偏小的问题，从而使设备各轨道腐蚀量保持一致。本专利技术的技术 方案，通过个别导轮直径的调整，很方便地解决了现有技术中仅通过排风量和药液流量大小的调整很难保证各轨道所处的环境完全一样，所以很难控制各轨道硅片进入药液的深度也完全一样的弊端，同时，也可避免更换设备部件造成的额外成本，达到节约的目的。以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种，其特征在于，包括以下步骤 1)检测各轨道内硅片的腐蚀量； 2)调整腐蚀量偏大或偏小的轨道上的导轮直径，通过控制所述导轮上的硅片进入所述设备中各轨道的药液深度从而增加或者减小所述硅片的腐蚀量，最终使各道内所述硅片的腐蚀量相一致。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，将所述步骤2)中硅片的腐蚀量较其它各轨道腐蚀量高的轨道中的所述导轮的直径调大。3.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，将所述步骤2)中硅片的腐蚀量较其它各轨道腐蚀量低的轨道中的所述导轮的直径调小。4.根据权利要求I所述的方法，其特征在于本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种提高制绒或湿法刻蚀设备各轨道腐蚀量均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）检测各轨道内硅片的腐蚀量；2）调整腐蚀量偏大或偏小的轨道上的导轮直径，通过控制所述导轮上的硅片进入所述设备中各轨道的药液深度从而增加或者减小所述硅片的腐蚀量，最终使各道内所述硅片的腐蚀量相一致。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范志东，赵学玲，郭延岭，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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