The invention discloses a wet etching and wet etching device exhaust system, relates to the technical field of wet etching, solve the adjustment ability of pumping Ventilation System Co. existing wet etching equipment cavity, to ensure wet etching process requirements, to ensure the balance of pressure within the cavity, resulting in acidic gases and volatile by-products gas leakage to the outside of the chamber, causing damage to the technical staff, technical problems caused by the pollution of the environment. Including the wet etching exhaust system: smoke ventilation duct and cover in vacuum cavity wet etching equipment of the cavity on the door cover body; wherein, the ventilation duct and the pumping cavity is connected with the cover body, the vacuum pumping ventilation pipe connected to the pumping unit; the ventilation duct and cavity communicated through the first valve, air pump through the second pipeline valve control unit and the vacuum cover is connected. The invention is applied to wet etching.
【技术实现步骤摘要】
一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置
本专利技术涉及湿法刻蚀
,尤其涉及一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置。
技术介绍
目前,在薄膜晶体管液晶显示器的生产过程中,常采用湿法刻蚀工艺在基板上形成特定图案,具体地,将光刻胶覆盖在基板上的部分金属膜层上,然后使未被光刻胶覆盖部分的金属膜层与酸性溶液进行反应,以去除多余的金属膜层。通常上述湿法刻蚀反应是在湿法刻蚀设备的腔体内进行的。如图1所示,现有的湿法刻蚀设备包括腔体1,以及在腔体1的外侧设置的抽气装置2,以利用抽气装置2将湿法刻蚀反应产生的挥发性酸性气体以及反应副产物气体抽离腔体1,以保证腔体1内的气压稳定。然而,专利技术人发现,在使用湿法刻蚀工艺刻蚀基板的过程中,局部过刻现象的严重程度和影响范围均与湿法刻蚀设备的腔体1的抽换气大小成正相关关系,而将抽气装置2的抽换气阀门21完全关闭,可以有效改善局部过刻现象,但若将抽换气阀门21完全关闭,则会使腔体1内的气压持续增大,导致挥发性酸性气体以及反应副产物气体在气压作用下泄漏到腔体1外部,从而对技术人员造成伤害,对环境造成污染。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置,用于在保证湿法刻蚀工艺需求的情况下,保证湿法刻蚀设备的腔体内压力平衡,避免湿法刻蚀过程中产生的挥发性酸性气体以及反应副产物气体泄漏到腔体外部。为达到上述目的,本专利技术提供一种湿法刻蚀排气系统,采用如下技术方案:该湿法刻蚀排气系统包括:抽换气管道和罩在湿法刻蚀设备的腔体的腔门上的真空罩体;其中,所述抽换气管道与所述腔体相连,所述真空罩体与所述抽换气管道相连;所述抽换气 ...
【技术保护点】
一种湿法刻蚀排气系统,其特征在于,包括:抽换气管道和罩在湿法刻蚀设备的腔体的腔门上的真空罩体;其中,所述抽换气管道与所述腔体相连,所述真空罩体与所述抽换气管道相连;所述抽换气管道通过第一阀控单元与所述腔体连通,所述抽换气管道通过第二阀控单元与所述真空罩体连通。
【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀排气系统,其特征在于,包括:抽换气管道和罩在湿法刻蚀设备的腔体的腔门上的真空罩体;其中,所述抽换气管道与所述腔体相连,所述真空罩体与所述抽换气管道相连;所述抽换气管道通过第一阀控单元与所述腔体连通,所述抽换气管道通过第二阀控单元与所述真空罩体连通。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统,其特征在于,所述湿法刻蚀排气系统还包括设置在所述真空罩体外,且与所述真空罩体相连的大气压鼓风装置。3.根据权利要求1所述湿法刻蚀排气系统,其特征在于,所述真空罩体与所述腔体的接触位置还设置有密封圈。4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀排气系统,其特征在于,所述湿法刻蚀排气系统还包括用于控制所述真空罩体升降的升降架,所述升降架与所述真空罩体相连。5.根据权利要求1所述的湿...
【专利技术属性】
技术研发人员:李明晖,杨晓峰,吕耀军,张超,王彬,李桂,
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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