【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路芯片制造领域,尤其涉及一种全波长刻蚀工艺终点控制仪。
技术介绍
在集成电路芯片制造领域,随着芯片集成密度和复杂度的不断增加,对芯片生产过程中工艺控制要求越来越严格。尤其是,如何对主刻阶段和过刻阶段之间的刻蚀终点进行检测,避免刻蚀损失,从而获取高质量、高良率产品,其关键是采用精准先进的终点检测技术。在全波长范围,探测芯片晶圆制造反应腔内物质的光谱变化,从光谱变化判断终点刻蚀是否结束是常用方法。但现有设计多采用多块光栅散色光线,增加了设备复杂性。如专利“一种采用面阵式CCD探测器的多光栅单色仪”(公告号:CN2438107Y),采用三块子光栅覆盖整个光谱区。或者设计的光谱探测设备需要马达和传动轴进行传动,设备的稳定性和便捷性需要提高。为了克服上诉缺点,本技术不采用马达等传动装置,且只采用一块光栅,提高设备的稳定性、便捷性,并且在光线入口和光栅位置设置可调,使设备在装配过程中易于调试。
技术实现思路
本技术的任务是提供一种全波长刻蚀工艺终点控制仪,入射光线由光纤导入并照射在入射狭缝上,光纤接口和入射狭缝都固定在可以上下滑动或左右滑动的滑块上,通过入射狭缝的光照射在固定在光栅圆盘处的平面谱全息凹面光栅上,不同波长光线经光栅衍射,照射在CCD探测器上。由于不同波长的光具有不同的衍射角度,因此照射在CCD探测器上不同位置的信号强度对应于不同波长的光强度。然后将CCD探测信号传送至计算机进行处理。整个装置不采用传动装置,提高了设备的稳定性、便捷性;且只采用一块光栅,并且在光线入口滑块和固定光栅的光栅圆盘处均设置可调,使设备在装配过程中易于调节。为实现上述 ...
【技术保护点】
全波长刻蚀工艺终点控制仪,它由光纤、入射狭缝、垂直滑块、水平滑块、光栅圆盘、CCD探测器和盒体组成,入射光线由光纤经狭缝导入,照射在固定在光栅圆盘处的平面谱全息凹面光栅,不同波长光线经光栅衍射,聚焦在CCD光电探测器上,然后将探测到的光谱信号传至计算机进行处理。
【技术特征摘要】
1.全波长刻蚀工艺终点控制仪,它由光纤、入射狭缝、垂直滑块、水平滑块、光栅圆盘、CCD探测器和盒体组成,入射光线由光纤经狭缝导入,照射在固定在光栅圆盘处的平面谱全息凹面光栅,不同波长光线经光栅衍射,聚焦在CCD光电探测器上,然后将探测到的光谱信号传至计算机进行处理。2.根据权利要求1所述的全波长刻蚀工艺终点控制仪,其特征在于全波长覆盖的波长范围从200到800纳米。3.根据权利要求1所述的全波长刻蚀工艺终点控制仪,其特征在于C...
【专利技术属性】
技术研发人员:睢智峰,
申请(专利权)人:上海陛通半导体能源科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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