用于沟槽刻蚀的光刻版及沟槽的刻蚀方法技术

本发明专利技术涉及一种用于沟槽刻蚀的光刻版，包括第一和第二沟槽图形区域，第一沟槽图形区域包括多条宽度相等的第一条形，各第一条形的间距相等，第二沟槽图形区域包括多条宽度相等的第二条形，各第二条形的间距相等；第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽，各第二条形的间距小于各第一条形的间距。本发明专利技术还涉及一种沟槽的刻蚀方法。本发明专利技术通过设置合适的条宽和间距，使得在同时进行刻蚀的情况下，第一沟槽图形区域形成的沟槽比第二沟槽图形区域形成的沟槽深度要深，能够通过一次光刻和刻蚀形成两种以上不同深度的沟槽。

【技术实现步骤摘要】
用于沟槽刻蚀的光刻版及沟槽的刻蚀方法
本专利技术涉及半导体工艺，特别是涉及一种用于沟槽刻蚀的光刻版，还涉及一种沟槽的刻蚀方法。
技术介绍
半导体元器件在制造时往往需要形成沟槽(Trench)结构，甚至需要在一个器件内形成深度不同的沟槽。但在同一个器件内沟槽为同时刻蚀，因此沟槽的深度是固定的，无法实现沟槽深度的差异。故传统技术中为实现差异化的沟槽深度，需要进行两次以上的光刻和刻蚀，导致产品的制造成本增加。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种用于沟槽刻蚀的光刻版，其能够通过一次光刻和刻蚀形成两种以上不同深度的沟槽。一种用于沟槽刻蚀的光刻版，包括第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域，所述第一沟槽图形区域包括多条宽度相等的第一条形，各第一条形的间距相等，所述第二沟槽图形区域包括多条宽度相等的第二条形，各第二条形的间距相等，所述第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积不等于所述第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积；所述第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域用于光刻并刻蚀形成沟槽，所述第一沟槽图形区域用于形成比第二沟槽图形区域形成的沟槽深度深的沟槽；所述第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽，各第二条形的间距小于各第一条形的间距，或所述第二条形的条宽小于所述第一条形的条宽，所述第一条形的条宽与第一条形间间距之和等于第二条形的条宽与第二条形间间距之和。在其中一个实施例中，所述第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽，各第二条形的间距小于各第一条形的间距。在其中一个实施例中，所述第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积是所述第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积的1.2～2倍。在其中一个实施例中，所述第二条形的条宽小于所述第一条形的条宽，所述第一条形的条宽与第一条形间间距之和等于第二条形的条宽与第二条形间间距之和。在其中一个实施例中，所述第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积是所述第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积的1.1～1.8倍。本专利技术还提供一种沟槽的刻蚀方法。一种沟槽的刻蚀方法，包括下列步骤：提供晶圆；通过沟槽刻蚀光刻版对晶圆进行光刻，在光刻胶上形成第一光刻图案和第二光刻图案；所述沟槽刻蚀光刻版包括第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域，所述第一光刻图案是第一沟槽图形区域转移到光刻胶上形成的图案，所述第二光刻图案是第二沟槽图形区域转移到光刻胶上形成的图案；所述第一沟槽图形区域包括多条宽度相等的第一条形，各第一条形的间距相等，所述第二沟槽图形区域包括多条宽度相等的第二条形，各第二条形的间距相等，所述第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积不等于所述第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积；所述第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽，各第二条形的间距小于各第一条形的间距，或者所述第二条形的条宽小于所述第一条形的条宽，所述第一条形的条宽与第一条形间间距之和等于第二条形的条宽与第二条形间间距之和；在所述光刻胶的掩蔽下进行干法刻蚀，通过所述第一光刻图案刻蚀出第一沟槽区，通过所述第二光刻图案刻蚀出第二沟槽区，所述第一沟槽区内的沟槽深度比所述第二沟槽区内的沟槽深度深。在其中一个实施例中，所述第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽，各第二条形的间距小于各第一条形的间距。在其中一个实施例中，所述第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积是所述第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积的1.2～2倍。在其中一个实施例中，所述第二条形的条宽小于所述第一条形的条宽，所述第一条形的条宽与第一条形间间距之和等于第二条形的条宽与第二条形间间距之和。在其中一个实施例中，所述第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积是所述第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积的1.1～1.8倍。上述用于沟槽刻蚀的光刻版，通过设置合适的条宽和间距，使得在同时进行刻蚀的情况下，第一沟槽图形区域形成的沟槽比第二沟槽图形区域形成的沟槽深度要深，能够通过一次光刻和刻蚀形成两种以上不同深度的沟槽。附图说明通过附图中所示的本专利技术的优选实施例的更具体说明，本专利技术的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1是本专利技术用于沟槽刻蚀的光刻版上的第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域的示意图；图2是实施例1中第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域的示意图；图3是实施例2中第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域的示意图；图4是本专利技术一种沟槽的刻蚀方法的流程图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的首选实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本专利技术提供一种用于沟槽刻蚀的光刻版，如图1所示，光刻版100包括第一沟槽图形区域10和第二沟槽图形区域20，第一沟槽图形区域10和第二沟槽图形区域20用于光刻并刻蚀形成沟槽。第一沟槽图形区域10包括多条宽度相等的第一条形，各第一条形的间距相等。第二沟槽图形区域20包括多条宽度相等的第二条形，各第二条形的间距相等。通过设置合适的条宽和间距，使第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积不同于第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积，从而使得第一沟槽图形区域形成的沟槽比第二沟槽图形区域形成的沟槽深度要深。可以理解的，以上是以形成两个不同深度沟槽的区域为例进行的说明，在有需要时当然也可以相应设置两个以上的沟槽图形区域，刻蚀后形成多组槽深各不相同的沟槽。实施例1：请参看图2，图2左边为第一沟槽图形区域10的示意图，右边为第二沟槽图形区域20的示意图。在该实施例中，第一条形11和第二条形21的宽度均为B，第一条形11的间距A大于第二条形21的间距C。因此，第二沟槽图形区域20中条形的密度要大于第一沟槽图形区域10中条形的密度。优选的，第二沟槽图形区域20的单位面积中第二条形21所占的面积是第一沟槽图形区域10的单位面积中第一条形11所占的面积的1.2～2倍。在实施例1中，以第一沟槽图形区域10为基准，可以在不改变条宽B的情况下，通过调整间距获得沟槽深度较浅的第二沟槽图形区域20。实施例1中由于第一沟槽图形区域10和第二沟槽图形区域20单位面积内需要刻蚀掉的量不一样，气体的负载(loading)不一样，条形的密度越大，需要的反应气体越多，在反应气体不是很充足的情况下，刻蚀的深度会变浅。实施例2：请参看图3，图3左边为第二沟槽图形区域20的示意图，右边为第一沟槽图形区域10的示意图。在该实施例中，第二条形22的条宽b小于第一条形12的条宽b’，且第一条形12的条宽b’与第一条形间间距a’之和等于第二条形22的条宽b与第二条形间间距a之和，即a+b＝a’+b’。优选的，第一沟槽图形区域10的单位面积中第一条本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于沟槽刻蚀的光刻版，包括第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域，其特征在于，所述第一沟槽图形区域包括多条宽度相等的第一条形，各第一条形的间距相等，所述第二沟槽图形区域包括多条宽度相等的第二条形，各第二条形的间距相等，所述第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积不等于所述第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积；所述第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域用于光刻并刻蚀形成沟槽，所述第一沟槽图形区域用于形成比第二沟槽图形区域形成的沟槽深度深的沟槽；其中，所述第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽，各第二条形的间距小于各第一条形的间距，或所述第二条形的条宽小于所述第一条形的条宽，所述第一条形的条宽与第一条形间间距之和等于第二条形的条宽与第二条形间间距之和。

【技术特征摘要】
1.一种用于沟槽刻蚀的光刻版，包括第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域，其特征在于，所述第一沟槽图形区域包括多条宽度相等的第一条形，各第一条形的间距相等，所述第二沟槽图形区域包括多条宽度相等的第二条形，各第二条形的间距相等，所述第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积不等于所述第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积；所述第一沟槽图形区域和第二沟槽图形区域用于光刻并刻蚀形成沟槽，所述第一沟槽图形区域用于形成比第二沟槽图形区域形成的沟槽深度深的沟槽；其中，所述第二条形的条宽等于所述第一条形的条宽，各第二条形的间距小于各第一条形的间距，或所述第二条形的条宽小于所述第一条形的条宽，所述第一条形的条宽与第一条形间间距之和等于第二条形的条宽与第二条形间间距之和。2.根据权利要求1所述的用于沟槽刻蚀的光刻版，其特征在于，所述第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积是所述第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积的1.2～2倍。3.根据权利要求1所述的用于沟槽刻蚀的光刻版，其特征在于，所述第一沟槽图形区域的单位面积中第一条形所占面积是所述第二沟槽图形区域的单位面积中第二条形所占面积的1.1～1.8倍。4.一种沟槽的刻蚀方法，包括下列步骤：提供晶圆；通过沟槽刻蚀光刻版对晶圆进行光刻，在光刻胶上形成第一光刻图案和第二光刻图...

【专利技术属性】
技术研发人员：芮强，邓小社，张硕，孙永生，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32