硅通孔的刻蚀方法技术

一种硅通孔的刻蚀方法，包括，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有保护层，所述保护层内形成有贯穿其厚度的开口；在所述开口侧壁上形成侧墙；以所述保护层和所述侧墙为掩膜，采用第一刻蚀方法刻蚀所述半导体衬底，形成通孔；继续以所述保护层和所述侧墙为掩膜，采用第二刻蚀方法刻蚀所述通孔侧壁；去除所述侧墙和部分保护层。采用本发明专利技术的方法，可以提高设备利用率，降低通孔的刻蚀成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种娃通孔(Through-Silicon-Via, TSV)的刻蚀方法。
技术介绍
在半导体
中，3D堆叠式封装技术已被视为能否以较小尺寸来制造高效能晶片的关键。在3D堆叠式封装技术应用中，通常要对硅等材料进行深通孔刻蚀，通过刻蚀形成的深通孔在芯片和芯片之间、硅片与硅片之间制作垂直导通，从而实现芯片和芯片之间的互连。在大多数情况下，硅通孔制作都需要打通不同的材料层，而由此形成的通孔必须满足轮廓控制要求(如侧壁粗糙度等)，因此硅通孔刻蚀工艺成为硅通孔制作技术的关键。现有技术硅通孔的刻蚀通常采用美国专利US55011893提出的Bosch (博世)工艺进行，所述Bosch工艺刻蚀方法包括刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤和聚合物沉积步骤交替进行。图1 图5为现有技术娃通孔刻蚀方法剖面结构示意图。所述Bosch工艺刻蚀过程在同一台设备中进行。参考图1，提供半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有保护层 11，所述保护层11内形成有开口。参考图2，以所述保护层11为掩膜，进行第一步等离子体刻蚀步骤，形成刻蚀孔12，所述等离子体刻蚀采用的气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅通孔的刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有保护层，所述保护层内形成有贯穿其厚度的开口；在所述开口侧壁上形成侧墙；以所述保护层和所述侧墙为掩膜，采用第一刻蚀方法刻蚀所述半导体衬底，形成通孔；继续以所述保护层和所述侧墙为掩膜，采用第二刻蚀方法刻蚀所述通孔侧壁；去除所述侧墙和部分保护层。

【技术特征摘要】
1.一种硅通孔的刻蚀方法，其特征在于，包括步骤提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有保护层，所述保护层内形成有贯穿其厚度的开口 ；在所述开口侧壁上形成侧墙；以所述保护层和所述侧墙为掩膜，采用第一刻蚀方法刻蚀所述半导体衬底，形成通孔；继续以所述保护层和所述侧墙为掩膜，采用第二刻蚀方法刻蚀所述通孔侧壁；去除所述侧墙和部分保护层。2.如权利要求1所述硅通孔的刻蚀方法，其特征在于，所述保护层为双层堆叠结构。3.如权利要求2所述硅通孔的刻蚀方法，其特征在于，所述双层堆叠结构为位于半导体衬底上的二氧化硅层和位于二氧化硅层上的光刻胶层。4.如权利要求1所述硅通孔的刻蚀方法，其特征在于，所述侧墙的形成方法为形成覆盖所述保护层、所述开口和所述半导体衬底表面的掩膜层；回刻蚀所述掩膜层至露出保护层和开口内的半导体衬底。5.如权利要求4所述硅通孔的刻蚀方法，其特征在于，所述掩膜层材料为氮化硅或无定形碳。6.如权利要求4所述硅通孔的刻蚀方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘煊杰，陈晓军，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：